**对比文件名称**：US2009225525A1_Description_20260318_1958
**目标专利名称**：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**《直接公开》** | [0040] 所述封装件2由合适的印刷电路板构成，并且，例如，该封装件2包括核心基板13...<br>[0081] 如图8A所示，准备了核心基板130。该核心基板130通过通孔电镀工艺制造。... | 对比文件明确公开了构成电子器件（如封装件2）的基板（核心基板13、130），其作为电路和元件的支撑结构。这与目标专利中基板102的作用相同，均为器件提供物理支撑和电气隔离的基础。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>**《隐含公开》** | [0053] 图4A是显示电感器10嵌入封装件2中的状态的截面图。...嵌入式电感器(L)10包括由通孔铜构成的导体(con.)32...<br>[0057] 电感器10设置在核心基板13中提供的通孔27中... | 对比文件公开了通孔导体32，其作为电感器10的一部分并至少部分地穿过核心基板13延伸（见图4A，导体32穿过磁性体30，而磁性体30嵌入基板的通孔27中）。通孔导体32与磁性体30共同构成电感器。虽然对比文件未明确使用“多通孔电感器”这一术语，但其公开了通孔作为电感器的一部分。在宽松的隐含公开判断标准下，本领域技术人员可以理解该通孔是构成电感器的一个组成部分。因此，技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件公开的电感器10是由单个通孔导体32及其周围的磁性体30构成的，其本质上是一个单匝线圈。未公开任何由多个通孔通过基板上的导电结构串联耦合以形成“多通孔电感器”的结构。目标专利中的多通孔电感器（如图1中的104， 130， 132， 140， 142， 144）形成螺旋路径以增加电感，这与对比文件的结构有本质区别。因此，技术特征C未被对比文件公开。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>**《隐含公开》** | [0041] 薄膜型电容器(C)8是通过将介电材料8夹在核心基板导体电路52u-1和下层导体电路54u-1之间而形成的...<br>[0045] 图2是显示图1中电子设备体现的电源电路3的基本结构的电路图。该电源电路3是降压输入直流电压的DC-DC转换器。在此DC-DC转换器中，电源IC(PW IC)12、嵌入板中的电感器(L)10以及作为负载的MPU6与输入电源Vin串联连接；此外，薄膜电容器(C)8与负载MPU6并联连接。 | 对比文件公开了薄膜电容器8，其与电感器10共同构成电源电路3的一部分。在电路连接关系上，电感器10和电容器8是串联在输入电源与负载之间的（见图2）。电感器10包含通孔导体32。因此，在电路中，电容器8通过布线（导体电路）耦合至包含通孔导体32的电感器10。虽然对比文件未明确描述电容器8的电介质“位于通孔与电容器的极板之间”这种特定的三维堆叠结构，但其公开了“电容器耦合至包含通孔的电感器”这一基本电路连接关系。在非常宽松的隐含公开判断标准下，可以认为对比文件隐含公开了电容器与通孔（作为电感器的一部分）之间存在耦合关系。但需注意，这种耦合是电路连接，而非目标专利中强调的垂直集成、直接堆叠的物理结构。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>**《未公开》** | [0041] 薄膜型电容器(C)8是通过将介电材料8夹在核心基板导体电路52u-1和下层导体电路54u-1之间而形成的... | 对比文件明确说明薄膜电容器8是通过将介电材料夹在核心基板的导体电路和下层（即另一层）导体电路之间形成的。这表明电容器的极板（即导体电路52u-1和54u-1）是构成基板（封装件2）内部布线层的一部分，位于基板内部或作为基板结构的一部分，而不是“在基板以外”。目标专利强调电容器的极板在基板以外（例如，在基板之上），这是其实现低电阻集成的一个关键点。因此，技术特征E未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未公开技术特征C中定义的“多通孔电感器”及其“导电结构”，因此更不可能公开“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”这一具体连接关系。电容器8是通过基板内的导体电路与电感器10连接的，并非直接通过某个通孔耦合至一个特定的“第一导电结构”。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件中的电感器10仅包含一个通孔导体32，未提及或暗示存在用于构成电感器的“第二通孔”。因此，技术特征G未被对比文件公开。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未公开由多个通孔和导电结构串联形成的螺旋电感结构。因此，技术特征H中描述的复杂互连关系未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>**《隐含公开》** | [0040] ...核心基板13...下部绝缘层15u和15d...上部绝缘层25u和25d...<br>[0045] ...电源电路3是DC-DC转换器...包括电感器(L)10和薄膜电容器(C)8。 | 1. 关于“极板在层间电介质(ILD)层中”：对比文件描述了多层封装结构，包括核心基板13和层层堆叠的绝缘层（15u, 15d, 25u, 25d），这些绝缘层可视为层间电介质（ILD）。薄膜电容器8的极板（导体电路）形成于这些绝缘层之间（例如夹在核心基板导体电路和下层导体电路之间），因此可理解为“极板在层间电介质(ILD)层中”。<br>2. 关于“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”：对比文件明确公开了由电感器10和电容器8构成的电路（电源电路3）。虽然该电路在对比文件中被描述为用于电源平滑的DC-DC转换器电路，而非明确称为“谐振电路”，但电感器和电容器的组合是本领域谐振电路的基本构成。在宽松的隐含公开判断下，可以认为对比文件公开了由电感器和电容器构成的电路。但需注意，目标专利的谐振电路特指LC谐振电路，而对比文件的电路是电源转换/平滑电路，两者功能侧重点不同，但基本元件组合相同。因此，技术特征I被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>**《未公开》** | [0081] ...玻璃布环氧树脂覆铜层压板或玻璃布高耐热树脂覆铜层压板... | 对比文件公开的基板材料是“玻璃布环氧树脂覆铜层压板”或类似材料，这是一种树脂基复合材料，并非目标专利所定义的“玻璃型基板”（如纯玻璃、石英等）。同时，对比文件的通孔是金属化通孔，未提及是“透玻通孔”（TGV）。因此，技术特征J未被对比文件公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>**《未公开》** | [0081] ...玻璃布环氧树脂覆铜层压板或玻璃布高耐热树脂覆铜层压板... | 对比文件仅提及使用树脂基的覆铜层压板（如玻璃布环氧树脂）作为基板材料，未公开技术特征K中列举的玻璃、石英、SOI、蓝宝石、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠或塑料基板等具体材料。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>**《直接公开》** | [0053] ...嵌入式电感器(L)10包括由**通孔铜**构成的导体(con.)32...<br>[0071] ...随后，通过焦磷酸铜电镀（即电解铜电镀）形成厚度约为20μm的铜膜，以形成导体32... | 对比文件明确且反复指出，电感器10的通孔导体32由铜（Cu）构成，并通过电镀工艺形成。这直接公开了通孔是金属（铜）填充型的。铜包含在目标专利列举的金属列表中。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>**《隐含公开》** | [0041] 薄膜型电容器(C)8是通过将**介电材料**8夹在核心基板导体电路52u-1和下层导体电路54u-1之间而形成的... | 对比文件公开了电容器包含“介电材料”。虽然未具体说明该介电材料的化学成分，但在本领域技术人员的常识中，用于薄膜电容器的介电材料通常包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝等高介电常数材料。在宽松的隐含公开判断标准下，可以认为对比文件公开了电容器具有电介质，且该电介质可能由目标专利所列材料中的一种构成。因此，技术特征M被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>**《隐含公开》** | [0055] 图4A所示的嵌入式电感器(L)10包括由通孔铜构成的导体(con.)32...通孔铜的内部形成**中空部分34**。导体32中提供的中空部分34释放了由导体32和核心30之间的热膨胀差异引起的应力。<br>[0058] 参考图4C，图4B中所示的通孔导体32中填充有**填充剂36**...优选使用具有低弹性的材料作为填充剂36... | 对比文件公开了通孔导体32可以具有中空部分34（图4A），或者可以用填充剂36（如树脂）填充（图4C）。填充剂36用于减少热应力，其性质（具有低弹性）与聚合物核类似。虽然对比文件未明确使用“聚合物核”一词，且其结构的目的（应力释放）与目标专利中“结构性支承和与TGV制造技术兼容”（参见目标专利说明书[0044]）不完全相同，但在宽松的隐含公开判断下，本领域技术人员可以从“填充剂”或“中空部分可填充材料”的教导中，合理推断出通孔内可以存在由聚合物类材料构成的核或填充物。因此，技术特征N被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件中的薄膜电容器8是平面结构，形成于基板的布线层之间，与电感器10的通孔导体32在空间上是分离的。没有任何文字或图示表明电容器的极板或电介质是垂直堆叠并直接位于通孔导体32的顶表面或侧表面之上。目标专利的这一特征强调了电容器与通孔的垂直集成关系，这是其发明的关键，而对比文件完全没有公开这种结构。因此，技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征描述了电容器、通孔和第一导电结构之间非常具体的三维空间位置关系（垂直对齐）。对比文件未公开技术特征F和C中的“第一导电结构”，也未公开电容器与通孔之间这种垂直对齐的空间关系。因此，技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征同样强调了通孔与电容器极板的垂直对齐关系。如前述，对比文件中的电容器与电感器通孔在空间上是分离的，没有这种垂直方向上的对齐或相交关系。因此，技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未描述通孔导体32的表面与电容器8的极板表面之间的尺寸比较关系。因此，技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 同上，对比文件未描述通孔与电容器极板表面的尺寸关系。因此，技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 同上，对比文件未描述通孔与电容器极板表面的尺寸关系。因此，技术特征T未被公开。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件仅公开了电容器8具有一层介电材料，未提及在通孔与电容器电介质之间还存在“第二电介质”层。因此，技术特征U未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未公开任何关于多个通孔在基板内结合以形成复杂电感器路径的结构。因此，技术特征V未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 这是对目标专利核心发明点（垂直集成电容器）的总结性特征。如前所述，对比文件完全没有公开电容器垂直位于通孔之上的结构。因此，技术特征W未被公开。 |
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