对比文件名称：2011-10-13_US2011248405A_发明申请_US20110248405A1 Selective Patterning for Low Cost through Vias
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** | “metal lines 104 are deposited on a glass substrate 102”（[0004]段，对应图1A描述），“A block layer 304 is patterned on a substrate 302.”（[0018]段），“the substrate 302 is a glass substrate”（[0020]段） | **《直接公开》**。对比文件[0004]、[0018]、[0020]段明确描述了使用“glass substrate”或“substrate”。基板是器件的基础结构，其作用与目标专利中作为通孔和电容器支撑体的基板（如玻璃型基板）相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一特征。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，** | “through via 306 is etched in the substrate 302.”（[0020]段），“a through via on a second side of the substrate extending through the substrate.”（[0007]段） | **《隐含公开》**。对比文件[0020]段公开了在基板302中蚀刻出通孔（through via）306，且[0007]段也描述了通孔从基板第二侧延伸穿过基板。虽然对比文件未明确说明该通孔“形成多通孔电感器的一部分”，但背景技术（[0002]段）提到“building passive devices on a glass substrate would result in lower cost components”，并且在[0023]段明确说明“passive devices such as capacitors and inductors ... may be formed on the glass substrate and coupled to the through vias.” 因此，本领域技术人员结合对比文件整体内容，可以合理推断出通孔可以被用于连接或构成电感器等无源器件的一部分。这属于隐含公开。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** | 未找到相关描述。对比文件仅描述了单个通孔（through via 306）及其与第一导电层308的连接。未提及由多个通孔和导电结构构成电感器的具体结构。 | **未公开**。对比文件全文没有描述或暗示由“通孔”、“第二通孔”以及位于它们之间“基板上的导电结构”共同构成一个“多通孔电感器”。对比文件中的导电结构（如第一导电层308）主要用于形成互连线，以防止短路，并未被描述为用于形成电感器线圈的组成部分。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，** | “passive devices such as capacitors and inductors ... may be formed on the glass substrate and coupled to the through vias.”（[0023]段） | **《隐含公开》**。对比文件[0023]段提到电容器等无源器件可以形成在玻璃基板上并“耦合至（coupled to）”通孔。虽然对比文件没有明确描述电容器的具体结构（如电介质位于通孔与极板之间），但本领域技术人员知道，要实现电容器与通孔的电连接，必然存在某种耦合结构。然而，目标专利的核心在于电容器直接堆叠在通孔上，电介质位于两者之间，这是一种特定的、集成度更高的结构。对比文件仅泛泛提及电容器可耦合至通孔，并未公开这种具体的堆叠式电容器结构。考虑到隐含公开判断标准宽松，此处认为对比文件“可能”隐含了电容器通过某种方式耦合至通孔，但未公开“电介质位于通孔与极板之间”这一特定的位置关系。因此，该技术特征整体未被公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。** | “depositing a first conductive material on the block layer.”（[0006]段），“A first conductive layer 308 is deposited on the block layer 304.”（[0019]段） | **《直接公开》**。对比文件[0006]和[0019]段描述了第一导电材料/层308沉积在阻挡层304上，而阻挡层304位于基板302的第一侧（参见[0018]段和图3A-C）。因此，第一导电层308位于基板302的表面之上，即在基板“以外”。虽然第一导电层308在对比文件中主要作为互连金属线，但若其构成电容器的极板（如[0023]段提及的耦合至通孔的电容器），则该极板必然位于基板以外。因此，本领域技术人员能够得出，对比文件公开了电容器极板位于基板以外的特征。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。** | “the second conductive layer 310 contacts one metal line of the first conductive layer 308 through the opening 312 in the block layer 304.”（[0021]段） | **《隐含公开》**。对比文件[0021]段公开了第二导电层310通过阻挡层304中的开口312接触第一导电层308的一条金属线。结合[0023]段提到的电容器可耦合至通孔，本领域技术人员可以合理推断：若电容器形成在第一导电层308上，则它可以通过通孔内的第二导电层310实现与第一导电层308的电连接。然而，对比文件并未明确描述电容器本身直接“通过所述通孔耦合”，也未明确第一导电层308就是“第一导电结构”且该结构用于连接电容器和通孔以构成电感器的一部分（如特征C所述）。此处判断为隐含公开是基于对“耦合”关系的宽松推理。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** | 未找到相关描述。对比文件仅示出并描述了一个通孔（through via 306）。未提及第二个通孔，更未提及其作为电感器的一部分。 | **未公开**。对比文件没有公开“第二通孔”的存在，也没有描述由多个通孔构成电感器的构思。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。** | 未找到相关描述。对比文件没有描述两个通孔通过导电结构互连以形成电感线圈的结构。 | **未公开**。该特征依赖于技术特征C和G中定义的多通孔电感器结构。由于对比文件未公开由多个通孔和导电结构构成电感器的方案，因此该具体的互连结构（第一导电结构通过第二通孔耦合至第一导电结构）也未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。** | 未找到相关描述。对比文件未提及层间电介质（ILD）层。也未提及由电感和电容构成的谐振电路。 | **未公开**。对比文件没有描述电容器极板位于ILD层中。虽然[0023]段提到无源器件如电容器和电感器可形成在基板上并耦合至通孔，但并未明确这些器件集成为谐振电路。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。** | “the substrate 302 is a glass substrate and the through via 306 is a through glass via (TGV).”（[0020]段） | **《直接公开》**。对比文件[0020]段明确公开了基板是玻璃基板，且通孔是透玻通孔（TGV）。其作用与目标专利中作为低损耗材料基板和垂直互连通孔相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** | “the substrate 302 is a glass substrate”（[0020]段），“However, the substrate 302 may be other materials such as, for example, silicon or sapphire.”（[0020]段） | **《直接公开》**。对比文件[0020]段明确列举了基板可以是玻璃、硅或蓝宝石。虽然未列举目标专利权利要求中的所有具体材料（如SOI、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠、塑料），但“硅”和“蓝宝石”基板已落入目标专利列举的范围内（例如，硅基板可视为高电阻率硅（HRS）基板的一种，蓝宝石上硅（SOS）是蓝宝石基板的一种应用）。本领域技术人员能够理解，对比文件公开了基板材料的可选范围，包括目标专利权利要求中的部分具体类型。根据最宽泛解释和等同原则，该特征被直接公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** | “The first conductive layer 308 may be, for example, copper, aluminum, or tungsten.”（[0019]段），“The second conductive layer 310 may be, for example, the same material as or different material than the first conductive layer 308.”（[0021]段） | **《直接公开》**。对比文件[0019]段公开了第一导电层可以是铜或钨。[0021]段指出第二导电层可与第一导电层材料相同或不同，并用于填充通孔（参见图3D，第二导电层310沉积在通孔306内）。虽然未明确列出银或金，但铜和钨已落入目标专利列举的金属范围内。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了通孔由铜或钨等金属填充。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。** | “The isolation layer 314 may be, for example, silicon nitride, silicon oxide, or silicon carbide.”（[0022]段） | **《直接公开》**。对比文件[0022]段描述了隔离层314可以是氮化硅（silicon nitride）或氧化硅（silicon oxide）。氮化硅和氧化硅分别对应于目标专利中的Si3N4和SiO2。虽然对比文件中的隔离层用于防止短路或提高附着力，而目标专利中的电介质用于形成电容器，但两者在材料种类上存在重叠。本领域技术人员能够从对比文件中毫无疑义地得出可以使用氮化硅或氧化硅作为介电材料。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。** | 未找到相关描述。对比文件中的通孔306由第二导电层310填充（图3D）或由隔离层314和第二导电层310共同构成（图3E），未提及通孔内包含聚合物核的结构。 | **未公开**。对比文件未公开通孔具有包含聚合物核的金属结构。目标专利图3的实施例旨在提供结构性支撑并与TGV制造技术兼容，而对比文件的通孔是实心金属填充或金属衬里加隔离层，目的不同。该特征未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。** | 未找到相关描述。对比文件没有描述电容器直接堆叠在通孔顶部的结构。图3D-E显示第一导电层308（可能作为电容器极板）位于通孔306的侧方并通过开口312连接，而非垂直位于通孔“面向电介质的表面”（即通孔顶部）之上。 | **未公开**。这是目标专利的核心发明点之一，即电容器直接形成在通孔顶部，电介质和极板垂直堆叠于通孔表面之上，以减少串联电阻。对比文件完全没有揭示这种垂直堆叠的集成结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。** | 未找到相关描述。对比文件没有描述电容器、通孔和第一导电结构之间如此精确的空间位置关系。图3D-E显示第一导电层308和电容器（如果存在）在基板302的同一侧（有阻挡层304的一侧），而第二导电层310在另一侧。不存在“轴”同时穿过电容器极板、电介质和第一导电结构的描述。 | **未公开**。该特征定义了电容器、通孔和背侧导电结构三者严格垂直对齐的空间关系。对比文件未公开电容器与通孔垂直堆叠，因此这种特定的相交关系也未被公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。** | 未找到相关描述。对比文件未描述极板表面与通孔延伸方向的关系，也未描述通孔的轴与极板区域相交。 | **未公开**。该特征进一步限定了通孔延伸方向与极板表面的垂直关系以及空间相交关系。对比文件未公开电容器极板与通孔的垂直堆叠结构，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。** | 未找到相关描述。对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较关系。 | **未公开**。该特征涉及通孔与电容器极板的相对尺寸。对比文件未公开电容器直接形成在通孔上，因此无法得出或推断两者的表面尺寸关系。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。** | 未找到相关描述。同上。 | **未公开**。理由同技术特征R。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。** | 未找到相关描述。同上。 | **未公开**。理由同技术特征R。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。** | 未找到相关描述。对比文件未描述电容器具有多层电介质。图3E的隔离层314位于通孔侧壁和底部，用于隔离，并非位于通孔与电容器电介质之间。 | **未公开**。目标专利图4-5的实施例涉及在通孔与电容器主电介质之间设置第二电介质层。对比文件未公开这种特定的电容器多层介电结构。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。** | 未找到相关描述。对比文件仅描述了一个贯穿基板的通孔，未提及部分延伸的盲孔或多个通孔在基板内结合以形成电感器的结构。 | **未公开**。该特征描述了多通孔电感器的一种复杂三维结构，涉及盲孔和孔内结合。对比文件完全没有涉及此类结构。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。** | “a through via on a second side of the substrate extending through the substrate.”（[0007]段），“through via 306 is etched in the substrate 302.”（[0020]段） | **《隐含公开》**。对比文件[0007]和[0020]段明确公开了通孔延伸穿过基板。然而，对比文件未明确描述“电容器的极板和电介质垂直位于通孔上”。虽然[0023]段提到电容器可耦合至通孔，但未限定其空间位置关系。考虑到隐含公开判断标准非常宽松，本领域技术人员“有可能”推断电容器可以以某种方式设置在通孔上方区域。但严格来说，对比文件并未揭示这种特定的垂直堆叠集成结构。为了遵循宽松的隐含公开判断标准以避免遗漏，此处认为该特征中“通孔延伸穿过所述基板”被直接公开，而“电容器的极板和电介质垂直位于通孔上”这一具体位置关系未被公开。因此，该技术特征作为一个整体，其核心限定（垂直位于...上）未被公开。 |
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