**对比文件名称**：US2004246692A1_Description_20260318_1958
**目标专利名称**：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**模型名称**：专利创造性评估模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A《直接公开》** | 段落[0079]：“1 is a glass substrate (product of Nippon Electric Glass Co., Ltd.,BLC), and the thickness of which is 0.5 mm.” | 对比文件明确公开了其电子电路组件包含玻璃基板（glass substrate），这与目标专利中的“基板”技术特征相同。该基板在对比文件中作为承载电容器、电感器等无源元件的绝缘衬底，与目标专利中基板的作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案，特征A被直接公开。 |
| 包括：基板 | ||
| **特征B《隐含公开》** | 段落[0130]：“through holes were formed in the glass substrate with micro sand blasting method. ... conductive layers were formed inside the via holes by Cu electrolytic plating.”<br>段落[0082]：“An inductor element 4 is a spiral type inductor...” | 对比文件明确公开了在玻璃基板中形成通孔（through holes/via holes）并填充导电材料。对比文件也公开了电感器元件（例如螺旋电感）。虽然对比文件未明确描述该通孔“形成多通孔电感器的一部分”，但本领域技术人员知晓，在集成电路中，通过通孔（尤其是垂直互连通孔）连接不同层间的导电结构以构成电感是常见技术手段。结合对比文件中通孔用于电连接以及存在电感器的事实，可以合理推断通孔可以成为构成多通孔电感器的一部分。因此，特征B被隐含公开。 |
| 至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔， | ||
| **特征C《隐含公开》** | 段落[0079]-[0083]描述了在基板（1）上形成电容器（3）、电感器（4）和电阻（5），并通过金属布线连接。<br>段落[0130]描述了通过通孔内的导电层实现电连接。 | 对比文件公开了在基板上设置元件（如电容器、电感器）和金属布线，以及连接这些元件的通孔。特征C中“耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”描述的是多通孔电感器的一个组成部分。虽然对比文件未明确描绘出由两个通孔和一个位于基板表面的导电结构串联构成的精确电感器结构，但本领域技术人员根据对比文件公开的“通孔”、“导电结构”和“电感器”等要素，能够推理出通过通孔和表面布线（导电结构）串联形成电感是构建电感器的常规方式之一。因此，特征C被隐含公开。 |
| 所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构 | ||
| **特征D《未公开》** | 段落[0081]：“A capacitor element 3 formed inside the organic insulator 2 is in a three layer structure constituted by a lower electrode 3a, a dielectric body 3b and an upper electrode 3c.”<br>段落[0045]：“The capacitor elements of the present invention are constituted by ... a structure in which an inorganic dielectric material is sandwiched by two metal electrodes...” | 对比文件公开的电容器结构是标准的MIM（金属-绝缘体-金属）结构，即电介质（3b）位于下电极（3a）和上电极（3c）之间。目标专利的特征D强调“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”，这是一种独特的结构，其中通孔（可能直接作为电容器的一个极板或与之紧密耦合）与电容器的另一个极板之间直接设置电介质。对比文件完全没有揭示这种电介质位于“通孔”与“电容器极板”之间的特定空间位置关系。因此，特征D未被对比文件公开。 |
| 耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间， | ||
| **特征E《隐含公开》** | 段落[0081]：“The lower electrode 3a is composed by Cu, the dielectric body 3b by oxide of Ta and the upper electrode 3c by Cu.”<br>段落[0082]：“An inductor element 4 ... is formed on the same plane as the upper electrode 3c of the capacitor element 3...” | 对比文件公开的电容器极板（如3a, 3c）形成在基板（1）之上，并被有机绝缘体（2）所包围或覆盖。目标专利说明书指出“电容器的极板在所述基板以外”（参见[0010],[0033]），意指极板不嵌入基板内部，而是位于基板之外（例如上方）。对比文件中的电极同样形成在基板表面之上，并未嵌入玻璃基板内部，符合“在基板以外”的描述。本领域技术人员可以从对比文件的结构推断出此特征。因此，特征E被隐含公开。 |
| 并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。 | ||
| **特征F《隐含公开》** | 段落[0130]：“through holes were formed in the glass substrate... conductive layers were formed inside the via holes...”<br>段落[0081]-[0083]描述了电容器、电感器等元件通过金属布线连接。 | 对比文件公开了通孔（via holes）及其内部的导电层，用于实现电路元件的互连。特征F限定了电容器通过所述通孔耦合至第一导电结构。虽然对比文件未明确图示一个电容器通过一个特定通孔连接到另一个指定导电结构（第一导电结构）的精确布局，但这种通过通孔实现电容器与同一层或另一层导电结构（如电感器的一部分或互连线）的电连接，是本领域技术人员在布局电路时的常规选择。结合对比文件公开的元件互连需求，可以合理推断出该特征。因此，特征F被隐含公开。 |
| 其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。 | ||
| **特征G《隐含公开》** | 段落[0130]：“through holes were formed in the glass substrate...”（复数形式）<br>段落[0082]：“An inductor element 4 is a spiral type inductor...” | 对比文件公开了在基板中形成多个通孔（through holes）。特征G要求多通孔电感器进一步包括第二通孔，该第二通孔也至少部分延伸穿过基板并形成电感器的第二部分。虽然对比文件没有明确描述一个由两个通孔构成的多通孔电感器，但本领域技术人员知道，为了增加电感值或形成特定形状（如螺线管型），使用多个通孔与平面布线相结合来构建电感器是常见技术。因此，从对比文件公开的“多个通孔”和“电感器”的存在，可以合理推断出这种可能的结构。特征G被隐含公开。 |
| 其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分 | ||
| **特征H《隐含公开》** | 段落[0130]：“conductive layers were formed inside the via holes...”<br>段落[0082]：“An inductor element 4 ... the material thereof is Cu.”<br>段落[0079]-[0083]整体描述了元件和互连。 | 特征H进一步限定了多通孔电感器包括通孔、第二通孔、第一导电结构和第二导电结构。这实质上描述了一个由两个垂直通孔和两个水平导电结构串联形成的三维电感器。对比文件公开了通孔、导电材料（可用于形成导电结构）和电感器。虽然未给出该特定组合的明确图示，但本领域技术人员在需要构建紧凑、高电感值的集成电感器时，能够根据公开的元件（通孔、金属层）推理出这种利用多层金属和通孔串联形成电感器的方案。因此，特征H被隐含公开。 |
| 第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。 | ||
| **特征I《直接公开》** | 段落[0079]：“In FIG. 1, 2 is an organic insulator...”<br>段落[0174]-[0191]（实施例7）：描述了在玻璃基板上集成了LC滤波器电路（见图5、6、7），该电路包含电容器（由层27,28,30构成）和电感器（层30中的螺旋结构）。 | 对比文件明确公开了使用有机绝缘体（organic insulator，如聚酰亚胺）作为层间介质，其作用与目标专利的ILD层相同。此外，对比文件的实施例7具体公开了一个集成的LC滤波器电路，其本质上就是一个由电感器和电容器构成的谐振电路。这与目标专利特征I中“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”完全对应。因此，特征I被直接公开。 |
| 其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。 | ||
| **特征J《直接公开》** | 段落[0079]：“1 is a glass substrate...”<br>段落[0130]：“through holes were formed in the glass substrate...” | 对比文件明确且反复使用玻璃（glass）作为基板材料。同时，对比文件描述了在该玻璃基板中形成通孔（through holes）。对于本领域技术人员而言，在玻璃基板中形成的通孔即为透玻通孔（TGV）。因此，特征J被直接公开。 |
| 其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。 | ||
| **特征K《未公开》** | 段落[0049]：“...such as AlN and SiC are broadly used.”（提及AlN和SiC作为陶瓷衬底材料）<br>主要基板材料为玻璃。 | 目标专利特征K列举了包括玻璃基板在内的多种具体基板材料。对比文件虽然主要使用玻璃基板，并在背景技术部分提到了AlN、SiC等陶瓷基板，但并未明确公开或教导将“石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板”用于其发明。特征K是一个具体材料的列表，对比文件仅部分重叠（玻璃），但未覆盖全部或实质相同的范围。因此，特征K未被公开。 |
| 其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板 | ||
| **特征L《直接公开》** | 段落[0130]：“conductive layers were formed inside the via holes by Cu electrolytic plating.”<br>段落[0037]：“...copper, ... gold...”（列举了包括铜、金在内的金属电极材料） | 对比文件明确公开了通孔内通过铜（Cu）电解镀形成导电层，即通孔是金属（铜）填充的。此外，对比文件在描述电极材料时也提及了金（Au）等金属。因此，特征L中“金属填充型通孔”及“金属包括铜(Cu)…或金(Au)中的至少一者”被直接公开。 |
| 所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者 | ||
| **特征M《直接公开》** | 段落[0081]：“the dielectric body 3b by oxide of Ta”<br>段落[0038]：“...oxides such as Ta2O5... are enumerated.” | 对比文件在实施例中明确使用氧化钽（Ta2O5）作为电容器的电介质材料，并在说明书中列举了包括Ta2O5在内的多种氧化物电介质。Ta2O5是目标专利特征M所列材料之一。因此，特征M被直接公开。 |
| 所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。 | ||
| **特征N《未公开》** | 无相关描述。 | 目标专利特征N涉及通孔内具有聚合物核的金属结构（例如图3所示）。对比文件通篇描述的通孔均为金属（如铜）填充或金属层覆盖，从未提及在通孔中使用聚合物核。因此，特征N未被对比文件公开。 |
| 其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。 | ||
| **特征O《未公开》** | 对比文件中的电容器（如3）和通孔（如20）是平面布局上的连接关系，没有描述电容器垂直堆叠在通孔正上方。 | 目标专利特征O是核心发明点之一，强调电容器的极板和电介质“垂直位于”通孔的表面上（即电容器直接制作在通孔顶部）。对比文件中的所有图示（如FIG.1, 2, 3, 6, 15-21）均显示电容器与通孔在水平方向上是分开的，通过布线连接，不存在垂直堆叠关系。该特征是实现降低电阻、提高Q值的关键结构，对比文件未提供任何启示。因此，特征O未被公开。 |
| 其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。 | ||
| **特征P《未公开》** | 对比文件中的结构未显示这种精确的垂直对齐关系。例如，FIG.16中，元件分布在基板两侧，但电容器并不与背面的导电结构通过通孔垂直对齐。 | 特征P描述了电容器、通孔和第一导电结构之间一种特定的空间对齐关系，这是目标专利中电容器集成在通孔顶部结构的进一步限定。对比文件中完全没有公开或暗示这种电容器极板、电介质、通孔和背面导电结构沿同一轴线相交的垂直集成结构。因此，特征P未被公开。 |
| 其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。 | ||
| **特征Q《未公开》** | 同特征O，对比文件未公开电容器垂直位于通孔之上。 | 特征Q与特征O类似，强调了通孔轴与极板区域相交的垂直关系。这同样是目标专利的特定三维集成结构。对比文件未公开此结构。因此，特征Q未被公开。 |
| 其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。 | ||
| **特征R《未公开》** | 无相关描述。 | 特征R限定了通孔表面大于电容器极板表面。这是目标专利中优化电容性能的进一步细节设计（见图2及对应描述）。对比文件未涉及通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。因此，特征R未被公开。 |
| 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。 | ||
| **特征S《未公开》** | 无相关描述。 | 同特征R，对比文件未涉及通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。因此，特征S未被公开。 |
| 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。 | ||
| **特征T《未公开》** | 无相关描述。 | 同特征R，对比文件未涉及通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。因此，特征T未被公开。 |
| 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。 | ||
| **特征U《未公开》** | 无相关描述。 | 特征U涉及在通孔与主电介质之间设置第二电介质（见图4及对应描述）。这是目标专利中另一种电容器结构变体。对比文件中的电容器均为单层或双层（上下电极之间）电介质结构，未提及在通孔与电容器电介质之间增设第二电介质。因此，特征U未被公开。 |
| 其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。 | ||
| **特征V《未公开》** | 无相关描述。 | 特征V描述了通孔在基板内结合以及包含第三通孔的多通孔电感器复杂结构（见图6及对应描述）。这是目标专利中特定的电感器设计。对比文件虽然公开了通孔和电感器，但未描述这种通孔在基板内倾斜结合并连接三个通孔的结构。因此，特征V未被公开。 |
| 其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。 | ||
| **特征W《未公开》** | 同特征O、Q，对比文件未公开电容器垂直位于通孔之上。 | 特征W是特征O、Q的另一种表述，强调电容器部件垂直位于通孔上。这是目标专利的核心结构。对比文件未公开此结构。因此，特征W未被公开。 |
| 其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。 |
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