本次调用的模型名称：专利创造性评估专家模型。
**目标专利名称**：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**对比文件名称**：2011-12-08_WO2011153162A_发明申请_WO2011153162A1 THROUGH VIA INDUCTOR OR TRANSFORMER IN A HIGH-RESISTANCE SUBSTRATE WITH PROGRAMMABILITY
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板 《直接公开》 | [0034]段：“an electronic package 100 is provided with a high-resistance substrate 102 such as glass or sapphire.”<br>[0046]段：“The package 400 includes a high-resistance substrate 402 made of glass, sapphire, or other high-resistance material.” | 对比文件明确公开了电子封装包含高电阻率基板（如玻璃或蓝宝石），该基板是器件的基础结构。其在对比文件中作为三维电感器或变压器的载体，与目标专利中基板作为电路载体的作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔， 《直接公开》 | [0034]段：“A three-dimensional inductor 104 is formed in the package 100 and includes a plurality of through-vias 114.”<br>[0036]段：“Once the via is opened on the backside, ... make it a through-via to the backside of the substrate.”<br>[0042]段：“The plurality of through-vias 114 that form the inductor can be arranged in an array.” | 对比文件详细描述了形成于高电阻率基板中的三维电感器，其包含多个“through-vias”（透玻通孔），这些通孔完全穿过基板延伸，并明确是构成电感器的一部分。该通孔在对比文件中用于传导电流以形成电感，与目标专利中通孔作为电感器一部分的作用相同。因此被直接公开。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构 《直接公开》 | [0035]段：“Each of the plurality of through-vias 114 is coupled to a frontside conductive trace 116 on the frontside of the substrate 102 and a backside conductive trace 118 on the backside of the substrate 102.”<br>[0043]段：“the first through-via 306 is coupled to the second through-via 306 (labeled #2) by the frontside conductive trace 304... the third through the ninth through-vias 306 ... are coupled to one another by a plurality of backside conductive traces 302 and frontside conductive traces 304 to form a single, continuous conductive path.” | 对比文件明确公开了在基板正面和背面的导电迹线（frontside/backside conductive trace），这些导电结构将多个通孔相互耦合，从而形成连续的导电路径，构成了三维电感器。这些导电结构位于通孔之间（在基板表面上），其作用与目标专利中连接通孔以形成电感器的导电结构相同。因此被直接公开。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间， 《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件全文专注于三维电感器和变压器的结构、制造及可编程性，并未公开任何电容器结构，更没有公开电容器直接耦合到通孔，且电容器的电介质位于通孔与电容器极板之间的技术特征。这是目标专利的核心发明点。因此，该技术特征既未被直接公开，也无法从对比文件内容中隐含推导得出。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。 《未公开》 | 无相关描述。 | 由于对比文件未公开技术特征D（电容器），因此该关于电容器极板位置的特征无从谈起，未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。 《未公开》 | 无相关描述。 | 该特征限定了电容器通过通孔耦合至第一导电结构。由于对比文件未公开电容器，该特征的前提不存在，因此未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分 《直接公开》 | [0034]段：“includes a plurality of through-vias 114.”<br>[0042]段：“The plurality of through-vias 114 that form the inductor...”<br>图3及[0043]段展示了多个通孔通过导电迹线连接形成电感器。 | 对比文件公开的三维多通孔电感器由多个通孔（through-vias）构成，这些通孔均延伸穿过基板，并通过导电迹线连接。其中任何一个通孔（例如图3中的#2通孔）都可以被视为“第二通孔”，它们共同构成电感器的各个部分。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。 《直接公开》 | [0035]段描述了通孔耦合至正面导电迹线116和背面导电迹线118。<br>[0043]段具体描述了通孔通过正面导电迹线304和背面导电迹线302相互连接形成连续路径。 | 对比文件中的正面导电迹线（frontside trace）和背面导电迹线（backside trace）可以分别对应于“第一导电结构”和“第二导电结构”。它们通过通孔（例如第一通孔和第二通孔）相互耦合，并与这些通孔共同构成了完整的电感器路径。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。 《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开电容器，因此由电容和多通孔电感器构成的谐振电路这一技术特征未被公开。对比文件中的电介质层（如[0035]段的106,108）是用于隔离金属层的层间电介质（ILD），但其并非电容器的组成部分。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。 《直接公开》 | [0034]段：“high-resistance substrate 102 such as glass...”<br>[0036]段描述在玻璃基板中形成通孔的方法。<br>[0040]段明确提及“through-glass via (TGV)”。 | 对比文件明确且反复地公开了基板为玻璃，以及在其中形成的透玻通孔（Through-Glass Via， TGV）。这与目标专利的特征完全相同。因此被直接公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板 《隐含公开》 | [0034]段：“high-resistance substrate 102 such as glass or sapphire.”<br>[0046]段：“high-resistance substrate 402 made of glass, sapphire, or other high-resistance material.” | 对比文件明确公开了基板材料包括玻璃（glass）和蓝宝石（sapphire）。蓝宝石上硅（SOS）基板是蓝宝石基板的一种常见类型。此外，对比文件强调使用“高电阻率（high-resistance）”基板以避免损耗。本领域技术人员知晓，为了实现高电阻率、低损耗的特性，除了玻璃和蓝宝石，说明书中列举的其他材料（如石英、SOI、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN以及某些层叠/塑料基板）均是本领域常见的高电阻率或绝缘基板选择。在隐含公开的宽松标准下，可以合理推断对比文件公开的“高电阻率材料”涵盖了这些为实现相同目的（低损耗）而采用的常规替代材料。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者 《隐含公开》 | [0035]段：“The plurality of through-vias 114 is formed of conductive material such as copper...”<br>[0036]段：“conductive material such as copper is deposited in the via...”<br>[0039]段提及“alumina metal”也可用于填充。 | 对比文件明确公开了通孔由导电材料如铜（Cu）填充。铝（Al）虽然也被提及，但目标专利列举的金属（Cu, W, Ag, Au）是半导体和封装工艺中填充通孔最常用和标准的导电材料。本领域技术人员在知晓对比文件使用铜填充通孔的基础上，能够毫无困难地联想到使用其他常见导电金属如钨、银或金来填充通孔，以达到相同的导电和结构支撑目的。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。 《隐含公开》 | [0035]段：“frontside dielectric material 106 such as silicon dioxide.”<br>[0037]段：“The dielectric film can be silicon dioxide (Si02), silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (SiN), or other known dielectric material.” | 对比文件明确公开了二氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiON， 即SiOxNy的一种）和氮化硅（Si3N4）作为电介质材料。氧化铝（Al2O3）和氮化铝（AlN）是已知的高质量电介质材料，五氧化二钽（Ta2O5）是常见的高介电常数材料。在对比文件已公开使用多种已知电介质材料的基础上，本领域技术人员为实现绝缘或特定介电性能，完全可能并合理地从已知材料库中选择使用这些材料。因此，在宽松的隐含公开标准下，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。 《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件描述的通孔是用导电材料（如铜）填充的实心结构（参见[0035]-[0036]段），或提及使用氧化铝金属（[0039]段），但从未提及通孔内具有包含聚合物核的金属结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。 《未公开》 | 无相关描述。 | 该特征描述了电容器与通孔的垂直堆叠关系。由于对比文件未公开任何电容器结构，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。 《未公开》 | 无相关描述。 | 该特征描述了电容器、通孔和导电结构三者之间精确的空间位置关系。由于对比文件未公开电容器，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。 《未公开》 | 无相关描述。 | 该特征涉及通孔与电容器极板的位置关系。由于对比文件未公开电容器及其极板，该特征未被公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。 《未公开》 | 无相关描述。 | 该特征涉及通孔表面与电容器极板表面的相对大小。由于对比文件未公开电容器，该特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。 《未公开》 | 无相关描述。 | 同上，该特征未被公开。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。 《未公开》 | 无相关描述。 | 同上，该特征未被公开。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。 《未公开》 | 无相关描述。 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。由于对比文件未公开电容器，该特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。 《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件描述的所有通孔均为完全穿过基板的“through-vias”（参见[0036]段），并未公开部分延伸穿过基板并在基板内部结合的“盲通孔”结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。 《未公开》 | 无相关描述。 | 该特征再次强调了电容器与通孔的垂直集成关系。由于对比文件未公开电容器，该特征未被公开。 |
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