对比文件名称：US5815052A High-frequency composite components comprising first and second circuits connected in parallel for multi-frequency systems
目标专利名称：CN105009280B 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：包括：基板《直接公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：“The diplexer 61 includes a dielectric multilayer substrate 18a made from ceramics.” “...after conductive patterns 191 to 194 and ground electrode GND are made on the surfaces of the dielectric layers 181 to 184...”。 | 对比文件明确公开了介电多层基板18a，其由陶瓷制成（“dielectric multilayer substrate 18a made from ceramics”），并且其上制作有导电图案和接地电极。该基板构成了器件的主体结构，其作用是为电路元件（如移相器、电感器、电容器）提供支撑和集成平台。这与目标专利中基板（102）作为器件载体和结构支撑的作用相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，《直接公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：“Moreover, through holes 220 and 221 having a conductive pattern inside thereof and conductive patterns 224 and 225 are also formed...”。 “The through holes 220 and 221 and conductive patterns 224 and 225 are so designed that the inductance of the through holes 220 and 221, and the capacitance created by the conductive patterns 224 and 225 and the ground pattern GND constitute the inductors 23a and 23c and the capacitors 24a and 24c...”。 | 对比文件明确公开了通孔220和221，其内部具有导电图案。这些通孔穿过介电多层基板18a（见图4-5的层叠结构）。此外，说明书明确说明通孔220和221的电感与导电图案224、225和接地图案GND形成的电容共同构成了电感器23a、23c和电容器24a、24c。因此，通孔220和221是电感器（23a, 23c）的组成部分。该通孔在对比文件中用于构成电感器和连接电路，其“至少部分地穿过基板延伸并形成电感器的一部分”的作用与目标专利中通孔（104）作为电感器一部分的作用相同。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《未公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：“The strip line constituting the phase shifter 13a is formed by connecting the conductive pattern 191 to the conductive pattern 193 through a via hole 211...”。 “The conductive patterns in the through holes 220 and 221 are connected to ends of the conductive patterns 191 and 192, respectively.”。 | 对比文件确实公开了通孔（through holes 220, 221）、导电图案（如191, 192, 193, 194, 224, 225）以及连接不同层导电图案的过孔（via hole 211, 212）。然而，权利要求特征C限定了“多通孔电感器”包括“耦合至所述通孔和第二通孔”且“置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”。对比文件中的电感器（如23a）由通孔（220）和导电图案（224）等构成，但并未明确描述一个同时耦合到两个通孔（例如220和一个“第二通孔”）、且位于这两个通孔之间的基板上的单一导电结构。图4-5显示导电图案191、192、193、194、224、225等分布在不同层，通过过孔（211, 212）或通孔（220, 221）连接。特别是，构成电感器23a的部分包括通孔220和导电图案224，但导电图案224并未被描述为同时耦合到另一个“第二通孔”。说明书和附图未公开满足该特定连接和位置关系的“导电结构”。因此，技术特征C未被对比文件公开。 |
| D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，《未公开》 | 说明书第[2]段，图2，图4-5：“The trap circuit 19a includes, for example, an inductor 23a and capacitor 24a which are connected with each other in series.” “The through holes 220 and 221 and conductive patterns 224 and 225 are so designed that the inductance of the through holes 220 and 221, and the capacitance created by the conductive patterns 224 and 225 and the ground pattern GND constitute the inductors 23a and 23c and the capacitors 24a and 24c...”。 | 对比文件公开了电容器24a、24c。根据描述，电容器24a由导电图案224和接地图案GND之间的电容效应形成（“the capacitance created by the conductive patterns 224 and 225 and the ground pattern GND”）。电介质是介电层（dielectric layers 181-184）的材料。通孔220连接到导电图案224的一端（“The conductive patterns in the through holes 220...are connected to ends of the conductive patterns 191 and 192, respectively”），而导电图案191通过过孔211连接到导电图案193（构成移相器13a）。因此，电容器24a的一个“极板”是导电图案224，另一个“极板”是接地图案GND。电介质（介电层材料）位于导电图案224和接地图案GND之间，**而不是**位于通孔220与电容器极板（导电图案224）之间。通孔220是连接到电容器一个电极（导电图案224）的导体，其本身并非电容器的极板，且电介质并不位于通孔220与导电图案224之间。这与目标专利权利要求D明确限定的“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”的结构完全不同。在目标专利中，通孔（104）直接充当或紧密耦合为电容器的一个电极，电介质（106）直接位于通孔（104）与电容器的另一极板（108）之间。因此，技术特征D未被对比文件公开。 |
| E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《未公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：如上述对特征D的引用。导电图案224、225和接地图案GND形成于介电层181-184的表面或内部，这些介电层共同构成介电多层基板18a。因此，电容器的“极板”（即导电图案224、225和接地图案GND）是**集成在基板内部**的层状结构，并非位于基板之外。目标专利权利要求E明确限定“极板在所述基板以外”，结合说明书（例如[0010], [0033]段），“在基板以外”指极板在基板之上且不嵌入其中（例如，在ILD层中，在基板外部）。对比文件的结构不满足此限定。 | |
| F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《未公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：如前述，通孔220连接到导电图案191/224，导电图案224作为电容器24a的一个电极。然而，权利要求特征F限定了“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”，并且“第一导电结构”是特征C中“导电结构”的一部分。由于特征C的“导电结构”未被公开，且此处的连接关系依赖于该结构，因此特征F也未被公开。对比文件未描述一个被明确称为“第一导电结构”的元件，以及电容器通过所述通孔（如104）耦合至它的具体连接关系。 | |
| G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《未公开》 | 说明书第[2]段：对比文件公开了多个通孔（through holes 220, 221）和过孔（via holes 211, 212）。但权利要求特征G限定了“第二通孔”是“多通孔电感器”的进一步组成部分，并且该“第二通孔”与特征C中的“第二通孔”应为同一实体。由于特征C中“耦合至所述通孔和第二通孔”的限定未被公开，因此这个作为电感器一部分的、与特征C中“第二通孔”对应的“第二通孔”在对比文件中也没有明确对应。通孔220和221分别用于不同的陷波电路（19a和19c），并未被描述为共同构成一个单一“多通孔电感器”的两个部分。 | |
| H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《未公开》 | 说明书第[2]段：此特征进一步限定了“多通孔电感器”的构成，包括“第一导电结构”、“第二导电结构”、“通孔”和“第二通孔”，并描述了它们之间的连接关系（第一导电结构通过第二通孔耦合至第一导电结构？此处文本疑似有误，可能应为“第一导电结构通过第二通孔耦合至第二导电结构”或类似）。对比文件中没有公开如此具体命名和连接关系的元件组合。电感器23a、23c主要由通孔（220, 221）和导电图案（224, 225）等构成，但未明确区分出符合权利要求所述连接关系的“第一导电结构”和“第二导电结构”。 | |
| I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《未公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：对比文件的电容器极板（导电图案224, 225，接地图案GND）位于介电层（dielectric layers 181-184）之间，这些介电层可被视为层间介电层。然而，目标专利中的“层间电介质(ILD)层”特指用于将金属层与其他器件绝缘的层（参见[0035]段），其作用与对比文件中构成多层基板的普通介电层可能类似，但权利要求I是与特征E“极板在基板以外”结合解释的。更重要的是，对比文件公开了由电感器（23a）和电容器（24a）构成的谐振电路（陷波电路19a），即“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”。但是，由于特征D和E（电容器的具体结构）未被公开，因此包含该特定电容器的谐振电路也未被公开。 | |
| J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《未公开》 | 说明书第[2]段：“a dielectric multilayer substrate 18a made from ceramics.” | 对比文件明确记载基板材料是陶瓷（“ceramics”），而非目标专利权利要求J所限定的“玻璃型基板”或“透玻通孔”。因此，该技术特征未被公开。 |
| K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《未公开》 | 同上。 | 对比文件仅公开了陶瓷基板，未公开权利要求K所列举的任何一种具体基板材料。因此，该技术特征未被公开。 |
| L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《未公开》 | 说明书第[2]段：“through holes 220 and 221 having a conductive pattern inside thereof”。 | 对比文件仅说明通孔内部有导电图案（“conductive pattern inside”），这是一种金属化通孔。但并未具体公开填充的金属材料是铜、钨、银或金中的至少一种。本领域技术人员无法毫无疑义地确定其金属成分。因此，技术特征L未被直接公开。考虑到通孔金属化常用材料，有可能隐含铜等常见金属，但鉴于对比文件未提及任何具体金属，从严谨的专利审查角度看，不应认定为隐含公开。 |
| M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《未公开》 | 说明书第[2]段：“a dielectric multilayer substrate 18a made from ceramics.”。 | 对比文件仅说明基板是陶瓷介电多层基板，未公开电容器电介质的具体材料成分，更未公开权利要求M所列举的任何一种具体电介质材料。因此，该技术特征未被公开。 |
| N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》 | 说明书全文。 | 对比文件未提及通孔内具有聚合物核结构。图4-5显示通孔内部是导电图案，推测为实心或镀层金属填充。目标专利图3的具有聚合物核的金属结构是特定实施例。因此，该技术特征未被公开。 |
| O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《未公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：如图4-5所示，电容器24a由导电图案224和接地图案GND之间的电容形成。通孔220连接到导电图案224的一端。从剖面图看，导电图案224和介电层（电介质）与通孔220的顶端相邻或连接，但并非“垂直位于”通孔220的“面向电介质的表面”上。目标专利权利要求O描述了一种特定的三维堆叠关系，其中电容器的极板和电介质垂直位于通孔的表面之上（参见图1-6）。对比文件的结构是平面多层结构，电容器的极板（导电图案）与通孔在同一平面或相邻层横向连接，不具备这种垂直堆叠关系。 | |
| P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：对比文件未描述如此具体的空间位置关系。图4是多层基板的剖面图，显示了通孔220、221，导电图案191-194、224、225，以及接地层GND。没有明确区分基板的“第一表面”和“第二表面”，也没有描述“第一导电结构”以及权利要求P所述的特定正交轴相交关系。由于特征C中的“第一导电结构”未被公开，且该位置关系依赖于目标专利的特定三维结构（电容器在通孔正上方），因此该特征未被公开。 | |
| Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《未公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：对比文件中的通孔220、221沿基板厚度方向（可视为垂直于基板表面）延伸。然而，权利要求Q限定了“通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交”。这要求电容器极板在通孔的正上方投影区域内。在对比文件中，电容器极板（导电图案224）与通孔220的连接是侧向的（见图4-5的布局），通孔的垂直轴并不穿过电容器极板的主体区域（即导电图案224与接地图案GND形成电容的主要区域）。因此，该特定位置关系未被公开。 | |
| R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：对比文件未描述通孔的“面向电介质的表面”与电容器极板表面的相对大小关系。目标专利权利要求R是具体尺寸关系的限定，对比文件完全没有涉及。 | |
| S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》 | 同上。 | 对比文件未描述通孔的“面向电介质的表面”与电容器极板表面的相对大小关系。该特征未被公开。 |
| T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 同上。 | 对比文件未描述通孔的“面向电介质的表面”与电容器极板表面的相对大小关系。该特征未被公开。 |
| U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：对比文件中的电容器结构简单，由导电图案和接地层之间的介电层构成。未公开在通孔与电容器电介质之间还存在第二电介质层的结构（如目标专利图4所示）。 | |
| V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》 | 说明书第[2]段：对比文件未描述“通孔和第二通孔在基板内结合”的结构（如目标专利图6所示），也未描述包括三个通孔的多通孔电感器。通孔220和221是独立的。 | |
| W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《未公开》 | 说明书第[2]段，图4-5：如对特征O和Q的分析，对比文件中的电容器极板和电介质并非“垂直位于”通孔“之上”。通孔220、221延伸穿过基板，但电容器的有效区域（导电图案224/225与接地GND之间）与通孔是侧向相邻关系，并非垂直堆叠于通孔顶部。目标专利权利要求W描述的是其核心发明点之一，即电容器直接堆叠在通孔上方（参见图1-6）。该结构未被对比文件公开。 |
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