对比文件名称：JP2004087971A Multilayer wiring board and its manufacturing method
目标专利名称：CN105009280B 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器
模型名称：gpt-4-turbo
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**《直接公开》 | 【０００８】基板２【００３０】配線基板 | 对比文件明确公开了基板2（配線基板），是器件的一部分，用于支撑其他结构。该基板在对比文件中起到支撑和绝缘作用，与目标专利中基板的作用相同，都是作为电路的支撑基板。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了基板。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔**《隐含公开》 | 【０００９】スルーホールが設けられている【００１５】スルーホール３４Ａ，３４Ｂを形成する【００３０】フィルドビア（導電性物質が詰め込まれているスルーホール）５Ａ | 对比文件公开了通孔（スルーホール）和填充通孔（フィルドビア），例如图1中的填充通孔5A、5B、6A、6B。这些通孔至少部分地穿过绝缘层（例如有机绝缘树脂层14、18）延伸，并且电连接电容器和基板电极。然而，对比文件没有明确公开这些通孔是“形成多通孔电感器的一部分”。目标专利中通孔是电感器的一部分，用于形成LC谐振电路。对比文件中的通孔仅用于互连，没有提及它们构成电感器。尽管对比文件可能通过通孔和导电结构形成一定的电感，但并未描述或暗示这些通孔与第二通孔等共同构成一个明确的多通孔电感器。因此，技术特征B未被直接公开。但是，本领域技术人员知道，通孔本身具有寄生电感，多个通孔和连接导线可以形成电感结构。对比文件中的多个填充通孔（如5A、5B、6A、6B）和上層配線7连接，有可能构成一个电感性的路径。因此，有可能通过推理认为对比文件隐含了通孔可以成为电感器的一部分。但严格来说，对比文件没有明确将通孔作为电感器部件来描述，其目的仅是互连。因此，这里从宽松的隐含公开标准判断，认为有可能隐含公开。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构**《未公开》 | 【００３０】上層配線７【００４２】上層配線７ | 对比文件公开了上層配線7（导电结构），其连接填充通孔6A和6B。但是，对比文件没有明确公开“第二通孔”。技术特征C要求多通孔电感器包括通孔、第二通孔以及置于它们之间的基板上的导电结构。对比文件中的上層配線7连接的是两个通孔（6A和6B），但这两个通孔是否都是“至少部分地穿过基板延伸”并形成电感器的一部分并不明确。更重要的是，对比文件没有描述这些通孔和导电结构共同构成一个电感器（多通孔电感器）。因此，技术特征C未被直接公开。隐含公开判断：对比文件没有公开第二通孔，也没有公开这些通孔和导电结构构成电感器。即使通孔可能具有电感，但缺少明确的“第二通孔”以及将它们作为电感器部件的教导。因此，技术特征C未被隐含公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间**《直接公开》 | 【０００９】コンデンサ１は、二つの平板状電極４Ａ，４Ｂの間に誘電体３２を挟んだ構造【００３０】コンデンサ１が基板２の一方の電極３Ａの真上に位置していて、基板２の電極３Ａとコンデンサの下側の電極４Ａとがフィルドビア（導電性物質が詰め込まれているスルーホール）５Ａで接続され | 对比文件明确公开了电容器1，包括电极4A、4B和介电质32。电容器通过填充通孔5A连接到基板电极3A。在实施例1的图1中，电容器1的下侧电极4A通过填充通孔5A连接到基板电极3A。填充通孔5A是导电物质填充的通孔，其至少部分穿过绝缘层。电介质32位于电极4A和4B之间。但是，技术特征D要求“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”。在对比文件中，电介质32位于两个电极之间，而不是直接位于通孔和极板之间。然而，在实施例1的结构中，通孔5A直接连接到下侧电极4A，因此通孔5A与下侧电极4A之间是直接接触，没有电介质。目标专利中电介质位于通孔和电容器极板之间，可能包括通孔作为电容器的一个极板的情况（如图4、5）。对比文件中没有这样的配置。因此，技术特征D未被直接公开。隐含公开判断：对比文件没有公开电介质位于通孔和电容器极板之间。在对比文件中，通孔是连接到电容器的一个电极，而不是与电极之间具有电介质。因此，技术特征D未被隐含公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外**《直接公开》 | 【０００９】コンデンサ１は、二つの平板状電極４Ａ，４Ｂ【００３０】コンデンサ１が基板２の一方の電極３Ａの真上に位置 | 对比文件公开了电容器1的电极4A、4B，它们位于基板2之上（真上），即在基板以外（不在基板内部）。目标专利中极板在基板以外，指极板不在基板内部，而是在基板之上的层中。对比文件符合这一描述。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该特征被公开。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构**《隐含公开》 | 【００３０】上層配線７【００４２】上層配線７ | 对比文件公开了上層配線7作为导电结构。电容器通过通孔（例如6A）连接到上層配線7。但是，技术特征F要求“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”。在对比文件中，电容器1的上侧电极4B通过填充通孔6A连接到上層配線7。因此，电容器通过通孔（6A）耦合到导电结构（上層配線7）。然而，对比文件没有明确将上層配線7称为“第一导电结构”。但本领域技术人员可以理解上層配線7是导电结构。因此，技术特征F被隐含公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分**《未公开》 | 【００３０】フィルドビア５Ａ，５Ｂ，６Ａ，６Ｂ | 对比文件公开了多个填充通孔（5A、5B、6A、6B），它们至少部分地穿过绝缘层延伸。但是，技术特征G要求第二通孔是“多通孔电感器”的一部分。对比文件没有描述这些通孔构成电感器。因此，第二通孔作为电感器的一部分未被公开。隐含公开判断：即使存在多个通孔，但对比文件没有教导它们构成电感器。因此，技术特征G未被隐含公开。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构**《未公开》 | 【００３０】上層配線７、フィルドビア５Ａ，５Ｂ，６Ａ，６Ｂ | 对比文件公开了上層配線7（第一导电结构）和多个通孔。但是，技术特征H要求“第二导电结构”以及“第一导电结构通过第二通孔耦合至第一导电结构”（此处可能文字有误，应为“第一导电结构通过第二通孔耦合至第二导电结构”？）。目标专利中多通孔电感器包括通孔、第二通孔、第一导电结构和第二导电结构，形成电感路径。对比文件中，上層配線7连接两个通孔（6A和6B），但缺少明确的“第二导电结构”以及将这些元件明确作为电感器的描述。因此，技术特征H未被直接公开。隐含公开判断：对比文件没有公开第二导电结构，也没有公开这些元件构成电感器。因此，未被隐含公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器**《未公开》 | 【０００９】有機絶縁樹脂層【００３０】有機絶縁樹脂層１４，１８ | 对比文件公开了有机绝缘树脂层（例如14、18），其相当于层间电介质（ILD）层。电容器电极嵌入在这些绝缘层中。因此，“极板在层间电介质(ILD)层中”这一特征被直接公开。但是，技术特征I还要求“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”。对比文件没有提及谐振电路，也没有公开多通孔电感器。因此，谐振电路的特征未被公开。隐含公开判断：对比文件中的电容器和通孔可能形成LC电路，但并未明确描述为谐振电路。因此，技术特征I未被隐含公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔**《未公开》 | 对比文件未提及玻璃型基板或透玻通孔。基板2可以是LSI芯片（硅基板），基板8是硅晶圆。 | 对比文件没有公开玻璃型基板或透玻通孔（TGV）。目标专利中基板可以是玻璃型基板，通孔是透玻通孔。对比文件中基板是硅基板或有机绝缘基板，通孔是填充通孔，但不一定是透玻通孔。因此，技术特征J未被直接公开。隐含公开判断：对比文件没有提及玻璃基板或透玻通孔，也没有隐含。因此，未被隐含公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板**《未公开》 | 【０００８】基板２はＬＳＩチップである【００３２】基板８にシリコンウエーハを用い | 对比文件公开的基板2是LSI芯片（硅基板），基板8是硅晶圆。没有公开目标专利中列举的多种基板材料。因此，技术特征K未被直接公开。隐含公开判断：对比文件仅公开了硅基板，没有隐含其他材料。因此，未被隐含公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者**《隐含公开》 | 【００３５】導電性ペースト１６Ａ，１６Ｂ【００４１】導電性ペースト２０Ａ，２０Ｂ | 对比文件中的通孔是填充通孔（フィルドビア），填充材料是导电浆料（導電性ペースト）。导电浆料通常含有金属颗粒，例如银、铜等。但对比文件没有明确列出金属种类。本领域技术人员知道导电浆料可包含银、铜等金属。因此，技术特征L可能被隐含公开。但严格来说，对比文件没有明确金属种类。从宽松标准，认为隐含公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者**《未公开》 | 【０００９】誘電体３２には、チタン酸バリウムストロンチウムが用いられている【００３２】誘電体層１２としてチタン酸バリウムストロンチウム膜 | 对比文件公开的电介质是钛酸锶钡（BaSrTiO3），一种钙钛矿结构高介电材料。目标专利列举的材料是二氧化硅、氮化硅等常规电介质。对比文件的材料不在目标专利列举范围内。因此，技术特征M未被直接公开。隐含公开判断：对比文件没有公开目标专利列举的任何电介质材料，也没有隐含。因此，未被隐含公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核**《未公开》 | 对比文件未提及通孔内有聚合物核。通孔是填充导电浆料，可能为实心填充。 | 目标专利中通孔可具有金属结构和聚合物核（图3）。对比文件没有公开这样的结构。因此，技术特征N未被直接公开。隐含公开判断：对比文件没有提及聚合物核，未被隐含公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上**《隐含公开》 | 【００３０】コンデンサ１が基板２の一方の電極３Ａの真上に位置していて、基板２の電極３Ａとコンデンサの下側の電極４Ａとがフィルドビア５Ａで接続 | 在对比文件图1中，电容器1位于基板2上，填充通孔5A连接到下侧电极4A。通孔5A的顶面与电极4A接触。因此，电极4A垂直位于通孔5A的顶面上。电介质32位于电极4A和4B之间，因此电介质也垂直位于通孔5A的顶面上方。所以，技术特征O被隐含公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交**《未公开》 | 【００３０】コンデンサ１が基板２の一方の電極３Ａの真上に位置【００３０】上層配線７ | 对比文件中电容器位于基板2的上表面（第一表面）上。第一导电结构（上層配線7）位于电容器之上的绝缘层表面，不是位于基板的第二表面（背面）。目标专利中第一导电结构毗邻基板的第二表面（背面），例如图1中的第一传导结构140在基板背面。对比文件没有这样的结构。因此，技术特征P未被直接公开。隐含公开判断：对比文件没有公开基板背面的导电结构，未被隐含公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交**《隐含公开》 | 【００３０】フィルドビア５Ａで接続 | 对比文件中填充通孔5A沿垂直方向穿过绝缘层（有机绝缘树脂层14）延伸，连接到电容器下侧电极4A。通孔的轴与电极4A的区域相交（接触）。因此，技术特征Q被隐含公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面**《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与极板表面的相对大小。 | 目标专利中通孔表面可以大于极板表面（图2）。对比文件没有公开这种尺寸关系。因此，技术特征R未被直接公开。隐含公开判断：对比文件没有提及尺寸比较，未被隐含公开。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同**《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与极板表面的相对大小。 | 未被公开。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面**《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与极板表面的相对大小。 | 未被公开。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间**《未公开》 | 对比文件没有公开第二电介质。电容器只有一个电介质层32。 | 目标专利中可具有第二电介质（图4）。对比文件没有这样的结构。因此，技术特征U未被直接公开。隐含公开判断：未被隐含公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔**《未公开》 | 对比文件没有公开通孔在基板内结合，也没有公开第三通孔作为电感器一部分。 | 目标专利中通孔可以在基板内结合形成电感器（图6）。对比文件没有这样的结构。因此，技术特征V未被直接公开。隐含公开判断：未被隐含公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上**《隐含公开》 | 【００３０】フィルドビア５Ａで接続 | 对比文件中填充通孔5A延伸穿过绝缘层（有机绝缘树脂层14），电容器极板4A和电介质32垂直位于通孔5A的顶上。因此，技术特征W被隐含公开。 |
## 总结
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、E。隐含公开了技术特征B、F、L、O、Q、W。其余技术特征未被公开。
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