**对比文件名称**：JP2010123649A Stacked device
**目标专利名称**：CN105009280B 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述与公开性判断结果 | 对比文件原文引用（段落号或位置） | 公开性论述 |
| **A. 包括：基板** <br> **《直接公开》** | [2] “複数の誘電体シート層１、２、３、４を積層して構成された絶縁体５１” （由多个电介质片层1、2、3、4层叠构成的绝缘体51） | 对比文件公开了由多个电介质片层层叠构成的“绝缘体51”。在多层器件中，该绝缘体作为支撑和隔离其他导电结构的基底，其作用与目标专利中作为器件承载基础的“基板”相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **B. 至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，** <br> **《直接公开》** | [2] “第１ビア状インダクタ導体３１を備えた構成である”（具备第一via状电感导体31的结构）<br>“一方が第２容量電極層２２に接続されると共に誘電体シート層に対し略垂直に設けられた第２ビア状インダクタ導体３２”（其一端连接至第二电容电极层22，并且相对于电介质片层大致垂直地设置的第二via状电感导体32） | 对比文件明确公开了“第1ビア状インダクタ導体31”和“第2ビア状インダクタ導体32”。这些“ビア状インダクタ導体”（via状电感导体）垂直地穿过由电介质片层（即基板）构成的绝缘体，是谐振器（即电感电容谐振电路）中电感部分的关键构成，其作用与目标专利中“至少部分地穿过基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔”完全相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **C. 所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br> **《未公开》** | [2] “第２ビア状インダクタ導体３２の他方の端に接続されると共に誘電体シート層に略平行に配置されたインダクタパターン３３”（连接到第二via状电感导体32的另一端，并且大致平行于电介质片层配置的电感图案33） | 对比文件公开了“インダクタパターン33”（电感图案33），其连接至第二via导体32的另一端并平行于基板设置。然而，该电感图案33连接的是第二via导体32和侧面接地电极13/14，其作用是在谐振器中提供额外的电感，并调整与第一via导体31的互感。目标专利中的“导电结构”是“多通孔电感器”的一部分，用于将两个（或多个）通孔在基板表面之上电连接以形成完整的电感路径。对比文件的电感图案33虽然也是导电结构，但其连接对象（via导体和侧面电极）和电路功能（构成单个谐振器的部分电感并与另一via导体磁耦合）与目标专利中用于连接多个通孔以构成电感器的“导电结构”在结构和作用上均不相同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **D. 耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，** <br> **《未公开》** | [2] “第１容量電極層２１とグランド電極１２の間に静電容量が形成される”（在第一电容电极层21与接地电极12之间形成静电容量）<br>“第２容量電極層２２とグランド電極１１と約０．０１２ｍｍ離れて対向する”（第二电容电极层22与接地电极11以约0.012mm的间隔相对） | 对比文件公开了由“第1容量電極層21”与“グランド電極12”（接地电极）相对形成的电容器，以及由“第2容量電極層22”与“グランド電極11”相对形成的电容器。然而，这些电容器的“电介质”是位于两个平行板电极（电容电极层和接地电极）之间的电介质片层本身。目标专利的核心在于电容器的电介质是**专门位于通孔与电容器极板之间**，即通孔直接作为电容器的一个电极或通过极板与电介质相邻。对比文件中，电容电极层（相当于目标专利的极板）是与via导体（相当于通孔）的**端部连接**，电介质（电介质片层）位于电容电极层与另一个平行的接地电极之间，而不是位于via导体与电容电极层之间。两者结构原理和作用（形成电容的位置和方式）不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **E. 并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。** <br> **《未公开》** | [2] “誘電体シート層に略平行に配置された第１容量電極層２１”（大致平行于电介质片层配置的第一电容电极层21） | 对比文件中，“容量電極層”（电容电极层）是**嵌入**在由多个电介质片层层叠而成的“绝缘体”（即基板）内部或表面上的。说明书和附图均显示这些电极层是形成在电介质片层上，然后通过层压和烧结成为绝缘体的一部分。这属于“在基板内”或“与基板一体”的结构。目标专利明确要求“极板在所述基板以外”，意指极板是形成在基板之上、之外的一个独立层（如位于ILD层中），并非嵌入基板内部。因此，该技术特征未被公开。 |
| **F. 其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。** <br> **《未公开》** | [2] （未明确描述电容器通过via导体连接到如目标专利所述的“第一导电结构”） | 此特征依赖于特征C和D。由于对比文件既未公开目标专利定义的连接多个通孔的“导电结构”（特征C），也未公开电容器以“电介质位于通孔与极板之间”的方式耦合至通孔（特征D），因此该具体的连接关系（电容器通过通孔耦合至第一导电结构）也未被公开。 |
| **G. 其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br> **《直接公开》** | [2] “第２ビア状インダクタ導体３２”（第二via状电感导体32） | 对比文件明确公开了“第2ビア状インダクタ導体32”（第二via状电感导体），其同样垂直穿过电介质片层（基板），并作为第二谐振器62的电感组成部分。其作用与目标专利中“至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分”的第二通孔完全相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **H. 第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。** <br> **《未公开》** | [2] “インダクタパターン３３”（电感图案33） | 对比文件公开了“インダクタパターン33”这一导电结构。然而，如特征C所述，该结构的功能和连接关系与目标专利的“第一导电结构”不同。更重要的是，对比文件并未公开如目标专利权利要求中限定的、由“通孔、第二通孔、第一导电结构、第二导电结构”这四部分通过特定方式连接构成的完整“多通孔电感器”。对比文件中的两个via导体31、32分别属于两个独立的LC谐振器61、62，它们之间是磁耦合关系，并未通过导电结构电连接成一个连续的多通孔螺旋电感结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **I. 其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。** <br> **《未公开》** | [2] （未提及“层间电介质(ILD)层”） | 对比文件的整个结构是通过烧结多层陶瓷（LTCC）工艺一体形成的，电容电极层和接地电极是印刷在生瓷片上然后共烧而成的内置电极，不存在目标专利中在基板上方沉积的、用于隔离金属层的“层间电介质(ILD)层”概念。此外，对比文件的谐振器（如61、62）虽然也是由电感（via导体）和电容（电极层与接地电极）构成的LC谐振电路，但其具体结构（特别是电容器的构成）与目标专利不同，且未构成目标专利所定义的“多通孔电感器”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **J. 其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。** <br> **《未公开》** | [2] “低温焼結セラミック材料からなる複数の誘電体シート層”（由低温烧结陶瓷材料构成的多个电介质片层） | 对比文件明确其基板（绝缘体）材料是“低温烧结陶瓷材料”，这与目标专利明确限定的“玻璃型基板”及“透玻通孔(TGV)”在材料和工艺上属于完全不同的技术领域。陶瓷烧结工艺与玻璃基板加工工艺（如TGV）有本质区别。因此，该技术特征未被公开。 |
| **K. 其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br> **《未公开》** | [2] （未提及目标专利列举的任何一种特定基板材料） | 对比文件仅公开了“低温烧结陶瓷材料”作为基板材料，并未公开目标专利权利要求中列举的任何一种具体基板类型（如玻璃基板、石英基板、SOI等）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **L. 所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br> **《未公开》** | [2] “電極材料として銀を用いる”（使用银作为电极材料） | 对比文件提到电极材料使用银，并且via导体（ビア状インダクタ導体）作为电极的一部分，可能由银形成。但是，对比文件没有明确描述通孔是“金属填充型”，也未列举铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、金(Au)这些具体金属材料。本领域技术人员不能毫无疑义地确定其通孔一定是目标专利所述的金属填充型并包含所列金属。因此，该技术特征未被直接公开。考虑到电极材料为银，via导体可能由银形成，这可以被认为**隐含公开**了通孔可能包含银(Ag)这一种金属，但未公开“金属填充型”结构特征及其他金属选项。 |
| **M. 所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。** <br> **《未公开》** | [2] “低温焼結セラミック材料”（低温烧结陶瓷材料） | 对比文件公开的电介质材料是“低温烧结陶瓷”，这是一个宽泛的材料类别。目标专利明确限定了具体的电介质材料列表（如SiO2、Si3N4等），这些是半导体或薄膜工艺中常用的特定介质材料，与LTCC陶瓷材料在成分和制备工艺上不同。对比文件未公开列表中的任何一种具体材料。因此，该技术特征未被公开。 |
| **N. 其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。** <br> **《未公开》** | [2] （未提及通孔内部具有聚合物核的结构） | 对比文件完全没有提及通孔内部具有“聚合物核”的结构。其实施例中的via导体是实心导体（可能由银浆填充）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **O. 其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。** <br> **《未公开》** | [2] “第１容量電極層２１と、一方の端が前記第１容量電極層２１に接続されると共に誘電体シート層に対し略垂直に設けられた第１ビア状インダクタ導体３１”（第一电容电极层21、以及其一端连接到所述第一电容电极层21并且相对于电介质片层大致垂直设置的第一via状电感导体31） | 对比文件描述了via导体（31）的**一端连接**到电容电极层（21）。这是一种**侧面连接或端部连接**的关系。电容电极层（21）是平行于基板（电介质片层）设置的平面，而via导体（31）是垂直穿过基板的柱体。电容电极层并不位于via导体的**顶部**或**上方**，即不是“垂直位于”通孔的表面之上。目标专利的核心布局是电容器（包括其极板和电介质）堆叠在通孔的顶部（上方），形成垂直集成结构。对比文件的结构是平面连接，而非垂直堆叠。因此，该技术特征未被公开。 |
| **P. 其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。** <br> **《未公开》** | [2] （未揭示如此明确的三维空间位置关系） | 对比文件没有描述电容器、通孔和导电结构之间如此具体的空间位置关系（如电容器毗邻一个表面，导电结构毗邻相对表面，以及一条假想轴同时穿过这三者）。其电容电极层和电感图案都位于绝缘体内部的不同层中，结构布局不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **Q. 其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。** <br> **《未公开》** | [2] （如特征O所述，通孔与电容电极层是端部连接，并非垂直堆叠关系） | 此特征与特征O类似，强调通孔垂直延伸且其轴线与极板区域相交，即极板位于通孔正上方。对比文件中，via导体（通孔）垂直穿过基板，但其轴线是与电容电极层的**边缘**相交（连接点），而非与电容电极层的**区域**（即其平面主体部分）垂直投影相交。两者空间关系不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **R. 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。** <br> **《未公开》** | [2] （未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较关系） | 对比文件完全没有提及通孔的“面向电介质的表面”与电容器极板表面之间的尺寸大小关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **S. 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。** <br> **《未公开》** | [2] （未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较关系） | 同上（R），对比文件未提及尺寸关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **T. 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。** <br> **《未公开》** | [2] （未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较关系） | 同上（R），对比文件未提及尺寸关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **U. 其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。** <br> **《未公开》** | [2] （未描述在通孔与电容器电介质之间还存在第二电介质的多层结构） | 对比文件的电容器由电容电极层与接地电极之间的电介质片层构成，是单一介质层结构。没有公开在通孔（via导体）与电容器的（主要）电介质之间还存在“第二电介质”的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **V. 其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。** <br> **《未公开》** | [2] （未描述通孔在基板内部结合，也未提及第三通孔） | 对比文件中的via导体（31, 32）都是垂直贯穿多层电介质片层的（即完全穿过绝缘体厚度方向），并非“部分地延伸”。此外，对比文件没有描述两个via导体在基板内部“结合”，也没有提及构成电感器所需的“第三通孔”。其电感路径是通过via导体和表面/侧面的电感图案或接地电极实现的，而非通过多个在基板内连接的通孔。因此，该技术特征未被公开。 |
| **W. 其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。** <br> **《未公开》** | [2] （如特征O所述，结构是端部连接，而非垂直位于上方） | 此特征综合了通孔贯穿基板以及电容器垂直位于通孔上方的概念。对比文件虽然公开了via导体延伸穿过绝缘体（基板），但如特征O所述，其电容器的极板和电介质并非“垂直位于”通孔之上。因此，该技术特征未被公开。 |
### 直接公开判断结论
根据上述分析，对比文件 JP2010123649A 直接公开了目标专利权利要求中的以下技术特征：
- 特征A：基板。
- 特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔。
- 特征G：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分。
### 隐含公开判断结论
根据上述分析，对比文件 JP2010123649A 未隐含公开任何未被直接公开的技术特征。对于特征L，虽然提及电极材料为银，但未明确公开“金属填充型通孔”这一结构特征，因此不构成隐含公开。
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