对比文件名称：2002-04-02_US6366564B_发明授权_US06366564B1 Diplexer duplexer and two-channel mobile communications equipment
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：DeepSeek
特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括：基板<br>《直接公开》 | 说明书第[0003]段：“In FIG. 2, a conductive layer 13 is formed as a shield electrode on a low-dielectric layer 3 ... and then a high-dielectric layer 2c ... is laminated on the low-dielectric layer 3.” <br>说明书第[0003]段：“... low-dielectric layer 1d ... is provided. On top of this low-dielectric layer 1d, capacitor electrodes 7a and 7b are formed, followed by a laminated low-dielectric layer 1c ...” | 对比文件明确公开了构成器件的低介电层（low-dielectric layer）和高介电层（high-dielectric layer），这些层叠的介电层共同构成了器件的基板（substrate）。这与目标专利中“基板”的广义概念一致，即作为电路载体和支撑的结构层。本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”。 |
| **技术特征B：** 至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔<br>《直接公开》 | 说明书第[0003]段：“Via holes 14a and 14b are made in the low-dielectric layer 1b to create conductivity between the conductive layers, and silver paste is filled into the via holes 14a and 14b.” <br>说明书第[0003]段：“... the inductor electrode 4, inductor electrode 5 for matching circuit, capacitor electrode 6, capacitor electrodes 7a and 7b, conductive layer 8, and conductive layer 13.” | 对比文件公开了在低介电层（1b）中形成并填充了银浆的通孔（14a， 14b），这些通孔用于在导电层（如电感电极4、5）之间建立电连接。根据图4的等效电路图，由电感电极4、5等形成的电感器（105）是电路的一部分。因此，通孔（14a， 14b）至少部分地穿过基板（低介电层1b）延伸，并用于形成电感器的一部分。该特征被直接公开。 |
| **技术特征C：** 所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>《隐含公开》 | 说明书第[0003]段：“... the inductor electrode 4, inductor electrode 5 for matching circuit, capacitor electrode 6, capacitor electrodes 7a and 7b ... are connected through the via hole 14a to form the second inductor 105.” <br>说明书第[0003]段：“In the low-dielectric layer 16b, a via hole 25 is formed to create an electrical connection between the inductor electrodes 17 and 18.” | 对比文件公开了通过通孔（如14a）连接多个导电结构（如电感电极4、5和电容器电极6、7b）以形成电感器（如第二电感105）。虽然对比文件未明确使用“多通孔电感器”和“第二通孔”的术语，但其公开的电感器结构（例如，由通过通孔14a连接的电极4、5、6、7b形成）必然包含耦合至通孔并位于通孔之间的基板上的导电结构。本领域技术人员能够合理推断出，为实现所需的电感值和连接，电感器会包含多个导电元件和连接它们的通孔，即隐含公开了“多通孔电感器”及其包含耦合至通孔的导电结构的特征。 |
| **技术特征D：** 耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间<br>《未公开》 | 说明书第[0003]段：“... capacitor electrode 6 is formed ... The capacitor electrode 7b forms the third capacitor 104 between the conductive layer 8.” <br>说明书第[0003]段：“The capacitor electrode 11 for the matching circuit forms the fourth capacitor 106 by disposing it to face a part of the resonator electrode 12b.” | 对比文件公开了多个电容器（如101， 103， 104， 106），它们由设置在介电层上的电极（如6， 7a， 7b， 11）与另一导电层（如8）或电极（如12b）相对而形成。然而，对比文件完全没有描述任何电容器的电介质“位于通孔与电容器的极板之间”。在对比文件中，电容器电极和通孔是分别形成的结构，电容器并非以通孔作为一个极板或与通孔具有如目标专利所述的直接、紧密的叠层关系（电介质夹在通孔与极板之间）。该特定结构未被公开。 |
| **技术特征E：** 并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外<br>《隐含公开》 | 说明书第[0003]段：“On top of this low-dielectric layer 1d, capacitor electrodes 7a and 7b are formed ...” <br>说明书第[0003]段：“A capacitor electrode 11 is disposed on this high-dielectric layer 2b ...” | 对比文件公开的电容器电极（如7a， 7b， 11）是形成在基板（低介电层或高介电层）的“顶部（on top of）”或“之上（on）”。根据本领域的通常理解，形成在基板“上”的电极意味着其位于基板的主体材料之外，即不在基板材料内部。因此，本领域技术人员能够合理推断电容器的极板（电极）位于基板以外。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征F：** 其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构<br>《未公开》 | 说明书第[0003]段：“... the inductor electrode 5 for matching circuit, capacitor electrode 6, and capacitor electrode 7b are connected through the via hole 14a to form the second inductor 105.” | 对比文件虽然公开了电容器电极（6， 7b）通过通孔（14a）与电感电极（5）连接，从而共同形成电感器（105）。但这描述的是电容器电极作为电感器形成的一部分，而非一个独立的“电容器”通过通孔耦合至一个独立的“第一导电结构”。目标专利的特征F限定了电容器通过通孔耦合至多通孔电感器中的一个特定导电结构（第一导电结构），这种明确的层级和耦合关系在对比文件中并未被教导或暗示。 |
| **技术特征G：** 其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>《隐含公开》 | 说明书第[0003]段：“Via holes 14a and 14b are made in the low-dielectric layer 1b ...” <br>说明书第[0003]段：“... the inductor electrode 4, inductor electrode 5 ... are connected through the via hole 14a ...” | 对比文件公开了多个通孔（14a， 14b）穿过低介电层（基板）。由这些通孔连接的导电结构（如电极4， 5， 6， 7b）共同形成了电感器（如第二电感105）。因此，可以合理推断该电感器包含至少两个通孔（例如14a和14b，或者根据背景技术部分图10的via hole 25），每个通孔都至少部分延伸穿过基板并构成电感器不同部分（如连接点或路径）的一部分。特征G被隐含公开。 |
| **技术特征H：** 第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构<br>《隐含公开》 | 说明书第[0003]段：“... the inductor electrode 4, inductor electrode 5 for matching circuit, capacitor electrode 6, capacitor electrodes 7a and 7b ... are connected through the via hole 14a ...” | 对比文件公开了通过通孔（14a）连接多个导电结构（如电感电极4、5，电容器电极6、7b）以形成电感器。虽然未明确区分“第一”和“第二”导电结构，也未明确指定哪个通孔耦合哪两个结构，但根据电路连接的必然性，一个包含多个通孔的电感器必然包含通过不同通孔相互耦合的多个导电结构。本领域技术人员能够从公开的通过通孔互联的电极网络（如电极4、5、6、7b通过14a互联）中，合理推断出存在至少两个导电结构通过一个通孔（第二通孔）耦合，并且整个电感器由通孔、第二通孔及这些导电结构组成。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I：** 其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器<br>《隐含公开》 | 说明书第[0003]段：“The diplexer as configured above is equivalent to a circuit shown in FIG. 4.” <br>图4电路图显示了低通滤波器415（包含电感105、电容101、103、104）和带通滤波器416（包含谐振器417、418、电容106、111等）。整个电路构成一个双工器，其内部包含谐振电路。 <br>说明书第[0003]段：“... low-dielectric layer 1d ... capacitor electrodes 7a and 7b are formed, followed by a laminated low-dielectric layer 1c ...” | 首先，对比文件的层压结构中，低介电层（如1d， 1c）和高介电层（如2a， 2b）本身即起到隔离和支撑各导电层（电极）的作用，其功能等同于目标专利中的“层间电介质(ILD)层”。电容器电极（如7a， 7b）形成于这些介电层之间或之上，可认为“在层间电介质(ILD)层中”。其次，对比文件图4的电路明确显示了一个包含电感器（如105）和电容器（如101， 103， 104， 106等）的滤波电路，该滤波电路本质上是谐振电路的一种具体应用形式。因此，本领域技术人员能够合理推断出对比文件公开了包含电感器和电容器的谐振电路。特征I被隐含公开。 |
| **技术特征J：** 其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔<br>《未公开》 | 说明书第[0003]段：“... on a low-dielectric layer 3 mainly composed of SiO2—Al2O3—MO—La2O3—B2O3 glass ...” <br>说明书第[0003]段：“... high-dielectric layer 2c, composed of Bi2O3—CaO—Nb2O5 dielectric ceramic material ...” | 对比文件确实公开了低介电层包含玻璃成分（SiO2-Al2O3-MO-La2O3-B2O3 glass），但整个基板是陶瓷-玻璃复合材料层压结构，并非纯粹的“玻璃型基板”。更重要的是，对比文件通孔（via holes）形成于低介电陶瓷/玻璃复合层中，并未被描述为专门穿过玻璃基板的“透玻通孔(TGV)”。TGV是目标专利强调的特定技术。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K：** 其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>《未公开》 | 说明书第[0003]段：“... low-dielectric layer 3 mainly composed of SiO2—Al2O3—MO—La2O3—B2O3 glass ...” <br>说明书第[0003]段：“... high-dielectric layer 2c, composed of Bi2O3—CaO—Nb2O5 dielectric ceramic material ...” | 对比文件仅公开了其特定的低介电层材料（含玻璃的陶瓷复合材料）和高介电层陶瓷材料。并未公开目标专利权利要求K中列举的任一具体基板材料类型，如纯玻璃基板、石英基板、SOI、SOS、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠或塑料基板。该特征未被公开。 |
| **技术特征L：** 所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>《直接公开》 | 说明书第[0003]段：“... silver paste is filled into the via holes 14a and 14b.” | 对比文件明确公开了通孔（14a， 14b）用银浆（silver paste）填充。银（Ag）是目标专利权利要求L中列举的金属之一。因此，“金属填充型通孔”以及“金属包括...银(Ag)”的技术特征被直接公开。 |
| **技术特征M：** 所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者<br>《未公开》 | 说明书第[0003]段：“... low-dielectric layer 3 mainly composed of SiO2—Al2O3—MO—La2O3—B2O3 glass ...” <br>说明书第[0003]段：“... high-dielectric layer 2c, composed of Bi2O3—CaO—Nb2O5 dielectric ceramic material ...” | 对比文件公开了其低介电层和高介电层的具体陶瓷/玻璃材料组成，这些是复杂的复合材料体系（如SiO2—Al2O3—MO—La2O3—B2O3玻璃，或Bi2O3—CaO—Nb2O5陶瓷）。这些材料虽然含有SiO2、Al2O3等成分，但并非作为电容器的专用“电介质”材料被单独列出。目标专利特征M要求电介质是所列出的单一或特定化合物材料（如SiO2， Si3N4等），对比文件未公开电容器使用了这些特定材料作为电介质。 |
| **技术特征N：** 其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核<br>《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件仅公开了用银浆填充的通孔，未提及通孔内存在“金属结构”包含“聚合物核”这样的复合结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征O：** 其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上<br>《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件中的电容器结构与通孔是分离的，通过导线或平面电极连接。没有任何文字或图示表明电容器的极板和电介质以垂直堆叠的方式直接位于通孔的表面之上。目标专利该特征描述了三者之间精确的垂直空间位置关系，这在对比文件中完全没有依据。 |
| **技术特征P：** 其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交<br>《未公开》 | 无相关描述。 | 该特征限定了电容器、通孔、基板另一侧的导电结构三者之间非常具体和严格的空间几何关系（共轴）。对比文件的层压结构中，各元件分布在不同平面，没有描述这种穿过通孔轴线与电容器各层及背面导电结构精确相交的关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：** 其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交<br>《未公开》 | 无相关描述。 | 该特征同样要求通孔轴线与电容器极板区域相交的特定垂直空间关系。对比文件中未描述电容器极板与通孔之间存在这种垂直投影上的位置关联。该特征未被公开。 |
| **技术特征R：** 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面<br>《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征S：** 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同<br>《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征T：** 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面<br>《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征U：** 其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间<br>《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未描述电容器具有多层电介质，更未描述第二电介质位于通孔与（第一）电介质之间的结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征V：** 其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔<br>《未公开》 | 说明书第[0003]段：“Via holes 14a and 14b are made in the low-dielectric layer 1b ...” | 对比文件公开了在同一个介电层（1b）中制作多个通孔（14a， 14b），但并未描述这些通孔在基板“内结合”（即内部连接）。同时，也未描述电感器包含“至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔”。特征V的特定组合结构（内部结合的通孔对加上第三通孔）未被公开。 |
| **技术特征W：** 其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上<br>《未公开》 | 无相关描述。 | 该特征与特征O、P、Q类似，强调了通孔完全穿过基板以及电容器组件垂直位于通孔上方的结构。这是目标专利的核心空间结构特征。对比文件中没有任何内容公开或暗示这种结构。该特征未被公开。 |
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