**对比文件名称**：2010-11-17_JP4580619B_发明专利_JP4580619B2 Thermal actuator and method of operation of the three-layer
**目标专利名称**：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br>《直接公开》 | 【００２０】“超小型電子技術組み立て方法を用いて基板１０上及び基板１０内に形成される。” <br>【００２４】“基板10” | 对比文件明确公开了“基板１０”，该基板是用于承载和形成热致动器等微机电系统（MEMS）器件的基础结构。该基板在对比文件中起到了支撑器件、提供热沉和机械固定的作用，这与技术特征A中“基板”在目标专利中作为器件承载基础的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件直接公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** <br>《未被公开》 | 无 | 目标专利中的“通孔”特指用于电气连接、至少部分穿过基板延伸并构成电感器一部分的导电结构（如TGV）。对比文件全文涉及的是热致动器（如喷墨头），其结构描述聚焦于多层悬臂梁（偏向层、障壁层、复元层）和液体通道的制造。对比文件中没有公开任何“穿过基板延伸”的电气通孔结构，也未提及任何由通孔构成的电感器。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征限定了多通孔电感器的具体结构，包括连接通孔的导电结构。如特征B所述，对比文件未公开“通孔”及由通孔构成的“电感器”，自然也未公开用于连接这些通孔的“导电结构”。对比文件中出现的导电结构（如リード線42,44）是用于向加热电阻供电的导线，其作用与构成电感器的导电结构完全不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** <br>《未被公开》 | 无 | 目标专利的核心在于电容器直接集成在通孔之上，电介质位于两者之间。对比文件的技术主题是热致动器，其结构描述中不包含任何用于存储电荷的“电容器”元件。虽然对比文件提到了“障壁層23”等介电层，但这些层的作用是热隔离和电气绝缘，与作为电容器两极板间存储电荷介质的“电介质”在功能和作用上存在本质区别。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征是对电容器极板位置（在基板外）的限定，其成立的前提是特征D的“电容器”存在。由于对比文件未公开电容器，因此该位置限定特征也无从谈起。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征进一步限定了电容器与导电结构、通孔之间的连接关系。由于对比文件未公开“通孔”、“电容器”以及用于构成电感器的“第一导电结构”，因此该连接关系特征也未被公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征限定了电感器还包括第二通孔。如前述，对比文件未公开任何“通孔”，更未公开“第二通孔”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征进一步描述了多通孔电感器的复杂互连结构。对比文件未公开构成该结构的任何基本要素（通孔、第二通孔、作为电感器组成部分的导电结构），因此该特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征限定了极板位于ILD层中以及器件构成谐振电路。对比文件未公开“电容器”和“多通孔电感器”，因此也不可能公开由它们构成的“谐振电路”。对比文件中提到的介电层（如パシベーション層、障壁層）并非用于容纳电容器极板的“层间电介质(ILD)层”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔** <br>《未被公开》 | 【００４１】“使用される基板が単一の結晶シリコンである場合” | 目标专利明确基板为“玻璃型基板”，通孔为“透玻通孔(TGV)”。对比文件在【００４１】段提到基板可以是“単一の結晶シリコン”（单晶硅），属于半导体基板，并未提及玻璃型基板。此外，对比文件未公开任何“透玻通孔”结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征列举了基板材料的一系列具体选项。对比文件仅提及基板可以是单晶硅（【００４１】段），并未公开目标专利权利要求中列举的其他任何特定基板材料。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征限定了通孔的具体材料和填充方式。由于对比文件根本未公开“通孔”这一结构，因此关于其材料和填充方式的限定自然也未被公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者** <br>《未被公开》 | 【００３４】“障壁層２３の物質は…例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、又はそれら物質の多層化層板構造或いは同様のものであるかもしれない。” | 对比文件在【００３４】段公开了障壁层23的材料可以包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)，这些材料在列举上与目标专利特征M部分重叠。然而，在对比文件中，这些材料是用于构成“障壁层”，其作用是热隔离和可能作为绝缘层，其功能是管理热流和提供电气绝缘（【００２８】段）。而在目标专利中，这些材料是作为“电容器”的“电介质”，其功能是在两个极板间存储电荷。两者虽材料相同，但所属元件（障壁层 vs 电容器介质）和所起作用（热隔离/绝缘 vs 电荷存储）完全不同。因此，本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出将这些材料用作电容器电介质的技术方案。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征限定了通孔内部具有包含聚合物核的金属结构。对比文件未公开“通孔”，因此该关于通孔内部结构的限定也未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征描述了电容器与通孔在垂直方向上的集成关系，是目标专利实现低电阻、小尺寸的关键空间结构特征。对比文件既未公开“电容器”和“通孔”，更未公开两者之间的这种垂直堆叠关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征以几何关系进一步限定了电容器、通孔、导电结构与基板表面的三维空间位置关系。对比文件未公开构成该空间关系的基本元件（电容器、通孔、作为电感器部分的第一导电结构），因此该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征限定了通孔延伸方向与极板的位置关系。由于对比文件未公开“通孔”和电容器的“极板”，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征限定了通孔表面与电容器极板表面的尺寸关系。对比文件未公开“通孔”和“电容器的极板”，因此该尺寸关系特征未被公开。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同** <br>《未被公开》 | 无 | 同上，该尺寸关系特征未被公开。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面** <br>《未被公开》 | 无 | 同上，该尺寸关系特征未被公开。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征限定了电容器具有多层电介质。对比文件未公开“电容器”，因此关于其内部介质层结构的限定也未被公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征描述了更复杂的、包含多个在基板内结合的通孔的电感器结构。对比文件未公开任何“通孔”，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上** <br>《未被公开》 | 无 | 该特征与特征O类似，强调了电容器组件垂直位于穿过基板的通孔之上。对比文件未公开“通孔”和“电容器”，因此该特征未被公开。 |
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