对比文件名称：US2011095395A1_Description_20260318_1957
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板《直接公开》 | 第[0014]段：“a silicon substrate 36 may be seen.”； 第[0031]段：“Other starting substrates might also potentially be used, such as by way of example, glass or ceramic.” | 对比文件明确公开了器件包括基板，例如硅基板（silicon substrate），并示例性地提到其他可能的基板如玻璃（glass）或陶瓷（ceramic）。这与目标专利中“基板”的特征相同，被直接公开。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，《隐含公开》 | 第[0013]段：“The inductor is formed by the interconnection of vertical members 28 and horizontal members 30 and 32...”； 图2：显示垂直构件28和水平构件30、32形成线圈结构； 第[0015]段：“a layer of copper 50 is electroplated to fill the holes in the silicon substrate 36”； 第[0018]段：“vertical members 28... extending entirely through the upper silicon wafer (as thinned)”。 | 对比文件描述了由垂直构件（vertical members 28）和水平构件（30， 32）互连形成线圈结构（电感器）。垂直构件28是通过在硅基板中蚀刻孔洞并用铜填充形成的（第[0015]段），并且明确说明其“完全延伸穿过上硅晶圆”（第[0018]段），因此它们是至少部分穿过基板延伸的通孔。这些通孔（铜柱50/垂直构件28）是形成所描述的三维电感器（线圈）结构不可或缺的一部分。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《直接公开》 | 第[0013]段：“The inductor is formed by the interconnection of vertical members 28 and horizontal members 30 and 32...”； 图2：显示水平构件30、32连接垂直构件28； 第[0018]段：“interconnected at the bottom by the pattern of copper regions on the lower substrate.”； 第[0020]段：“copper horizontal members 30”。 | 对比文件明确描述了电感器结构包括水平导电构件（horizontal members 30， 32），这些构件设置在基板上（例如，下层晶圆76上的图案化铜区域，见第[0018]段），并将垂直通孔（vertical members 28）相互连接起来。如图2所示，水平构件30、32位于通孔（垂直构件28）之间并将它们耦合。这直接对应于“耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，《未公开》 | 第[0004]段：“Integrated circuits normally comprise not just a combination of active devices (transistors), but also the interconnection of the active devices with passive devices such as resistors, capacitors and inductors.”； 第[0034]段：“allowing the realization of one or more inductors along with other passive or active elements on the upper substrate”。 | 对比文件提到集成电路可以包含电容器（capacitors）作为无源器件，并且可以在上基板上实现电感器“连同其他无源或有源元件”。然而，对比文件完全没有描述任何具体的电容器结构，更没有描述如目标专利权利要求和说明书中核心发明点所述的电容器——其电介质位于通孔与电容器极板之间，且电容器“耦合至所述通孔”。目标专利的电容是直接构建在通孔之上以形成LC谐振电路并减少电阻，而对比文件中的电容器仅是可能存在的常规元件，其位置、结构和与通孔的连接关系均未定义。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《未公开》 | 无相应描述。 | 由于特征D（电容器的具体结构及其与通孔的耦合关系）未被公开，特征E所限定的电容器极板的位置（在基板以外）自然也未被公开。对比文件未提供任何关于电容器极板位置的信息。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件公开了“第一导电结构”（即水平构件30，见特征C），但未公开任何“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”。如特征D所述，电容器本身及其与通孔的连接关系均未公开，因此其通过通孔耦合至第一导电结构这一特定连接关系更无从谈起。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《隐含公开》 | 第[0013]段及图2：电感器由多个垂直构件（vertical members 28）和水平构件（30， 32）互连形成连续线圈。 | 对比文件图2显示的电感器线圈结构包含多个垂直构件（通孔）。第[0013]段描述这些垂直构件和水平构件互连形成连续线圈。因此，构成该线圈的多个通孔中，除了特征B中提及的那个“通孔”外，必然存在“第二通孔”作为电感器的一部分。这些通孔都至少部分延伸穿过基板（如特征B所述）。因此，本领域技术人员可以合理推断多通孔电感器包括第二通孔。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第二导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《隐含公开》 | 第[0013]段及图2：显示了由垂直构件（28）和水平构件（30， 32）互连形成的线圈； 第[0018]段：“interconnected at the bottom by the pattern of copper regions on the lower substrate.”； 第[0020]段：“copper horizontal members 30” 和 “copper members 78 form vias”。 | 对比文件图2清楚显示了电感器线圈结构，其包括多个垂直通孔（28）和多个水平导电结构（30， 32）。这些水平导电结构（例如，30和32）通过垂直通孔（28）相互连接。若将水平构件30视为“第一导电结构”，水平构件32可被视为“第二导电结构”。第一导电结构（30）通过一个通孔（28）与第二导电结构（32）耦合。整个电感器由通孔、第二通孔、第一和第二导电结构组成。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《未公开》 | 第[0004]段提到电容器是无源器件； 第[0034]段提到电感器可与其他无源元件（如电容）一起实现。 | 对比文件未描述任何电容器的具体结构，因此其极板是否在ILD层中无从得知。虽然对比文件提到电感器可与其他无源元件（如电容器）一起实现，但并未明确将这些元件组合形成“谐振电路”。目标专利明确其发明点在于将直接建在通孔上的电容器与多通孔电感器集成以形成高性能谐振电路。对比文件没有公开这种特定的电路组合。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《直接公开》 | 第[0031]段：“Other starting substrates might also potentially be used, such as by way of example, glass or ceramic.” | 对比文件明确将玻璃（glass）列为可能的基板材料示例。当基板为玻璃时，穿过玻璃基板的通孔即为透玻通孔（Through-Glass Via， TGV）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《直接公开》 | 第[0031]段：“Other starting substrates might also potentially be used, such as by way of example, glass or ceramic.” | 对比文件公开了玻璃（glass）和陶瓷（ceramic）作为基板材料的示例。目标专利权利要求K中列举的“玻璃基板”已被明确公开。虽然对比文件未列举权利要求K中的所有具体材料（如石英、SOI等），但“玻璃基板”这一具体选项已被对比文件直接公开。根据审查指南，当权利要求以“可选包括”或列举方式撰写时，只要对比文件公开了其中至少一个选项，即可认为该特征被公开。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《直接公开》 | 第[0015]段：“a layer of copper 50 is electroplated to fill the holes in the silicon substrate 36”。 | 对比文件明确描述了通孔（holes）用电镀铜（copper）填充。铜（Cu）是目标专利权利要求L中列举的金属选项之一。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件完全没有描述目标专利中位于通孔与电容器极板之间的“电介质”的任何具体材料。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件描述的通孔是用铜填充的（第[0015]段），并未提及通孔内存在包含聚合物核的金属结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《未公开》 | 无相应描述。 | 该特征描述了电容器极板和电介质在垂直方向上与通孔表面重叠的特定空间关系，这是目标专利实现电容器直接集成在通孔上以减少电阻的关键结构。对比文件未描述任何电容器的具体结构，更未描述其与通孔之间的这种垂直堆叠关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》 | 无相应描述。 | 该特征定义了电容器、通孔和第一导电结构之间非常具体的三维空间位置关系，旨在描述电容器位于基板一侧（如顶面）而导电结构位于另一侧（如底面），且通孔垂直贯穿连接它们。对比文件虽然描述了通孔垂直贯穿基板以及水平导电结构（如30）位于基板一侧（例如下层晶圆表面，见图32-33），但完全没有描述电容器的存在及其与这些结构的相对位置。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《未公开》 | 无相应描述。 | 该特征进一步限定了通孔延伸方向与电容器极板表面的垂直关系以及空间相交关系。同样，由于对比文件未公开电容器的极板，因此无法判断通孔轴是否与极板区域相交。该特征未被公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 无相应描述。 | 该特征限定了通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。对比文件未描述电容器的极板，因此无法比较其与通孔表面的相对大小。该特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》 | 无相应描述。 | 理由同特征R。该特征未被公开。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 无相应描述。 | 理由同特征R。该特征未被公开。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未公开》 | 无相应描述。 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。对比文件未描述任何电容器的具体结构，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件描述的通孔（垂直构件28）是贯穿整个基板厚度的（第[0018]段：“extending entirely through”），并未描述“部分地延伸穿过基板”并在基板内结合的“盲孔”结构。也未描述包括三个此类通孔的电感器具体构型。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《未公开》 | 无相应描述。 | 该特征综合了通孔贯穿基板以及电容器部件垂直位于通孔之上的结构。对比文件描述了通孔延伸穿过基板（特征B），但未描述电容器及其部件（极板、电介质），更未描述它们垂直位于通孔之上。因此，该特征未被公开。 |
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