对比文件名称：2003-09-11_TW552686B_发明专利_TW552686B 電子電路零件
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A：包括：基板** <br> **《直接公开》** | 参见图1，元件1为“玻璃基板”。说明书第[0040]段：“1．．．玻璃基板”。 | 对比文件明确公开了电子电路零件包含玻璃基板（1），该基板是构成器件的基础结构。本领域技术人员能毫无疑义地得出此技术特征。 |
| **特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** <br> **未公开** | 参见图6，元件20为“贯穿孔”。说明书第[0046]段：“在有機絕緣材2以及12的內部所構成的各元件，則是經由被填充在設在玻璃基板1內之貫穿孔20的導體部在電氣上被連接”。 | 对比文件公开了贯穿基板（1）的贯穿孔（20），其内填充有导体部（21），用于电气连接基板两侧的元件和配线。然而，该通孔在对比文件中仅作为互连结构，并未被描述或暗示为构成“多通孔电感器的一部分”。对比文件中的电感器（如元件4、14）是形成在基板表面上的平面螺旋型结构，与通孔是分离的独立元件。因此，本领域技术人员无法从对比文件中得出该通孔是“多通孔电感器的一部分”的技术方案。 |
| **特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br> **未公开** | 说明书第[0046]段描述了通过贯穿孔（20）内的导体部连接两侧元件和金属配线。电感器元件（如4、14）为平面螺旋型，参见图1、2、3等。 | 对比文件未公开由通孔、第二通孔及置于其间的基板上的导电结构所构成的多通孔电感器。对比文件中的电感器是独立的平面线圈（如4、14），其与通孔（20）的关系是通过金属配线进行电气连接，而非构成一个以通孔作为组成部分的立体电感结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** <br> **未公开** | 参见图1，电容器元件3由下部电极3a、介电体材料3b、上部电极3c构成。说明书第[0039]段：“電容器元件3全部是由下部電極3a、介電體材料3b、上部電極3c所構成的3層構造。” | 对比文件公开了电容器（3），其具有介电体材料（3b）位于下部电极（3a）与上部电极（3c）之间。然而，该电容器的下部电极（3a）形成在基板（1）的表面上，而非与“通孔”直接耦合。电容器与通孔（20）是各自独立的结构，它们之间需要通过额外的金属配线进行连接（如说明书第[0046]段所述）。目标专利的核心在于电介质位于“通孔”与“电容器的极板”之间，即电容器直接在通孔上形成。对比文件未公开这种结构关系。 |
| **特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外** <br> **未公开（需结合特征D整体考虑）** | 参见图1，电容器元件3的上部电极3c位于基板1之上、有機絕緣材2之内。 | 单就“极板在基板以外”这一位置关系而言，对比文件中电容器的上部电极（3c）确实位于基板（1）的表面之外。但是，该特征是作为特征D所定义的特定电容器结构的一部分。由于特征D定义的“电容器耦合至通孔且电介质位于通孔与极板之间”这一整体结构未被对比文件公开，因此单独讨论此位置关系已脱离目标专利的技术方案上下文。从整体技术方案判断，此特征未被公开。 |
| **特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构** <br> **未公开** | 说明书未描述“第一导电结构”。电容器与通孔之间通过金属配线连接，如第[0046]段所述。 | 该特征依赖于“多通孔电感器”及其“第一导电结构”的存在，而对比文件中未公开多通孔电感器结构。此外，对比文件中的电容器并非“通过所述通孔耦合至”某个特定的第一导电结构。因此，该特征未被公开。 |
| **特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br> **未公开** | 对比文件中未描述作为电感器组成部分的“第二通孔”。 | 对比文件未公开任何作为电感器组成部分的通孔，因此更不存在“第二通孔”以及其“形成多通孔电感器的第二部分”的技术内容。该特征未被公开。 |
| **特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构** <br> **未公开** | 对比文件中未描述构成多通孔电感器的通孔序列和导电结构。 | 该特征详细定义了多通孔电感器的具体构成，包括多个通孔和导电结构及其连接关系。对比文件完全没有涉及此类结构，因此该特征未被公开。 |
| **特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器** <br> **未公开** | 参见图1，电容器和电感器被有機絕緣材（2）覆盖或包围。说明书提及LC滤波器电路（图5）。 | 对比文件中，电容器和电感器等元件被“有機絕緣材”（2）覆盖，该绝缘材可视为类似ILD层的作用。同时，对比文件确实公开了由电感器和电容器构成的LC电路（如实施倒7的滤波器）。然而，特征I的前提是谐振电路包括“所述多通孔电感器和所述电容器”。由于对比文件未公开“多通孔电感器”，且其电容器结构（特征D）也未被公开，因此由这两者构成的谐振电路自然未被公开。该特征整体未被公开。 |
| **特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔** <br> **《直接公开》** | 说明书多处提及“玻璃基板”（1）。第[0046]段提及“貫穿孔”。从制造方法可知，该孔贯穿玻璃基板。 | 对比文件明确使用“玻璃基板”（1），并且开设有贯穿基板的“贯穿孔”（20），该孔在玻璃基板中形成，其本质就是透玻通孔（TGV）。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出此技术特征。 |
| **特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br> **未公开** | 说明书具体实施方式中均使用“玻璃基板”。背景技术部分提及了其他基板材料（如树脂、陶瓷、硅）的缺点，但未将其作为本发明基板的实施例。 | 对比文件仅明确公开了“玻璃基板”这一种具体基板材料。虽然背景技术提到了其他材料，但那是用于描述现有技术及其问题，并非作为本发明采用的基板。权利要求K列举了众多具体的基板材料选项，对比文件仅公开了其中一种（玻璃基板），但并未公开或暗示该列表中的其他任何材料可以用于本发明。因此，该特征所限定的基板材料范围未被对比文件公开。 |
| **特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br> **《直接公开》** | 说明书第[0046]段：“經由被填充在設在玻璃基板1內之貫穿孔20的導體部”。制造方法部分（如实施倒5）描述了通过电镀铜形成孔内部的导通层。 | 对比文件明确公开了贯穿孔（20）内部填充有“導體部”（21），即金属填充。在具体制造方法中，采用了电镀铜（Cu）来形成该导体部。因此，对比文件直接公开了通孔为金属填充，且金属包括铜（Cu）。本领域技术人员能毫无疑义地得出此技术特征。 |
| **特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者** <br> **《直接公开》** | 说明书第[0039]段：“介電體材料3b由Ta的氧化物所構成”。具体实施方式中多次使用“Ta2O5”（五氧化二钽）。 | 对比文件明确且反复地公开了电容器介电体材料使用“Ta的氧化物”，具体为“Ta2O5”（五氧化二钽）。这属于特征M所列材料中的一种。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核** <br> **未公开** | 对比文件描述通孔内为“導體部”（21），由导电材料（如铜）填充。未提及聚合物核。 | 对比文件公开的通孔是金属填充的（参见特征L），并未描述或暗示在金属内部存在聚合物核的结构。目标专利中具有聚合物核的金属结构是作为一种特定的通孔实施例（图3）。该特征未被对比文件公开。 |
| **特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上** <br> **未公开** | 对比文件中，电容器（3）形成在基板（1）的表面上，而通孔（20）是独立的互连结构。两者在空间上没有垂直方向的重叠关系。 | 该特征限定了电容器组件（极板和电介质）在垂直方向上与通孔的特定表面区域对齐或重叠。这是目标专利中“电容器在通孔上形成”这一核心构思的空间表现。对比文件中的电容器和通孔是平面布局上分离的独立结构，电容器建在基板表面，通孔贯穿基板，不存在电容器组件垂直位于通孔表面之上的关系。因此，该特征未被公开。 |
| **特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交** <br> **未公开** | 对比文件中，电容器位于基板一侧，通孔连接两侧的电路。但不存在作为多通孔电感器一部分的“第一导电结构”，且电容器不位于通孔正上方。 | 该特征描述了电容器、通孔和第一导电结构三者之间精确的空间位置关系，其前提是存在“第一导电结构”且电容器直接位于通孔上。对比文件既未公开“第一导电结构”（多通孔电感器的一部分），也未公开电容器直接位于通孔之上的结构（特征D、O）。因此，该特征所定义的特定空间关系未被公开。 |
| **特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交** <br> **未公开** | 同特征O论述。对比文件中通孔垂直于基板表面，但电容器的极板表面大致平行于基板表面，且两者在垂直投影上无重叠。 | 该特征与特征O类似，强调通孔的垂直轴线与电容器极板区域相交。这同样是“电容器在通孔上形成”的直接几何表现。对比文件中不存在这种关系，因此该特征未被公开。 |
| **特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面** <br> **未公开** | 对比文件中不存在“通孔的面向电介质的表面”与“电容器的极板的表面”之间的比较关系，因为电容器不位于通孔上。 | 该组特征（R、S、T）描述了通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系，其存在的前提是电容器直接形成在通孔上，从而两者存在面向关系。对比文件未公开这种基础结构，因此无从比较大小。该特征未被公开。 |
| **特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同** <br> **未公开** | 同上。 | 同上。该特征未被公开。 |
| **特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面** <br> **未公开** | 同上。 | 同上。该特征未被公开。 |
| **特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间** <br> **未公开** | 对比文件中的电容器仅有一层介电体材料（3b）。未提及在通孔与介电体之间还有第二电介质。 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构，且该结构位于通孔之上。对比文件未公开电容器与通孔的直接集成，更未公开这种具有额外电介质层的特定电容器结构。因此，该特征未被公开。 |
| **特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔** <br> **未公开** | 对比文件未描述多个通孔在基板内结合以构成电感器的结构。 | 该特征描述了多通孔电感器的一种复杂变体，涉及盲孔（部分延伸）及其在基板内的结合。对比文件完全没有公开任何形式的、由通孔构成电感器的技术内容，因此该特征未被公开。 |
| **特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上** <br> **未公开** | 同特征O、Q论述。对比文件公开了通孔延伸穿过基板，但电容器组件不垂直位于其上。 | 该特征是对目标专利核心结构的总结性描述：通孔贯穿基板，且电容器组件垂直位于该通孔之上。对比文件仅满足了前半句（通孔贯穿基板），但完全未公开后半句的关键结构。因此，该技术特征整体未被公开。 |
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