**对比文件名称：** 2009-03-03_US7498918B_发明授权_US07498918B2 Inductor structure
**目标专利名称：** 349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**本次调用的模型名称：** 深度分析与特征比对模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A：包括：基板** <br>**《直接公开》** | 说明书第[0029]段：<br>“The three-dimensional inductor structure according to the present invention may be disposed on the substrate, such as a semiconductor substrate or silicon substrate...” | 对比文件明确记载了其三维电感器结构可以设置（disposed on）在基板（substrate）上，例如半导体基板或硅基板。这属于本领域技术人员能够毫无疑义地理解的技术内容，即器件包括一个基板作为支撑结构。因此，特征A被对比文件直接公开。 |
| **特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** <br>**《未公开》** | 说明书第[0020]段：<br>“...The third conductive section 36 is formed by connecting a via plug in each insulation layer between the first and the ninth insulation layers...”<br>说明书第[0022]段：<br>“The seventh conductive section is formed by connecting a via plug in each insulation layer between the second and the eighth insulation layers...”<br>说明书第[0029]段：<br>“...manufactured by semiconductor manufacturing processes, such as deposition, etching, ... metal via plug process.” | 对比文件多次提及“via plug”（通孔塞/通孔），并描述了其形成于绝缘层（insulation layers）之间，用于连接不同层级的导电段（conductive sections）。然而，对比文件中的通孔（via plug）是形成在基板之上的多层绝缘层结构内的垂直互连结构，用于构建三维螺旋线圈。说明书并未描述任何通孔“穿过基板延伸”。本领域技术人员根据对比文件的整体描述，无法毫无疑义地得出或合理推断出存在一个“至少部分地穿过基板延伸”的通孔。目标专利中的“通孔”（如TGV）是贯穿基板本身的导电结构，这与对比文件中位于绝缘层内的“via plug”在结构位置和作用上存在根本区别。因此，特征B未被公开。 |
| **特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br>**《未公开》** | 说明书第[0020]段：<br>“The first conductive section 32 is disposed on the ninth layer, being the top layer, of the nine insulation layers. The second conductive section is disposed in the first layer, being the bottom layer, of the nine insulation layers...”<br>说明书第[0022]段：<br>“The fifth conductive section 42 is disposed in the eighth layer... The sixth conductive section 44 is disposed in the second layer...” | 对比文件描述了由导电段（如第一、第二、第五、第六导电段）和通孔塞（via plugs，即第三、第四、第七、第八导电段）构成螺旋线圈电感器。这些导电结构（conductive sections）通过通孔塞（via plugs）相互连接，并“置于”（disposed on/in）不同的“绝缘层”（insulation layers）上或中。对比文件并未提及任何“置于基板上”的导电结构。所有导电结构均位于基板之上的多层绝缘层结构内部。因此，特征C中“置于所述基板上的导电结构”这一限定未被对比文件公开。此外，由于特征B（特定通孔）未被公开，特征C中“耦合至所述通孔和第二通孔”的关联关系也无从谈起。 |
| **特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器或电容结构） | 对比文件US7498918B的发明主题是“电感器结构”（Inductor structure），其说明书全文均围绕如何集成多个三维螺旋线圈电感进行阐述，未提及任何电容器（capacitor）结构，更未描述电容器与通孔的耦合关系，以及电介质位于通孔与电容器极板之间的特定配置。这是目标专利的核心发明点，旨在通过将电容器直接集成在通孔上来降低电阻和功耗。该特征在对比文件中既无文字记载，也无法从已公开的内容中合理推断或组合得出。因此，特征D未被公开。 |
| **特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器或电容结构） | 由于对比文件未公开任何电容器结构（特征D），因此电容器的极板及其位置（在基板以外）自然也未被公开。 |
| **特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器或电容结构） | 此特征进一步限定了电容器通过通孔耦合至第一导电结构。由于对比文件未公开电容器（特征D）以及目标专利中定义的特定“通孔”（特征B），该耦合关系无从谈起。 |
| **特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br>**《未公开》** | 说明书第[0020]、[0022]段等描述了多个via plugs。 | 对比文件确实描述了多个通孔塞（via plugs），如用于连接不同层导电段的第三、第四、第七、第八导电段。然而，如特征B所述，这些via plugs是位于绝缘层内的互连结构，并非“至少部分地延伸穿过所述基板”。因此，特征G中关于通孔“延伸穿过基板”的核心限定未被公开。 |
| **特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构** <br>**《未公开》** | 说明书第[0020]段：<br>“...The fourth conductive section 38 ... connects the second end 37 of the second conductive section 34 and the second end 39 of the first conductive section 32 of an adjacent another turn.” | 对比文件描述了通过通孔塞（如第四导电段38）连接相邻线圈匝的导电段（如第二导电段34和第一导电段32），这可以理解为一种导电结构通过通孔连接到另一导电结构。然而，此处的“通孔”（via plug）和“导电结构”（conductive section）均位于绝缘层内，且不涉及“穿过基板”。更重要的是，特征H是依附于特征F和G的进一步限定，由于特征F（电容器耦合）和特征G（穿过基板的第二通孔）均未被公开，且特征H旨在描述构成多通孔电感器的具体元件组合，该组合在对比文件中不存在。因此，特征H未被公开。 |
| **特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器、极板、ILD层或谐振电路） | 对比文件未公开电容器及其极板，也未提及ILD层（其使用的是“insulation layer”）。同时，对比文件仅涉及电感器结构本身，未提及由该电感器与电容器构成的谐振电路。因此，特征I未被公开。 |
| **特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔** <br>**《未公开》** | 说明书第[0029]段：<br>“...substrate, such as a semiconductor substrate or silicon substrate...” | 对比文件仅示例性公开了半导体基板或硅基板，并未提及玻璃型基板（glass-type substrate）或透玻通孔（TGV）。玻璃基板和TGV是目标专利中用于实现低损耗通孔结构的特定技术选择。因此，特征J未被公开。 |
| **特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br>**《未公开》** | 说明书第[0029]段：<br>“...substrate, such as a semiconductor substrate or silicon substrate...” | 对比文件仅泛泛提及“半导体基板或硅基板”，并未公开特征K中列举的玻璃基板、石英基板、SOI、SOS、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠或塑料基板等具体材料。这些是目标专利中列举的特定低损耗基板选项。因此，特征K未被公开。 |
| **特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br>**《未公开》** | 说明书第[0029]段：<br>“The conductive sections and via plugs may comprise electrically conductive material, such as metal. The metal may be for example copper or copper-aluminum alloy.” | 对比文件公开了通孔塞（via plugs）可以由导电材料如金属制成，并示例了铜或铜铝合金。这属于部分公开了特征L中“金属填充”以及金属可选“铜”的概念。但是，特征L是依附于特征B的进一步限定，其前提是“所述通孔”（即至少部分穿过基板延伸的通孔）。由于特征B（该特定结构的通孔）未被公开，因此特征L所限定的“所述通孔”的填充材料也就失去了依附的主体。从对比文件公开的“via plugs”无法直接且毫无疑义地推导出目标专利中“穿过基板的通孔”的填充材料。因此，特征L未被公开。 |
| **特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器电介质） | 对比文件未公开电容器，因此电容器的电介质材料自然也未被公开。虽然对比文件第[0029]段提到了绝缘层材料如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)等，但这些是用于层间隔离的绝缘材料，并非目标专利中特指位于“通孔与电容器极板之间”的电容电介质。两者作用不同。因此，特征M未被公开。 |
| **特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及通孔具有聚合物核） | 对比文件描述了金属填充的通孔塞（via plugs），但未提及任何通孔内包含聚合物核的结构。目标专利中具有聚合物核的金属结构通孔是其一个特定实施例（见图3），用于提供结构性支承和降低成本。该特征未被对比文件公开。 |
| **特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器及其与通孔的垂直堆叠关系） | 此特征描述了电容器极板和电介质在垂直方向上位于通孔表面之上的特定空间关系，这是目标专利实现低电阻集成的关键结构。对比文件未公开任何电容器，因此这种垂直堆叠关系无从谈起。 |
| **特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器，也未描述此类复杂的空间位置关系） | 此特征涉及电容器、通孔、基板表面以及第一导电结构之间精确的三维空间位置关系。对比文件未公开电容器，且其描述的导电结构（金属线）和通孔塞均位于绝缘层内，与基板表面的关系不同于目标专利的描述。因此，该特征未被公开。 |
| **特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器极板，也未描述通孔垂直于极板表面并延伸穿过基板） | 此特征进一步限定了通孔延伸方向与电容器极板表面的垂直关系以及轴向相交关系。由于对比文件未公开电容器及其极板，且其通孔塞（via plugs）并非“穿过基板”，该特征未被公开。 |
| **特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器，因此不存在通孔表面与极板表面的面积比较） | 该特征比较了通孔表面与电容器极板表面的相对大小。由于对比文件未公开电容器，该比较关系不存在。 |
| **特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器，因此不存在通孔表面与极板表面的面积比较） | 同上，该特征未被公开。 |
| **特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器，因此不存在通孔表面与极板表面的面积比较） | 同上，该特征未被公开。 |
| **特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器，因此不存在第二电介质） | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。由于对比文件未公开电容器，该特征未被公开。 |
| **特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔** <br>**《未公开》** | 说明书第[0020]、[0022]段等描述了多个via plugs相互连接形成线圈。 | 对比文件描述了多个通孔塞（via plugs）相互连接形成导电通路（如第三、第四、第七、第八导电段）。然而，这些via plugs是在绝缘层中形成并连接不同层金属线的垂直互连，并非“部分地延伸穿过所述基板”或在“基板内结合”。目标专利中通孔在基板内结合的结构是其另一个特定实施例（见图6）。该特征在对比文件中未被公开。 |
| **特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上** <br>**《未公开》** | （对比文件全文未提及电容器，且其via plugs不延伸穿过基板） | 此特征综合了通孔穿过基板以及电容器垂直集成于其上的结构。对比文件既未公开“穿过基板的通孔”，也未公开“电容器”。因此，该特征未被公开。 |
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