对比文件的名称：2013-01-29_US8362591B_发明授权_US08362591B2 Integrated circuits and methods of forming the same
目标专利的名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板《直接公开》 | [0022] The substrate 330 may be a semiconductor wafer. ... The substrate 330 may include silicon. ... The substrate 330 may include another elementary semiconductor such as, for example, germanium. The substrate 330 may also include a compound semiconductor such as, for example, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide or indium phosphide. | 对比文件明确公开了其电路包括一个衬底（substrate），例如半导体晶圆，材料包括硅、锗、碳化硅、砷化镓等。这与目标专利权利要求中的“基板”部件相对应，且都是器件的基础支撑结构。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| 技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，《未公开》 | [0022] Substrate 330 includes an opening 322. The opening 322 may extend through the first surface 332 and the second surface 334 of the substrate 330. ... The three-dimensional integrated circuit 300 may include a conductive material substantially filling the opening 322 to form a conductive through-substrate-via (TSV) 328. | 对比文件确实公开了完全穿透衬底330的导电TSV 328。然而，目标专利的该特征明确限定了该通孔是“形成多通孔电感器的一部分”。对比文件中的TSV 328（例如在图3中）主要功能是作为连接通路，将前表面的有源电路320连接到背表面的电感器302，其本身并未被描述为构成一个“多通孔电感器”的组成部分。对比文件的电感器302是位于衬底背表面的平面线圈（第[0027]段），并非由包括该TSV在内的多个通孔串联构成。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《未公开》 | 未找到对应内容。对比文件图3及对应描述中，电感器302是位于衬底第二表面334上的平面线圈，通过TSV 328与有源电路320连接。未提及由“通孔”、“第二通孔”以及置于它们之间“基板上的导电结构”串联构成的多通孔电感器。 | 对比文件完全没有公开“多通孔电感器”这一结构。其电感器是传统的平面螺旋电感（第[0027]段），而非由多个通孔和表面导电结构串联形成的三维电感。因此，技术特征C未被对比文件公开。 |
| 技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，《隐含公开》 | [0030] The varactor 400 includes a substrate 430. ... Substrate 430 includes an opening 422 ... The varactor 400 may include a dielectric layer 440 (640) disposed on a side surface of the opening 422 (622). ... The varactor 400 includes a conductive material substantially filling the opening 422 (622) to form a conductive through-substrate-via (TSV) (428). ... The varactor 400 may include the heavily doped impurity implanted region 450 (650) surrounding the opening 422 (622). [0033] In some embodiments, one conductor of the varactor 400 may include the TSV 428 (628). ... A P-N junction is formed between the implanted region 450 (650) and the substrate 430... | 对比文件图4及对应文字详细描述了一种变容二极管（varactor）400/600的结构。该结构包括：填充导电材料的TSV 428（作为第一导体/极板）、位于TSV侧壁上的电介质层440、以及包围TSV和电介质层的杂质注入区450（作为第二导体/极板）。这实质上构成了一个电容器（具体为电压可变电容器），其电介质440位于通孔（TSV 428）与一个极板（杂质注入区450）之间。虽然该极板是嵌入在衬底内的掺杂区，而非目标专利附图1-3中所示的在衬底上方的独立金属板，但其作为电容器一个极板的功能是相同的。因此，本领域技术人员能够从对比文件毫无疑义地得出“耦合至通孔的电容器，其中电介质位于通孔与电容器极板之间”的技术方案。该特征被隐含公开。 |
| 技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《未公开》 | [0030] The varactor 400 may include the heavily doped impurity implanted region 450 (650) surrounding the opening 422 (622). | 在对比文件公开的变容二极管400中，电容器的一个极板是TSV 428本身（在基板内），另一个极板是杂质注入区域450（650），该区域同样是形成在基板430内部的掺杂区域（参见[0030]段）。两个极板均位于基板材料内部或穿过基板，而非目标专利说明书[0010]段及图1-3所强调的“电容器的极板在基板以外”（例如，图1中的第二极板108在基板102之上的层间电介质112中）。因此，该极板位置关系特征未被公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《未公开》 | [0027] The TSV 328 may be electrically coupled to the inductor 302 and the active circuit 320. | 对比文件中，TSV 328连接了背面的电感器302和前表面的有源电路320。然而，此处的“导电结构”特指技术特征C中定义的、构成“多通孔电感器”一部分的“导电结构”。由于对比文件未公开“多通孔电感器”（特征C未公开），因此与之相关的“第一导电结构”以及“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”的具体连接关系也无从谈起。该特征未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《未公开》 | 未找到对应内容。 | 如对特征C的论述，对比文件未公开“多通孔电感器”这一整体结构，因此其必然包含的组成部分“第二通孔”也未公开。 |
| 技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《未公开》 | 未找到对应内容。 | 该特征是对“多通孔电感器”具体构成的进一步限定。由于“多通孔电感器”本身未被公开（特征C、G），其内部各部件（第一、第二导电结构，第二通孔）之间的具体连接关系（第一导电结构通过第二通孔耦合至第一导电结构）以及完整组成清单也未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《未公开》 | [0026] The substrate 330 may also include various isolation regions (e.g., shallow trench isolation regions) configured to separate various devices from each other for proper isolation. One or more circuits 300 may be provided, which may include filters, oscillators or the like, [0042] In FIG. 7, the capacitance in the LC-VCO 700 conventionally supplied by capacitors 704a and 704b is supplied by the TSV disposed at each output terminal (706a, 706b and 706c) of the LC-VCO 700 as discussed above. | 1. 关于“极板在层间电介质(ILD)层中”：对比文件变容二极管400的极板（TSV和杂质区）位于半导体衬底内或穿过衬底，并未描述其极板位于ILD层中。目标专利此特征强调极板在ILD中，是为了与“在基板以外”相呼应，并利用ILD进行绝缘（参见说明书[0035]段）。对比文件未公开此特定位置。 <br> 2. 关于“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”：对比文件确实公开了由电感器和变容二极管（电容器）形成的LC振荡电路（LC-VCO），例如图5、7及其描述。然而，目标专利此特征明确限定的谐振电路包括的是“所述多通孔电感器”和“所述电容器”。由于“多通孔电感器”未被公开（特征C），因此该限定下的谐振电路也未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《未公开》 | [0022] The substrate 330 may be a semiconductor wafer. ... The substrate 330 may include silicon. ... | 对比文件公开的衬底330是半导体材料，如硅、锗、化合物半导体等（第[0022]段）。目标专利明确限定了“玻璃型基板”和“透玻通孔”（TGV），这是其特定实施例（参见说明书[0031]段）。对比文件未提及玻璃基板或TGV。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《部分直接公开》 | [0022] The substrate 330 may include silicon. The substrate 330 may include another elementary semiconductor such as, for example, germanium. The substrate 330 may also include a compound semiconductor such as, for example, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide or indium phosphide. [0025] Furthermore, the substrate 330 may include a semiconductor-on-insulator (SOI) structure. | 对比文件公开的衬底材料列表中，包含了“硅”（对应高电阻率硅HRS基板的一种基础材料）、“碳化硅(SiC)”、“砷化镓(GaAs)”、“磷化铟(InP)”以及“SOI基板”。这些均出现在目标专利的特征K列表中。虽然对比文件未提及列表中的玻璃、石英、SOS、AlN、罗杰斯层叠、塑料等材料，但对于“基板包括...砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板...或绝缘体上硅(SOI)基板”这些具体选项，已被对比文件直接公开。因此，技术特征K被部分直接公开。 |
| 技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《部分直接公开》 | [0024] The three-dimensional integrated circuit 300 may include a conductive material substantially filling the opening 322 to form a conductive through-substrate-via (TSV) 328. For example, the conductive material may include copper, aluminum, or other conductive material. [0032] The varactor 400 includes a conductive material substantially filling the opening 422 (622) to form a conductive through-substrate-via (TSV) (428). For example, the conductive material may include copper, aluminum or polycrystalline silicon, for example. | 对比文件明确公开了TSV由导电材料填充，例如铜（Cu）、铝（Al）或多晶硅。目标专利限定的金属列表为“铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者”。对比文件公开的“铜(Cu)”在该列表中，因此“通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)”这一技术方案已被直接公开。虽然对比文件未提及钨、银、金，且提到了列表外的铝，但根据直接公开的判断标准，只要对比文件公开了列表中的至少一个选项（铜），且该选项能毫无疑义地得出所述技术特征，即构成公开。因此，技术特征L被部分直接公开。 |
| 技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《直接公开》 | [0031] The dielectric layer 440 (640) may include a dielectric material such as, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, spin-on-glass, fluoride-doped silicate glass, carbon doped silicon oxide, xerogel, aerogel, amorphous fluorinated carbon, parylene, BCB, polyimide and/or other suitable materials. | 对比文件公开的电介质层440的材料列表中明确包含了“silicon oxide”（二氧化硅，SiO2）、“silicon nitride”（氮化硅，Si3N4）和“silicon oxynitride”（氮氧化硅，SiOxNy）。这三者均出现在目标专利特征M的列表中。因此，技术特征M被对比文件直接公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》 | [0024] The three-dimensional integrated circuit 300 may include a conductive material substantially filling the opening 322 to form a conductive through-substrate-via (TSV) 328. ... The conductive material may be filled in the opening 322... | 对比文件描述TSV时，使用的是导电材料“基本填满（substantially filling）”开口322/422（见[0024]， [0032]段）。这暗示了通孔是实心金属填充（如铜、铝）。目标专利的特征N（对应说明书图3实施例）明确限定了通孔内具有“聚合物核”的金属结构，即金属仅作为结构壁，内部是聚合物。这与对比文件公开的实心金属填充结构不同。该特征未被公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《隐含公开》 | [0030] The varactor 400 may include a dielectric layer 440 (640) disposed on a side surface of the opening 422 (622). ... The varactor 400 includes a conductive material substantially filling the opening 422 (622) to form a conductive through-substrate-via (TSV) (428). ... The varactor 400 may include the heavily doped impurity implanted region 450 (650) surrounding the opening 422 (622). [0033] In some embodiments, one conductor of the varactor 400 may include the TSV 428 (628). | 在对比文件的变容二极管400中，电介质层440形成在开口422的侧壁表面（即通孔TSV 428的侧表面）上。作为电容器一个极板的杂质注入区域450，是“包围（surrounding）开口422”的，即其至少一部分（靠近电介质的内侧部分）也位于该开口/通孔的侧向。虽然目标专利附图1-3展示的是极板水平位于通孔顶面之上，而对比文件是极板垂直环绕通孔侧壁，但就“极板和电介质垂直位于通孔面向电介质的表面（侧表面）上”这一相对位置关系而言，本领域技术人员能够从对比文件的结构中合理推断出。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》 | [0027] As illustrated in FIG. 3, the substrate 330 may include an inductor 302 disposed on the second surface 334 of the substrate 330. ... The TSV 328 may be electrically coupled to the inductor 302 and the active circuit 320. | 该特征描述了电容器、通孔、第一导电结构（属于多通孔电感器）三者之间非常具体的空间位置关系。首先，对比文件未公开“第一导电结构”（特征F相关）。其次，对比文件中，与TSV 328相连的、位于衬底第二表面334的是电感器302（一个平面线圈），并非一个简单的“导电结构”。最后，目标专利此特征描述的“轴与电容器的极板、电介质、第一导电结构相交”的垂直堆叠关系，与对比文件图3中TSV连接两侧器件，以及图4中变容二极管（电容器）的极板（杂质区）环绕TSV侧壁的结构均不相同。该特定位置关系未被公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《隐含公开》 | [0022] Substrate 330 includes an opening 322. The opening 322 may extend through the first surface 332 and the second surface 334 of the substrate 330. [0030] The varactor 400 may include the heavily doped impurity implanted region 450 (650) surrounding the opening 422 (622). | 1. 对比文件明确公开了TSV（开口322/422）垂直延伸穿过衬底（第一和第二表面之间）。<br> 2. 在变容二极管400中，作为电容器一个极板的杂质注入区域450是“包围（surrounding）”通孔（开口422）的。这意味着，垂直于衬底表面并穿过该通孔的轴线，必然会穿过这个环绕通孔的极板（杂质区450）的区域。因此，本领域技术人员可以从对比文件公开的内容中，合理推断出“通孔的垂直于基板表面的轴与极板的区域相交”这一位置关系。该特征被隐含公开。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 未找到对应内容。对比文件未对通孔表面与电容器极板表面的相对大小进行任何描述或暗示。 | 目标专利此特征涉及通孔与电容器极板表面的尺寸比较（参见说明书图2及[0041]-[0042]段）。对比文件完全没有提及或暗示通孔（TSV）的侧表面积与作为极板的杂质注入区域的有效面积之间的大小关系。该特征未被公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》 | 未找到对应内容。对比文件未对通孔表面与电容器极板表面的相对大小进行任何描述或暗示。 | 同上，对比文件未涉及此尺寸关系。该特征未被公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 未找到对应内容。对比文件未对通孔表面与电容器极板表面的相对大小进行任何描述或暗示。 | 同上，对比文件未涉及此尺寸关系。该特征未被公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未公开》 | [0031] The varactor 400 may include a dielectric layer 440 (640) disposed on a side surface of the opening 422 (622). | 对比文件公开的变容二极管400中，在通孔（TSV）与极板（杂质区）之间仅明确描述了一层电介质层440。目标专利此特征（对应说明书图4实施例）限定了存在“第二电介质”位于通孔与（第一）电介质之间，形成了多层电介质结构。对比文件未公开此特征。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》 | 未找到对应内容。 | 该特征详细描述了“多通孔电感器”的一种复杂内部构造，涉及多个部分穿通孔在基板内结合。如前述，对比文件根本未公开“多通孔电感器”这一概念，因此其具体的内部组成和连接方式（多个盲孔在基板内结合）也未被公开。 |
| 技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《隐含公开》 | [0022] The opening 322 may extend through the first surface 332 and the second surface 334 of the substrate 330. [0030] The varactor 400 may include a dielectric layer 440 (640) disposed on a side surface of the opening 422 (622). ... The varactor 400 may include the heavily doped impurity implanted region 450 (650) surrounding the opening 422 (622). | 1. 对比文件明确公开了TSV（开口322/422）延伸穿过衬底（[0022]段）。<br> 2. 如对特征O和Q的论述，在变容二极管400中，电介质层440位于通孔（开口422）的侧表面上，作为极板的杂质注入区域450包围该通孔。因此，电容器的极板（杂质区450）和电介质（层440）的至少一部分，在空间上是垂直位于（即沿通孔侧壁方向布置在）通孔（TSV 428）的至少一部分（侧壁部分）上的。虽然目标专利附图可能展示极板位于通孔顶面正上方，而对比文件是极板环绕侧壁，但“垂直位于通孔的至少一部分上”这一相对位置描述，足以涵盖对比文件的结构。本领域技术人员能够合理推断出该特征。因此，技术特征W被隐含公开。 |
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