**对比文件名称**：2012-12-25_US8339233B_发明授权_US08339233B2 Three dimensional inductor
**目标专利名称**：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**本次调用的模型名称**：专利创造性评估模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A**：包括：基板 《直接公开》 | 说明书第[0028]段：“The three dimensional inductor is disposed in a substrate 210. The substrate 210 includes a dielectric layer 230, a first metal layer 220 and a second metal layer 240.” | 对比文件明确公开了其三维电感器设置于基板（substrate 210）中，该基板包括介电层和金属层。这直接公开了“包括基板”这一特征。 |
| **B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔， 《直接公开》 | 说明书第[0028]段：“The second coil 204 is located at the second plane of the substrate and is disposed in the first metal layer 220, the second metal layer 240 and the dielectric layer 230 (for example, is formed from the first metal layer to the second metal layer 240 through the dielectric layer 230, and then back to the first metal layer 220 through the dielectric layer 230).” 以及附图4a、5a、7a等显示的通孔结构（via wires）。 | 对比文件详细描述了线圈通过通孔（via wires）在不同金属层和介电层之间穿行以形成三维电感器，例如附图5a中的通孔504b、504c。这些通孔必然至少部分地穿过基板中的介电层（如M1-M9）延伸，并且是构成所述多通孔电感器（即三维电感器）的组成部分。因此，该特征被直接公开。 |
| **C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构 《直接公开》 | 说明书第[0028]段：“The substrate 210 includes a dielectric layer 230, a first metal layer 220 and a second metal layer 240.” 以及附图5a：显示金属线（如504a）连接两个通孔（504b, 504c）。 | 对比文件中的三维电感器由位于不同金属层（如L1, L10）的线圈和连接它们的通孔构成。例如，附图5a中，金属线504a（位于金属层L10）连接了两个通孔504b和504c。该金属线504a即是位于基板（具体为介电层之上）的“导电结构”，它耦合了两个通孔并位于它们之间。这直接对应于目标专利中“耦合至通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”。 |
| **D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间， 《未公开》 | 无 | 对比文件全文旨在描述一种三维电感器的结构，其核心是线圈和通孔的连接以形成电感。说明书中并未提及任何“电容器”结构，更未公开“电容器的电介质位于通孔与电容器的极板之间”这一特定的电容器构型。目标专利的核心创新点在于将电容器直接集成在通孔之上，电介质位于两者之间，以减小寄生电阻。对比文件未涉及此技术方案。 |
| **E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。 《未公开》 | 无 | 由于对比文件未公开“电容器”，因此其“极板在基板以外”的特征自然也未被公开。 |
| **F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。 《未公开》 | 无 | 该特征限定了电容器通过通孔耦合至第一导电结构。由于对比文件未公开电容器，因此该连接关系也未被公开。 |
| **G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分 《直接公开》 | 说明书第[0028]段及附图5a：如前所述，第二线圈504包括通孔504b和504c。说明书第[0031]段：“The second coil 504 includes at least a metal wire and two via wires 504b and 504c.” | 对比文件明确公开了三维电感器包含多个通孔（via wires），例如504b和504c。这些通孔都至少部分地延伸穿过基板中的介电层（如图3所示的M1-M9层），并共同构成电感器的一部分（如第二线圈504）。因此，“第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分”这一特征被直接公开。 |
| **H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。 《直接公开》 | 说明书第[0028]段及附图5a、7a等。例如，在附图5a中，金属线504a（第一导电结构）通过通孔504b和504c（即第二通孔）连接到其他线圈部分（如第一线圈502，可视为另一导电结构）。整个电感器由通孔（如504b, 504c）、金属线（如504a、502）等结构组成。 | 对比文件中的三维电感器由多个导电结构（金属线圈，如502、504a）通过通孔（如504b、504c）相互连接而成。例如，第一导电结构（如水平线圈502）通过第二通孔（如504b）连接到第二导电结构（如垂直线圈504a的一部分）。因此，由“通孔、第二通孔、第一导电结构、第二导电结构”构成多通孔电感器的特征已被直接公开。 |
| **I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开电容器及其极板，因此“极板在ILD层中”未被公开。虽然对比文件的三维电感器本身可用于谐振电路（这是本领域公知用途），但说明书中并未明确记载将所述电感器与“电容器”组合形成“谐振电路”。目标专利权利要求明确限定了谐振电路包括该特定的多通孔电感器和电容器，该组合未被公开。 |
| **J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。 《未公开》 | 无 | 对比文件提及基板（substrate）和介电层（dielectric layer），但未具体限定基板为“玻璃型基板”，也未提及“透玻通孔”。 |
| **K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板 《未公开》 | 无 | 对比文件未具体公开基板的这些具体材料类型。 |
| **L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者 《未公开》 | 无 | 对比文件未提及通孔（via wires）的具体填充材料。 |
| **M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开目标专利中所述的电容器，因此其电介质的特定材料组成也未被公开。 |
| **N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。 《未公开》 | 无 | 对比文件未描述通孔内部具有包含聚合物核的金属结构。 |
| **O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。 《未公开》 | 无 | 该特征描述了电容器、电介质与通孔之间特定的垂直堆叠位置关系。由于对比文件未公开电容器，该位置关系也未被公开。 |
| **P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。 《未公开》 | 无 | 该特征描述了电容器、通孔和导电结构之间复杂的空间位置关系。由于对比文件未公开电容器，该关系也未被公开。 |
| **Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。 《未公开》 | 无 | 该特征涉及通孔延伸方向与电容器极板表面的相对位置关系。由于对比文件未公开电容器及其极板，该关系也未被公开。 |
| **R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。 《未公开》 | 无 | 该特征涉及通孔与电容器极板的相对尺寸关系。由于对比文件未公开电容器，该关系也未被公开。 |
| **S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。 《未公开》 | 无 | 同上。 |
| **T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。 《未公开》 | 无 | 同上。 |
| **U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。 《未公开》 | 无 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。由于对比文件未公开电容器，该特征也未被公开。 |
| **V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。 《未公开》 | 无 | 对比文件中的通孔（如504b, 504c）通常描述为连接不同金属层，并未明确公开“在基板内结合”的盲孔结构，也未明确限定包含“第三通孔”的特定多通孔电感器架构。 |
| **W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。 《未公开》 | 无 | 该特征再次强调了电容器及其组成部分垂直位于通孔上方的位置关系。由于对比文件未公开电容器，该特征也未被公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<G>>><<<H>>>