对比文件名称：2007-08-02_WO2007061308A_发明申请_WO2007061308A9 VARACTOR ELEMENT AND LOW DISTORTION VARACTOR CIRCUIT ARRANGEMENT
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>包括：基板 | [p0131] ...formed on a silicon or III-V material wafer 11.<br>（形成在硅或III-V材料晶圆11上。） | 对比文件明确公开了器件形成在“硅或III-V材料晶圆”上，晶圆即基板。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B《未公开》**<br>至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔， | [p0131] ...the backside of the wafer 11 is etched away until the buried layer 2 is reached.<br>（晶圆11的背面被蚀刻直到到达埋层2。）<br>[p0131] ...control terminal 5...can be connected to the frontside of the wafer through a via.<br>（控制端子5...可以通过通孔连接到晶圆的正面。） | 对比文件提到了晶圆正背面之间的连接以及“via”（通孔），但这些通孔的作用是实现电连接（如连接控制端子），或是用于形成器件结构（如接触埋层）。目标专利中的通孔被明确限定为“形成多通孔电感器的一部分”，其核心作用是与导电结构共同构成电感器。对比文件未公开任何用于构成电感器的通孔结构，更没有公开“多通孔电感器”的概念。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开技术特征B。 |
| **技术特征C《未公开》**<br>所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构 | 无相应内容。 | 对比文件通篇未提及“多通孔电感器”这一概念。目标专利中的“多通孔电感器”是由至少两个通孔和位于基板上的导电结构耦合形成的三维电感结构。对比文件中的电路虽然包含电感（如[p0101]提及的“shunt inductor”），但均为分立或平面电感元件，未披露由通孔和基板上导电结构构成的集成式三维电感器。因此，对比文件未公开技术特征C。 |
| **技术特征D《未公开》**<br>耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间， | [p0131] ...two Schottky diodes are formed by doped layers 3a, 3b and metal layers 4a, 4b, respectively.<br>（两个肖特基二极管分别由掺杂层3a、3b和金属层4a、4b形成。）<br>[p0032] ...varactor element...having an exponential capacitance voltage relation.<br>（变容元件...具有指数电容电压关系。） | 对比文件的核心是变容二极管（varactor），其电容由PN结或肖特基结的耗尽层形成。虽然[p0131]的图18a显示金属层（4a,4b）和掺杂层（3a,3b）构成类似“极板”和“电介质”（耗尽层）的结构，但这与目标专利有本质区别：1）目标专利的电容器是明确的三明治结构（金属极板-绝缘电介质-金属极板/通孔），电介质是绝缘材料（如SiO2）；对比文件的“电容器”是二极管结电容，其“电介质”是半导体耗尽层，物理机制不同。2）目标专利的电容器是“耦合至所述通孔”，且电介质位于“通孔”与极板之间，通孔作为电容器的一个电极或导电通路。对比文件的变容二极管结构（图18a）中，并未显示有“通孔”作为电容器的组成部分。因此，对比文件未公开技术特征D。 |
| **技术特征E《未公开》**<br>并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。 | [p0131] ...metal layers 4a, 4b...<br>（金属层4a, 4b...） | 对比文件附图18a显示金属层（4a,4b）位于半导体层（3a,3b）之上，可视为在基板（wafer 11）以外。然而，这一特征是与技术特征D中的电容器结构紧密关联的。由于对比文件未公开目标专利所定义的“电容器”（其极板和电介质具有特定结构和作用），因此孤立地判断“极板在基板以外”没有意义。基于整体技术方案的不同，对比文件未公开技术特征E。 |
| **技术特征F《未公开》**<br>其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。 | 无相应内容。 | 对比文件未公开“多通孔电感器”及其“第一导电结构”，自然也谈不上电容器通过通孔耦合至该结构。因此，对比文件未公开技术特征F。 |
| **技术特征G《未公开》**<br>其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分 | 无相应内容。 | 对比文件未公开“多通孔电感器”，也未公开构成该电感器的“第二通孔”。因此，对比文件未公开技术特征G。 |
| **技术特征H《未公开》**<br>第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第二导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。 | 无相应内容。 | 对比文件未公开由通孔和导电结构构成的三维“多通孔电感器”及其具体组成部分（第一、第二导电结构及其连接关系）。因此，对比文件未公开技术特征H。 |
| **技术特征I《未公开》**<br>其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。 | 无相应内容。 | 对比文件未提及“层间电介质(ILD)层”。虽然[p0131]提到了“oxide 12”（氧化物12），但其作用是隔离肖特基二极管，并非用于容纳电容器的极板。此外，对比文件也未公开由“多通孔电感器和电容器”构成的谐振电路。因此，对比文件未公开技术特征I。 |
| **技术特征J《未公开》**<br>其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。 | [p0131] ...silicon or III-V material wafer 11.<br>（硅或III-V材料晶圆11。） | 对比文件明确基板材料是“硅或III-V材料”，并未提及“玻璃型基板”。相应地，也未提及“透玻通孔”。因此，对比文件未公开技术特征J。 |
| **技术特征K《未公开》**<br>其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板 | [p0131] ...silicon or III-V material wafer 11.<br>（硅或III-V材料晶圆11。） | 对比文件仅公开了基板可以是硅或III-V材料（如GaAs）。目标专利权利要求中列举了多种具体的基板类型，构成一个选择列表。对比文件公开的“硅”或“III-V材料”虽然与列表中的“砷化镓(GaAs)基板”等部分重叠，但并未公开列表中的其他多种材料（如玻璃、石英、SOI等），也未给出任何启示或暗示将这些材料作为基板用于所述特定器件结构中。因此，对比文件未公开技术特征K所限定的基板选择范围。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者 | [p0131] ...directly contacting the buried layer 2...with a thick metal (back metal layer 15)...<br>（用厚金属（背面金属层15）直接接触埋层2...） | 对比文件提到了“厚金属”层（15），但这是位于器件背面的平面金属层，并非填充在穿过基板的孔洞中的“金属填充型通孔”。对比文件虽提及“via”（[p0131]），但未描述其填充材料。因此，对比文件未公开技术特征L。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。 | 无相应内容。 | 对比文件中变容二极管的“电容”由半导体耗尽层形成，其“电介质”是耗尽层，并非目标专利所列举的绝缘材料（如SiO2、Si3N4等）。因此，对比文件未公开技术特征M。 |
| **技术特征N《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。 | 无相应内容。 | 对比文件未提及在通孔内设置包含聚合物核的金属结构。因此，对比文件未公开技术特征N。 |
| **技术特征O《未公开》**<br>其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。 | 无相应内容。 | 目标专利此特征描述了电容器与通孔在垂直方向上的集成关系，即电容器堆叠在通孔上方。对比文件的变容二极管结构（图18a）是平面器件，金属层（4a,4b）和半导体层（3a,3b）形成于基板表面，并未显示有通孔结构垂直支撑或位于其下方。因此，对比文件未公开技术特征O。 |
| **技术特征P《未公开》**<br>其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。 | 无相应内容。 | 此特征详细描述了电容器、通孔、第一导电结构三者在垂直空间上的精确对齐关系。对比文件未公开“多通孔电感器”及“第一导电结构”，也未描述电容器与通孔之间如此具体的空间位置关系。因此，对比文件未公开技术特征P。 |
| **技术特征Q《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。 | 无相应内容。 | 此特征限定了通孔延伸方向与极板表面的垂直关系及投影相交关系。对比文件未公开目标专利所述的“电容器”及其“极板”，也未描述通孔与极板之间的这种几何关系。因此，对比文件未公开技术特征Q。 |
| **技术特征R《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。 | 无相应内容。 | 对比文件未公开目标专利所述的“电容器”及“通孔的面向电介质的表面”，也未对两者表面积进行比较。因此，对比文件未公开技术特征R。 |
| **技术特征S《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。 | 无相应内容。 | 同上，对比文件未公开相关结构，也未进行表面积比较。因此，对比文件未公开技术特征S。 |
| **技术特征T《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。 | 无相应内容。 | 同上，对比文件未公开相关结构，也未进行表面积比较。因此，对比文件未公开技术特征T。 |
| **技术特征U《未公开》**<br>其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。 | 无相应内容。 | 对比文件未公开目标专利所述的“电容器”及其“电介质”，更未提及在通孔与电介质之间设置“第二电介质”。因此，对比文件未公开技术特征U。 |
| **技术特征V《未公开》**<br>其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。 | 无相应内容。 | 对比文件未公开“多通孔电感器”，也未描述多个通孔在基板内结合以形成电感路径的结构。因此，对比文件未公开技术特征V。 |
| **技术特征W《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。 | 无相应内容。 | 此特征与技术特征O类似，强调电容器垂直位于通孔之上。对比文件未公开这种垂直集成的电容器-通孔结构。因此，对比文件未公开技术特征W。 |
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