对比文件名称：2001-12-11_US6329604B_发明授权_US06329604B1 Multilayer printed circuit board
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br>《直接公开》 | 说明书第1段：“The present invention relates to a multilayer printed circuit board...”； 图4-16等各实施例均描绘了印刷电路板结构。 | 对比文件明确公开了“multilayer printed circuit board”（多层印刷电路板），电路板本身即为一种基板，用于支撑和电连接各层电路。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，印刷电路板必然包含基板（如介电材料层压板）。该基板在对比文件中起到支撑各信号层、电源层、接地层及绝缘层的作用，与目标专利中基板作为通孔和电容器载体的作用（支撑结构）相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** <br>《未公开》 | 说明书多个部分提及“through-hole”（通孔），例如：信号通孔（signal through-hole 14, 62, 92）和接地通孔（ground through-hole 15, 63, 93）。这些通孔穿过绝缘层连接不同布线层。例如，第[0037]段描述信号通孔14a连接信号布线8a和9。 | 对比文件公开了穿过电路板多层结构的通孔（through-hole），用于连接不同层的布线。然而，对比文件中的通孔仅用作不同层之间信号或接地连接的垂直互连结构（via）。目标专利中的通孔被明确限定为“形成多通孔电感器的一部分”。根据目标专利说明书[0034]-[0036]段，多个通孔与导电结构共同构成电感器，是谐振电路的一部分。对比文件完全没有提及将这些通孔用作电感器组件，也未描述由通孔构成电感功能。虽然任何导体（包括通孔）均具有寄生电感，但对比文件既未公开将这些通孔有意组合成电感器，也未将其功能描述为提供电感。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出“形成多通孔电感器一部分的通孔”这一技术特征。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br>《未公开》 | 对比文件公开了在基板（电路板）各层上的导电结构，例如信号布线（signal wiring 8, 9, 52等）和接地布线（ground wiring 10, 53等），以及平面接地层（ground plane 12, 60等）。这些导电结构与通孔连接。例如，图5-7显示接地布线10与接地通孔15a、15b连接。 | 对比文件确实公开了基板上的导电结构（如布线）与通孔连接。但是，目标专利中该导电结构是“多通孔电感器”的组成部分。如特征B所述，对比文件未公开“多通孔电感器”这一整体概念。因此，即使对比文件公开了导电结构与通孔连接，该连接的目的和作用（在对比文件中是提供信号路径或低阻抗回流路径）与目标专利中作为电感器绕组一部分的作用（储存磁能、构成谐振）完全不同。本领域技术人员无法从对比文件中推理出这些通孔和导电结构被组合配置以形成电感器。因此，技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** <br>《未公开》 | 经全面检索对比文件说明书及附图，未发现任何关于“电容器”（capacitor）的描述，也未提及在通孔上形成具有特定电介质和极板结构的电容器。 | 技术特征D是目标专利的核心发明点之一，即在通孔上直接集成电容器，电介质位于通孔与电容器极板之间（参见说明书[0009], [0010], [0030]等）。对比文件涉及的是多层印刷电路板的布线设计以减少电磁干扰，其主题完全围绕信号、电源、接地层及其互连，没有任何地方提及或暗示在通孔上集成电容器。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中，通过任何推理得出存在这样一个电容器。因此，技术特征D既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。** <br>《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开电容器，因此自然未公开电容器的极板及其位置。 | 由于作为前提的“电容器”未被公开，关于该电容器极板位置（在基板以外）的特征也无法被公开。目标专利中“在基板以外”指极板不嵌入基板内，而是在基板之上（如[0032]段）。对比文件没有提供可进行此类推理的基础。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。** <br>《未公开》 | 对比文件公开了第一导电结构（如信号布线层、接地层）与通孔连接。但未公开电容器。 | 该特征是对特征C和D的进一步限定，描述了电容器通过通孔耦合至第一导电结构。由于对比文件未公开“多通孔电感器”（特征C）和“耦合至通孔的电容器”（特征D），因此这一具体连接关系也无从谈起。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br>《未公开》 | 对比文件公开了多个通孔，例如信号通孔14a、14b和接地通孔15a、15b（图5-7）。 | 对比文件虽然公开了第二通孔，但并未将其描述为“多通孔电感器”的一部分。通孔在对比文件中的作用是电气互连，而非构成电感器。因此，本领域技术人员无法推断出这些通孔形成了电感器的“第二部分”。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。** <br>《未公开》 | 对比文件公开了通过通孔连接的多个导电结构。例如，图5-7中，接地平面12（第一导电结构）通过接地通孔15a、15b（第二通孔）连接到接地布线10（第二导电结构）。 | 对比文件公开了导电结构通过通孔相互连接的物理布局。然而，目标专利中这一布局被定义为构成“多通孔电感器”。对比文件从未将该组合赋予电感功能，其目的是为信号电流提供相邻的低阻抗回流路径以减小环路面积（抑制EMI）。两者目的和作用截然不同。因此，不能认为对比文件隐含公开了作为电感器组件的该特定组合。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。** <br>《未公开》 | 对比文件公开了“inter-layer insulating films”（层间绝缘膜，5-7, 47-51等），其作用类似于ILD。未公开电容器极板，也未公开谐振电路。 | 对比文件公开了层间绝缘介质。但未公开电容器极板位于其中。更重要的是，目标专利的谐振电路由多通孔电感器和电容器构成。对比文件既未公开多通孔电感器，也未公开所述结构的电容器，更没有将任何组件描述为构成谐振电路。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。** <br>《未公开》 | 对比文件未具体说明印刷电路板的基板材料。通孔为常规PCB通孔。 | 目标专利明确限定了基板为玻璃型基板（如玻璃、石英等）及通孔为透玻通孔（TGV），这是其适用于高频、低损耗应用的特定实施例（[0031]段）。对比文件针对常规多层PCB，未提及此类特定材料或TGV技术。本领域技术人员无法从对比文件推断出此限定。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br>《未公开》 | 同特征J，对比文件未具体公开基板材料为该列表中的任何一种。 | 该特征是特征J的进一步扩展列举。对比文件未公开任何具体的基板材料类型，因此该列表中的任一选项均未被公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br>《未公开》 | 对比文件未描述通孔的具体填充材料。本领域公知的PCB通孔通常为电镀铜，但对比文件文本本身未明确记载。 | 根据“直接公开”需“毫无疑义”得出的标准，对比文件说明书文本未提及通孔的填充材料。虽然在实际PCB制造中通孔常为金属化孔（如铜），但作为严谨的文本对比，不能认定其直接公开了“金属填充”及具体金属类型。更未被公开为“金属填充型通孔”以用于后续与电容器集成。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。** <br>《未公开》 | 对比文件未公开电容器，因此也未公开电容器的电介质材料。 | 该特征是对电容器电介质材料的限定。由于对比文件根本未公开电容器，因此该材料特征完全未被涉及。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。** <br>《未公开》 | 对比文件未描述通孔的内部结构或填充物细节，未提及聚合物核。 | 目标专利该特征涉及通孔具有金属结构和聚合物核的特定结构（[0044]段，图3）。对比文件对此没有任何描述或暗示。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。** <br>《未公开》 | 对比文件未公开电容器。 | 该特征描述了电容器与通孔在垂直方向上的重叠关系，是目标专利“在通孔上”形成电容器的具体几何体现。由于对比文件未公开电容器，该空间位置关系无法被推导。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。** <br>《未公开》 | 对比文件未公开电容器。其导电结构（布线、平面层）位于不同层，但与通孔的关系并非如该特征所描述的、以电容器为基准的特定空间对齐关系。 | 该特征是极其具体的空间结构限定，依赖于电容器的存在。对比文件缺乏电容器这一核心元件，因此整个描述的结构关系不存在于对比文件中。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。** <br>《未公开》 | 对比文件未公开电容器及其极板。 | 同特征O、P，该特征依赖于电容器极板的存在，描述通孔轴与极板区域相交。对比文件未提供推理基础。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。** <br>《未公开》 | 对比文件未公开电容器。 | 该特征比较通孔表面与电容器极板表面的相对大小。由于电容器未被公开，该比较关系不存在。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。** <br>《未公开》 | 对比文件未公开电容器。 | 同上。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。** <br>《未公开》 | 对比文件未公开电容器。 | 同上。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。** <br>《未公开》 | 对比文件未公开电容器。 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。由于电容器未被公开，该特征未被公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。** <br>《未公开》 | 对比文件未描述通孔在基板内部结合的结构（盲孔互连）。其通孔通常显示为贯穿多层。也未将多个通孔作为电感器组件。 | 目标专利该特征描述了通孔在基板内结合以形成电感器的特定复杂三维结构（[0056]段，图6）。对比文件中的通孔是简单的垂直互连，没有公开这种内部结合的结构，也未将其用于构成电感器。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。** <br>《未公开》 | 对比文件公开了延伸穿过电路板（基板）各层的通孔。但未公开电容器。 | 该特征前半部分（通孔延伸穿过基板）可能被对比文件公开（虽然未明确文字记载“穿过基板”，但穿过各层即穿过基板）。然而，后半部分关于电容器及其部件垂直位于通孔上，是目标专利的关键。由于电容器未被公开，该整体技术特征未被公开。 |
### 结论
经逐一比对，除技术特征A（基板）被对比文件直接公开外，其余技术特征B至W均未被对比文件直接公开或隐含公开。核心区别在于，对比文件涉及多层PCB的布线设计以优化信号回流路径，而目标专利涉及一种将电容器直接集成于通孔（特别是可能构成电感器一部分的通孔）之上的三维结构，以形成低电阻、高性能的谐振电路。
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