**对比文件名称：** 2011-05-12_US2011110385A_发明申请_US20110110385A1 Front-end system for processing composite wideband signals and method for utilizing same
**目标专利名称：** 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**本次调用的模型名称：** 专利创造性评估模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A: 包括：基板《直接公开》** | 对比文件涉及电子通信电路和系统，其组件（如多路复用器214、224）可以集成在半导体芯片上。虽然未明确描述“基板”结构，但集成电路（IC）或半导体器件必然建立在某种形式的基板（如硅基板）之上，这是本领域的公知常识。例如，说明书第[0022]段提到“multiplexer 214 may be implemented on a single semiconductor die”。半导体芯片（die）的制造必然基于一个基板。 | 本领域技术人员能够毫无疑义地理解，对比文件描述的集成电路（如多路复用器）必然包含一个承载其所有有源/无源器件的物理支撑结构，即基板。因此，特征A“基板”被对比文件直接公开。 |
| **B: 至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，《未公开》** | 对比文件全文未提及任何“通孔（through via）”或“透玻通孔（TGV）”结构，也未描述任何由通孔形成的电感器。 | 对比文件涉及的是信号处理系统架构（如滤波器、多路复用器），其技术核心在于电路功能和频率响应，并未揭示任何具体的三维互连或封装结构，特别是通过基板的通孔以及由通孔构成的电感器。因此，特征B既未被直接公开，也无法从对比文件内容中合理推断出来。 |
| **C: 所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《未公开》** | 对比文件全文未提及由通孔和基板上的导电结构形成的“多通孔电感器”。 | 由于对比文件完全没有公开“通孔”或“多通孔电感器”的概念，因此构成该电感器的具体组件（如通孔、第二通孔及连接它们的导电结构）自然也未被公开。本领域技术人员无法从对比文件中得到任何关于此类三维电感器结构的信息。 |
| **D: 耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，《未公开》** | 对比文件提到了滤波器（如低通、带通、高通滤波器），这些滤波器可能包含电容器作为其无源元件（参见说明书第[0022]段：“any of the filters ... may comprise passive ... electronic components”）。但未描述任何电容器的具体物理结构，特别是其与“通孔”的耦合关系以及电介质位于通孔与极板之间的独特构型。 | 对比文件仅功能性提及电容器可能作为滤波器组件存在，但完全没有公开其具体的三维堆叠结构。目标专利的核心发明点在于电容器直接集成在通孔之上，电介质位于通孔与极板之间以减小寄生电阻。对比文件完全没有揭示或暗示这种具体的、旨在优化性能的物理集成方式。 |
| **E: 并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《未公开》** | 对比文件未描述任何电容器的具体物理结构，因此无法确定其极板是嵌入在基板内还是位于基板之外。 | 由于对比文件未公开电容器的具体物理构型，特别是其与基板的位置关系，因此特征E“极板在基板以外”未被公开。本领域技术人员无法从对比文件中推断出这一特定的结构特征。 |
| **F: 其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《未公开》** | 对比文件未提及“第一导电结构”，也未描述电容器通过“通孔”耦合至任何导电结构。 | 该特征是前述未公开的多通孔电感器和通孔上电容器结构的进一步具体连接关系。由于基础结构（B、C、D）均未公开，该具体的耦合关系也无从谈起。 |
| **G: 其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《未公开》** | 对比文件全文未提及“第二通孔”或“多通孔电感器”。 | 这是对特征C中“第二通孔”的进一步限定。由于“多通孔电感器”及其组成部分均未被公开，该限定特征也未被公开。 |
| **H: 第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《未公开》** | 对比文件全文未提及“第一导电结构”、“第二导电结构”或它们通过“第二通孔”的耦合关系，也未描述由这些元件组成的“多通孔电感器”。 | 这是对多通孔电感器内部连接关系的具体描述。由于对比文件未涉及任何此类三维电感器结构，该特征未被公开。 |
| **I: 其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《未公开》** | 1. 对比文件未提及“层间电介质(ILD)层”。<br>2. 对比文件提到了由电感器(L)和电容器(C)组成的“谐振电路”（参见说明书第[0033]段：“resonant circuit (e.g., inductive-capacitive (L-C) resonant circuit)”），但这是在目标专利的【背景技术】部分，用于描述现有技术的问题，并非本专利要求保护的发明点。对比文件US20110110385A1本身并未描述任何具体的LC谐振电路结构。 | 1. 特征I包含两个部分：极板在ILD层中，以及谐振电路包括所述电感器和电容器。<br>2. 对于“极板在ILD层中”，对比文件未公开任何具体的电容器结构，因此该位置特征未被公开。<br>3. 对于“谐振电路”，虽然目标专利说明书背景技术部分提到了LC谐振电路，但这是现有技术中已知的电路类型。对比文件US20110110385A1是一个关于前端信号处理系统的专利，其滤波器可能包含LC元件，但并未明确描述一个由“多通孔电感器”和“通孔上电容器”构成的、旨在解决高Q值、低损耗问题的具体谐振电路。目标专利的权利要求保护的是实现该谐振电路的特定物理结构，而非谐振电路的功能概念本身。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **J: 其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《未公开》** | 对比文件未描述基板的具体材料，也未提及“透玻通孔（TGV）”。 | 对比文件可能涉及标准半导体硅基板，但目标专利明确限定了特定的基板材料（玻璃型）和特定的通孔类型（TGV），这是其实施例的关键之一。该特定材料组合未被对比文件公开。 |
| **K: 其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《未公开》** | 对比文件未具体描述基板的材料类型。 | 这是对特征J中“玻璃型基板”的进一步举例说明。由于基础特征J（特定基板和TGV）未被公开，这些具体的材料选项列表也未被公开。 |
| **L: 所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《未公开》** | 对比文件未提及“通孔”，因此更不可能公开其填充材料和成分。 | 该特征是对通孔具体构成的限定。由于“通孔”这一基础特征（B）未被公开，其填充材料特征自然也未被公开。 |
| **M: 所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《未公开》** | 对比文件未描述任何电容器的具体结构，因此未公开其电介质的材料。 | 该特征是对电容器电介质材料的具体限定。由于对比文件未公开“电介质位于通孔与极板之间”的电容器结构（特征D），该材料特征未被公开。 |
| **N: 其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》** | 对比文件未提及“通孔”，因此未公开通孔内部具有聚合物核的金属结构。 | 这是通孔的一种具体实施方式（部分填充）。由于“通孔”这一基础特征（B）未被公开，其内部的具体结构特征也未被公开。 |
| **O: 其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《未公开》** | 对比文件未描述电容器、电介质与通孔之间的三维垂直堆叠关系。 | 该特征定义了电容器与通孔之间关键的空间位置关系（垂直堆叠），这是目标专利实现低电阻、高Q值的关键。对比文件完全没有涉及此类三维集成结构。 |
| **P: 其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》** | 对比文件未描述电容器、导电结构与基板表面之间的这种复杂三维位置关系。 | 这是对器件各部件（电容器、通孔、导电结构）在基板两侧具体空间排布的详细限定。由于对比文件未公开这些部件本身及其基本连接关系，这种具体的空间位置关系更无从得知。 |
| **Q: 其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《未公开》** | 对比文件未描述通孔与电容器极板之间的方向和位置关系。 | 该特征进一步限定了通孔延伸方向与极板表面的垂直关系及空间投影相交关系。这同样是目标专利三维集成结构的具体细节，对比文件未涉及。 |
| **R: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》** | 对比文件未描述通孔与电容器之间的尺寸比较关系。 | 该特征限定了通孔与电容器极板之间的相对尺寸。由于对比文件未公开两者的共存结构，该尺寸关系未被公开。 |
| **S: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》** | 对比文件未描述通孔与电容器之间的尺寸比较关系。 | 同特征R，该尺寸关系未被公开。 |
| **T: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》** | 对比文件未描述通孔与电容器之间的尺寸比较关系。 | 同特征R，该尺寸关系未被公开。 |
| **U: 其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未公开》** | 对比文件未描述具有多层电介质的电容器结构，更未描述其与通孔的位置关系。 | 这是电容器的一种具体变型（多层电介质）。由于对比文件未公开基本的“电介质位于通孔与极板之间”的结构，该变型特征自然也未被公开。 |
| **V: 其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》** | 对比文件未提及任何通孔，更不用说多个通孔在基板内结合以形成电感器。 | 这是对多通孔电感器内部连接方式的进一步具体限定。由于“多通孔电感器”（特征C）这一基础概念未被公开，其内部通孔的具体连接方式也未被公开。 |
| **W: 其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《未公开》** | 对比文件未描述通孔延伸穿过基板，也未描述电容器部件垂直位于通孔之上。 | 该特征综合了通孔贯穿基板以及电容器垂直堆叠于其上的结构。这是目标专利的核心三维集成方案，对比文件完全没有涉及。 |
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