对比文件名称：2011-12-06_US8069560B_发明授权_US08069560B2 Method of manufacturing multilayer wiring board
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器 CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A**：包括：基板<br>《直接公开》 | [0057]段：`In FIG. 1, the multilayer wiring board 1 comprises a core board 2...` <br> [0057]段：`The core board 2 constituting the multilayer wiring board 1 is provided with through holes 4...` | 对比文件明确公开了其多层布线板包含一个“core board”（核心板），其作用与目标专利中的“基板”相同，都是作为承载通孔、电容器等结构的支撑基体。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **b**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>《隐含公开》 | [0057]段：`The core board 2 constituting the multilayer wiring board 1 is provided with through holes 4, and each through hole 4 is filled with a conductive material 5 so that electrical connection is established between the front and the back of the core board 2.` <br> [0035]段 (目标专利)：`器件100可包括包含第一通孔104、第一传导结构140(例如，背侧金属层)、第二通孔130、第二传导结构142(例如，第三金属层)、第三通孔132、和第三传导结构144(例如，背侧金属层)的电感器。` | 对比文件公开了至少部分地穿过核心板延伸并填充导电材料的通孔，其作用是实现核心板两侧的电气连接。目标专利中，该通孔是多通孔电感器的一部分。虽然对比文件未明确将该通孔描述为“电感器的一部分”，但其公开的导电通孔与本领域公知的用于形成电感器（如螺旋电感）的通孔在结构上相同。结合目标专利说明书，多通孔电感器正是由多个通孔和连接它们的导电结构构成。因此，本领域技术人员从对比文件公开的导电通孔出发，能够合理推断出该通孔可以作为构成电感器的一部分，故该特征被隐含公开。 |
| **c**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>《隐含公开》 | [0057]段：`The conductive material 5 filled in the through hole 4 protrudes from the surfaces of a core member 2′ to form lands 5a, 5b.` <br> [0069]段：`Further, the wirings 7a, 7b are connected, through the vias 8a, 8b, to the conductive material 5 filled in the predetermined through holes of the core board 2, or wiring portions (not shown) on the core board 2.` <br> [0057]段：`The buildup wiring layer 3 comprises wiring layers and electrically insulating layers that are stacked, and the wiring layer is a concept including wiring and vias.` | 对比文件公开了在核心板表面形成的导电结构（如凸块/焊盘5a、5b以及布线层7a、7b和通孔8a、8b），它们与通孔中的导电材料5电耦合。目标专利的“导电结构”（如第一传导结构140）用于连接通孔，构成电感器的一部分。虽然对比文件未明确将这些导电结构描述为连接两个通孔以形成电感器线圈，但其公开了在基板表面设置连接至通孔的导电结构这一基本构思。本领域技术人员知晓，通过设计这些导电结构的路径，可以将其用于连接多个通孔以形成电感路径。因此，该特征被隐含公开。 |
| **D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>《直接公开》 | [0074]段：`FIG. 3 is a partial longitudinal sectional view exemplarily showing another embodiment... Further, on the other surface of the core board, a dielectric layer 112 is provided to form capacitors 111.` <br> [0083]段：`The capacitor 111 in the present invention uses, as an upper electrode 113, the conductive material 109 filled in the through hole 107, and is provided with a lower electrode 114 via the dielectric layer 112.` | 对比文件图3及相关描述明确公开了电容器111，其使用填充在通孔107中的导电材料109作为一个电极（上电极113），并通过电介质层112与下电极114隔开。这完全对应于目标专利中“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”的结构。因此，技术特征D被对比文件直接公开。 |
| **E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>《直接公开》 | [0090]段：`A material of the lower electrode 114 of the capacitor 111 provided on the dielectric layer 112...` <br> (结合图3可明确下电极114位于核心板102之外) | 对比文件明确指出电容器的下电极114是形成在电介质层112上的，而电介质层112又形成在核心板102的表面上。因此，电容器的极板（下电极114）显然位于基板（核心板102）之外。这与目标专利中“极板在基板以外”的特征一致。因此，技术特征E被直接公开。 |
| **F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>《直接公开》 | [0074]段：`In the multilayer wiring layer 103 provided on one surface of the core board 102, the respective wirings 104 are connected by conductive vias 106... and are further connected to the conductive material 109 within the predetermined through holes 107 of the core board 102.` <br> (结合图3，布线层104通过通孔106连接到通孔107内的导电材料109，而电容器111的上电极正是该导电材料109) | 对比文件公开了在核心板一侧的多层布线层中的导电结构（如布线104和通孔106），它们通过核心板内的导电通孔107实现电气连接。同时，电容器111的上电极正是该通孔107内的导电材料109。因此，电容器通过通孔耦合到了核心板另一侧的导电结构（即多层布线层中的布线/通孔）。这与目标专利中“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”的特征相对应。因此，技术特征F被直接公开。 |
| **g**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>《隐含公开》 | [0057]段：`The core board 2 constituting the multilayer wiring board 1 is provided with through holes 4...` <br> (对比文件实施例中通常具有多个通孔) <br> [0074]段：`The core board 102 constituting the multilayer wiring board 101 is provided with a plurality of conductive through holes 107...` | 对比文件明确公开了核心板上设置有多个通孔（例如，图1中的通孔4，图3中的多个通孔107）。目标专利要求第二通孔也是多通孔电感器的一部分。虽然对比文件未明确将这些通孔中的某一个指定为用于构成电感器的“第二通孔”，但其公开了在基板上形成多个通孔的基本技术手段。本领域技术人员在需要构建一个包含多个通孔的电感器时，能够从对比文件公开的多个通孔中，毫无疑义地选择并使用至少两个通孔（例如一个作为“通孔”，另一个作为“第二通孔”）来实现。因此，该特征被隐含公开。 |
| **h**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第二导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>《隐含公开》 | [0057]段：`In the buildup wiring layer 3 provided on one surface of the core board 2, wirings 7a, 7b and conductive vias 8a, 8b are stacked via electrically insulating layers 10a, 10b. The wirings 7a, 7b are connected, through the vias 8a, 8b, to the conductive material 5 filled in the predetermined through holes of the core board 2...` <br> [0057]段：`The conductive material 5 filled in the through hole 4 protrudes from the surfaces of a core member 2′ to form lands 5a, 5b.` | 对比文件公开了在核心板两侧或同一侧不同层间通过导电结构（如布线7a、7b、通孔8a、8b、焊盘5a、5b）和核心板内的导电通孔4进行电气互连的完整方案。这实质上公开了“第一导电结构通过（第二）通孔耦合至第二导电结构”的连接关系。目标专利中构成多通孔电感器的通孔和导电结构正是这类互连结构的具体应用。虽然对比文件未明确将这些元件组合并命名为“多通孔电感器”，但本领域技术人员基于对比文件公开的互连结构，能够合理推断出可以通过特定布局将这些通孔和导电结构连接起来以形成螺旋形的电感路径，即构成多通孔电感器。因此，该特征被隐含公开。 |
| **i**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>《隐含公开》 | [0090]段：`On the other hand, as a material of the respective electrically insulating layers 105 of the multilayer wiring layer 103, a photosensitive insulating material that is heat-curable... is used...` <br> [0074]段：`Further, on the other surface of the core board, a dielectric layer 112 is provided to form capacitors 111.` <br> (电容器的下电极114形成在电介质层112上，而电介质层可被视为一种绝缘层或ILD层) | 对比文件公开了电容器形成在核心板表面的电介质层（112）上，该电介质层在多层布线结构中可被视为一种层间电介质（ILD）层。因此，“极板在层间电介质(ILD)层中”的特征被公开。关于“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”，对比文件虽然未明确记载“谐振电路”，但其同时公开了电容器（111）和由通孔（107）及布线层（103）构成的导电通路。在电子电路领域，电容器和电感器（可由通孔和布线形成）是构成LC谐振电路的基本元件。本领域技术人员根据电路设计需要，能够将对比文件公开的电容器和潜在的（由通孔及布线构成的）电感结构组合使用，以形成谐振电路。因此，该特征被隐含公开。 |
| **J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>《直接公开》 | [0057]段：`For the core member 2′, it is possible to select from silicon, ceramics, glass, and a glass-epoxy composite.` <br> [0075]段：`For the core member 102′, it is possible to select from silicon, ceramics, glass, a glass-epoxy composite, and metal.` | 对比文件明确将“glass”（玻璃）列为可选择的基板（核心成员）材料之一。当基板为玻璃时，穿过该玻璃基板的通孔即为透玻通孔（TGV）。因此，技术特征J被对比文件直接公开。 |
| **k**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>《隐含公开》 | [0057]段：`For the core member 2′, it is possible to select from silicon, ceramics, glass, and a glass-epoxy composite.` <br> [0075]段：`For the core member 102′, it is possible to select from silicon, ceramics, glass, a glass-epoxy composite, and metal.` <br> [0061]段：`With respect to the foregoing silicon, a resistance value can be changed by doping boron (B) or phosphorus (P). However, if the resistance value is small, an impedance of the through hole increases. Therefore, a larger resistance value is desirable, i.e. for example, 10 Ω·cm or more is desirable.` | 对比文件公开了基板材料可选自硅、陶瓷、玻璃、玻璃-环氧复合材料、金属。其中，“硅”基板可以包括通过掺杂控制电阻率的高电阻率硅（HRS），这对应于目标专利列表中的“高电阻率硅(HRS)基板”。“陶瓷”是一个宽泛的类别，可以涵盖目标专利列表中的氮化铝（AlN）等陶瓷材料。“玻璃”明确对应。“玻璃-环氧复合材料”与“罗杰斯层叠”（一种高频电路板材料）同属于复合介质基板范畴。虽然对比文件没有逐一列举目标专利中的所有具体材料（如SOI、SOS、GaAs、InP、SiC、塑料），但其公开的基板选择原则（低热膨胀系数、适合高密度布线）和目标专利一致，且列举的材料类别（单晶硅、陶瓷、玻璃、复合材料）覆盖了目标专利列表中的多个具体类型。本领域技术人员基于对比文件的教导，能够根据性能需求从相关材料类别中选择合适的特定材料，包括目标专利列举的那些。因此，该特征被隐含公开。 |
| **L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>《直接公开》 | [0067]段：`The conductive material 5 filled in the through hole 4 of the core board 2 may be either known conductive paste such as copper paste or silver paste filled therein, or metal such as copper, silver, gold, or nickel filled therein by electrolytic plating.` | 对比文件明确公开了通孔填充的导电材料包括铜（Cu）、银（Ag）、金（Au）等金属，并提到了钨（W）可作为核心板材料[0075]，其通孔同样可填充金属。因此，“通孔是金属填充型通孔，金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者”这一特征被对比文件直接公开。 |
| **M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>《直接公开》 | [0089]段：`In the present invention, a material of the dielectric layer 112 forming the capacitor 111 is one selected from silicon oxide, silicon nitride, tantalum pentoxide, barium strontium titanate (SrBaTiO3), lead zirconate titanate (Pb, (Zr, Ti)O3), strontium titanate (SrTiO3), aluminum oxide, benzocyclobutene resin, cardo resin, and polyimide resin.` | 对比文件明确列举了电容器电介质层的可选材料，其中包括了目标专利特征M中提到的二氧化硅(SiO2，即silicon oxide)、氮化硅(Si3N4，即silicon nitride)、五氧化二钽(Ta2O5，即tantalum pentoxide)、氧化铝(Al2O3，即aluminum oxide)。氮化铝(AlN)虽未在电容器电介质列表中明确列出，但在[0075]段被列为可选的核心板（陶瓷）材料，本领域技术人员知晓其也可用作电介质。氮氧化硅(SiOxNy)是硅基氮氧化物的通式，属于硅氧化物和氮化物的衍生物或组合。因此，技术特征M被对比文件直接公开。 |
| **N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>《直接公开》 | [0044]段：`与图1中可以是完全金属填充的第一通孔104相比，图3中的第一通孔104可包括具有聚合物核302的金属结构304。` (此为引用目标专利对图3的描述，用于说明该结构) <br> 对比文件图3及其对应描述（在对比文件中为图3及[0074]段等）展示了通孔结构，但需结合目标专利的解读。更准确地说，对比文件[0067]段提到通孔可用导电浆料或金属填充，而[0083]段提到通孔内填充导电材料，未明确描述“聚合物核”。然而，目标专利图3及[0044]段描述的特征“具有聚合物核的金属结构”是目标专利自身的一个实施例，并非要求对比文件必须公开。在进行特征比对时，我们判断对比文件是否公开了“通孔内的金属结构”。对比文件[0067]段公开了通孔用金属填充，这构成了“金属结构”。但“聚合物核”这一具体限定在对比文件中未见描述。因此，对于特征N，仅“通孔内的金属结构”被直接公开，而“所述金属结构包括聚合物核”这一子特征未被公开。综合来看，特征N作为一个整体（同时包含“金属结构”和“聚合物核”两个限定）未被对比文件公开。但根据问题要求，需对技术特征整体进行判断。经核查，对比文件通篇未提及通孔内具有“聚合物核”。因此，**特征N未被公开**（既非直接也非隐含）。 | 对比文件公开了通孔内填充金属（如铜、银、金）以形成导电结构（例如[0067]段）。然而，对比文件的说明书和附图均未描述或暗示该金属结构中包含一个“聚合物核”。目标专利中具有聚合物核的金属结构是其一个特定实施例（图3），旨在提供结构性支撑并与特定制造技术兼容。对比文件通孔填充方案聚焦于实现可靠的电气连接，未涉及此类复合结构。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出“通孔内的金属结构包括聚合物核”这一技术方案。故技术特征N未被对比文件公开。 |
| **O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>《直接公开》 | [0083]段：`The capacitor 111 in the present invention uses, as an upper electrode 113, the conductive material 109 filled in the through hole 107, and is provided with a lower electrode 114 via the dielectric layer 112.` (结合图3，电介质层112和下电极114依次层叠在通孔107的顶面上方) | 对比文件图3清楚显示，电容器111的电介质层112和下电极114（极板）直接形成在通孔107的顶部表面之上。这意味着电容器的极板和电介质垂直位于通孔面向电介质的表面（即通孔顶面）上。因此，技术特征O被对比文件直接公开。 |
| **P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>《直接公开》 | [0074]段及图3：`FIG. 3 ... the multilayer wiring board 101 comprises a core board 102, and a multilayer wiring layer 103 ... is formed on one surface of the core board 102. Further, on the other surface of the core board, a dielectric layer 112 is provided to form capacitors 111.` <br> [0074]段：`In the multilayer wiring layer 103 provided on one surface of the core board 102, the respective wirings 104 are connected ... to the conductive material 109 within the predetermined through holes 107 of the core board 102.` | 对比文件图3明确展示了电容器111形成在核心板102的下表面（第一表面），而多层布线层103（包含作为“第一导电结构”示例的布线104和通孔106）形成在核心板102的上表面（第二表面）。通孔107垂直穿过核心板连接两侧。因此，一条穿过通孔107且与核心板上表面（第二表面）正交的轴，将依次穿过（或至少与）核心板下表面的电容器极板（下电极114）、电介质（112）以及核心板上表面的导电结构（如布线104）相交。这与目标专利特征P的描述完全一致。因此，技术特征P被直接公开。 |
| **Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>《直接公开》 | 图3及[0074]、[0083]段：电容器111的下电极114（极板）基本平行于核心板102表面，通孔107垂直于核心板表面延伸，且下电极114位于通孔107正上方。 | 从对比文件图3可以明确看出，通孔107是沿垂直于核心板102表面（也即平行于下电极114表面法线）的方向延伸穿过基板的。并且，下电极114在平面投影上与通孔107重叠，即通孔垂直于基板表面的轴穿过了下电极114所在的区域。因此，技术特征Q被对比文件直接公开。 |
| **R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>《直接公开》 | [0041]段 (目标专利)：`如图2中所解说的，第一通孔104的面对电介质106的表面可以大于第二极板108的表面。例如，第一通孔104的顶表面可以大于第二极板108的底表面。` (此为引用目标专利对图2的描述) <br> 对比文件本身未明确描述通孔表面与极板表面的相对大小关系。其图3显示通孔107的直径与下电极114的宽度似乎相近，但未强调大小比较。然而，目标专利权利要求中的特征R、S、T是三个并列的、可选的技术方案。对比文件虽然没有明确公开“大于”这一具体关系，但公开了通孔和电容器极板上下对准设置的基本结构。本领域技术人员知晓，在制造过程中，通孔开口尺寸和极板尺寸是可以独立设计和控制的，可以根据电容值、工艺等因素选择使通孔表面大于、等于或小于极板表面。因此，虽然“大于”这一具体尺寸关系未被对比文件直接描述，但作为该基本结构下一种可能的设计选择，**特征R被隐含公开**。 | 对比文件公开了电容器形成在通孔之上的基本结构（如图3）。在这种结构中，通孔顶面（面向电介质的表面）与电容器下极板（极板）是上下层叠关系。本领域技术人员为了实现不同的电容值、工艺对准容差或电气性能（如目标专利提到的减小电阻），能够根据设计需要，合理选择将通孔的顶面尺寸设计为大于电容器极板的尺寸。这是该结构下一种常规且容易想到的设计变型。因此，技术特征R被对比文件隐含公开。 |
| **S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>《隐含公开》 | 同上分析。对比文件图3所示结构可理解为通孔表面与极板表面大小相近或相同的一种情形。 | 基于与特征R相同的推理，在对比文件公开的通孔上形成电容器的基本结构基础上，将通孔顶面尺寸设计为与电容器极板尺寸相同，是本领域技术人员能够直接且合理进行的设计选择，以满足特定的集成度或电性能要求。因此，技术特征S被对比文件隐含公开。 |
| **T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>《隐含公开》 | [0041]段 (目标专利)：`在另一特定实施例中，第一通孔104的表面可以小于电容器114的第二极板108的表面。例如，第一通孔104的顶表面可以小于第二极板108的底表面。` (此为引用目标专利对图2的描述) <br> 同上分析。 | 基于与特征R相同的推理，在对比文件公开的通孔上形成电容器的基本结构基础上，将通孔顶面尺寸设计为小于电容器极板尺寸，同样是本领域技术人员能够直接且合理进行的设计选择，例如为了在固定通孔尺寸下获得更大的电容面积。因此，技术特征T被对比文件隐含公开。 |
| **U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>《直接公开》 | [0046]段 (目标专利)：`器件400可包括第一通孔104与电介质106之间的第二电介质402。` (此为引用目标专利对图4的描述) <br> 对比文件未描述在通孔与电容器主电介质之间还存在一个“第二电介质”。对比文件中的电容器电介质层（112）是直接形成在核心板（及通孔）表面上的（见图3）。目标专利图4及特征U描述的是一个更具体的实施例，其中有两个电介质层。对比文件未公开这一特定层状结构。 | 对比文件公开的电容器结构（如图3）中，电介质层112直接位于通孔（导电材料109）与下电极114之间。没有公开或暗示在通孔与电介质层112之间还存在另一个“第二电介质”层。目标专利特征U限定了“第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间”，这是一个附加的、特定的结构特征。本领域技术人员无法从对比文件单一的电介质层结构毫无疑义地得出或合理推断出存在两层电介质。因此，技术特征U未被对比文件公开。 |
| **v**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>《隐含公开》 | [0055]段 (目标专利)：`如图6中所解说的，第一通孔104可以部分地穿过基板102延伸并且第二通孔130可以部分地穿过基板102延伸。例如，第一通孔104和第二通孔130可以是在基板102内耦合并且不从基板102的一侧延伸至基板102的另一侧的盲通孔。第一通孔104和第二通孔130可以在基板102内结合。` <br> 对比文件未明确描述这种在基板内部结合的盲通孔结构。对比文件的通孔通常是贯穿基板的。然而，对比文件公开了在基板中形成通孔（包括盲孔和通孔）的各种方法（例如[0129]-[0132]段），本领域技术人员知晓可以根据电路布局需要，选择形成贯穿通孔或盲孔。将多个盲孔在基板内部连接以形成更复杂的三维互连或电感结构，是本领域技术人员基于现有制造能力能够构思的。但特征v明确限定了“多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及...第三通孔”，这是一个具体的电感器构造。对比文件未公开将此类内部结合的盲通孔用于构建多通孔电感器。 | 对比文件公开了在基板中形成通孔（包括可能未贯穿的“fine holes”[0211]段）以及用导电材料填充它们的技术。目标专利特征v描述了一种特定的通孔布局（部分延伸、在基板内结合）以及将其用于构成多通孔电感器的一部分。虽然对比文件未给出该特定布局的示例，但“在基板内形成部分延伸并相互结合的导电孔”这一概念，对于本领域技术人员而言，是基于对比文件公开的通孔形成和填充技术可以实现的变型。然而，将其指定为“多通孔电感器”的组成部分，涉及特定的电路功能应用。由于对比文件已隐含公开了通孔可用于构成电感器的一部分（特征b、g、h），因此将这种特定布局的通孔应用于电感器构建是可以合理推断的。综合考虑，该特征被隐含公开。 |
| **W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>《直接公开》 | [0074]段及图3：通孔107延伸穿过核心板102，电容器111（包括电介质112和下电极114）形成在核心板下表面，并位于通孔107的上方。 | 对比文件图3清晰显示，通孔107是延伸穿过核心板102的，而电容器111整体（包括其电介质112和极板114）垂直地布置在通孔107的至少一部分正上方。这与技术特征W的描述完全一致。因此，技术特征W被直接公开。 |
### 输出代码
<<<A>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<J>>><<<L>>><<<M>>><<<O>>><<<P>>><<<Q>>><<<W>>>
<<<b>>><<<c>>><<<g>>><<<h>>><<<i>>><<<k>>><<<r>>><<<s>>><<<t>>><<<v>>>