对比文件名称：2012-12-04_US8324984B_发明授权_US08324984B2 Variable bandwidth tunable silicon duplexer
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述与公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A《直接公开》 | 在摘要、背景技术、详细描述部分多次提及“single silicon chip”、“silicon chip”、“IC chip”或“on-chip”。例如，说明书第[0025]段：“The duplexer can be made with low cost lower Q inductors.”，以及第[0030]段：“The tunable duplexer is fabricated substantially on a single integrated circuit chip.”。 | 本领域技术人员能够毫无疑义地确定，在集成电路芯片上实施电路必然包含一个基板（例如硅基板）。对比文件明确其双工器电路主要制造在单个集成电路芯片上，因此基板这一特征被直接公开。 |
| 技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔。 | 对比文件没有明确描述“至少部分地穿过所述基板延伸”的通孔结构。说明书第[0035]段提及“via”，例如图4中的V1：“The inductors 315 and 316 in filter blocks 306 and 308 may be on-chip or off-chip.” 结合图4，V1是连接点，但未描述其物理结构为穿过基板的通孔。电感器L1、L2、L3等被描述为分立元件或可能集成，但未与特定通孔结构关联形成“多通孔电感器”。 | 对比文件未直接描述“至少部分地穿过基板延伸”的通孔。虽然集成电路中通常存在连接不同金属层的通孔（via），但对比文件未明确描述此类通孔用于形成电感器的一部分。本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出“至少部分地穿过基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔”这一具体技术特征。 |
| 技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构。 | 对比文件未描述由通孔和基板上的导电结构构成的多通孔电感器。说明书附图3、4显示电感器符号（如L1, L2, L3），但未揭示其物理实现结构。 | 对比文件未公开“多通孔电感器”这一特定结构。其电路图中的电感器是作为分立或集成的元件符号出现，并未揭示其由通孔和基板上的导电结构构成。本领域技术人员无法从对比文件内容中合理推断出该特征。 |
| 技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间。 | 对比文件公开了包含电容器（如变容二极管，varactor）的谐振电路。例如，说明书第[0030]段：“Each section can be designed using well-known filter design techniques...”，以及图3、4中所示的包含电容器（如C8）的滤波电路。然而，对比文件未描述任何电容器的物理结构，特别是未描述其电介质位于一个“通孔”与“极板”之间。 | 对比文件仅公开了电容器作为电路元件存在于滤波器中，但未公开其具体的三维物理结构，尤其未公开“电容器的电介质位于通孔与电容器的极板之间”这一关键结构特征。本领域技术人员无法从电路符号或功能描述中毫无疑义地得出或合理推断出该具体物理布局。 |
| 技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。 | 对比文件未描述任何电容器的物理结构，因此无法确定其极板的位置。 | 由于对比文件未公开电容器的具体物理结构，因此“极板在基板以外”这一位置特征未被公开。本领域技术人员无法从对比文件推断出该特征。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。 | 对比文件未描述技术特征C中的“多通孔电感器”及其“导电结构”，因此该进一步限定的特征也无从谈起。图4中电容器C8的一端通过节点（可能包含通孔V1）连接到电感L2，但这属于电路连接关系，并非对“第一导电结构”的物理结构限定。 | 对比文件未公开“多通孔电感器”及“第一导电结构”的物理结构，因此“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”这一具体的物理连接结构未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分。 | 对比文件未描述“多通孔电感器”，也未描述“第二通孔”及其与电感器的关系。 | 对比文件未公开由通孔构成的电感器结构，因此“第二通孔”作为其一部分的特征未被公开。 |
| 技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。 | 对比文件未描述“多通孔电感器”、“第一导电结构”、“第二通孔”或“第二导电结构”。 | 对比文件完全未涉及该技术特征所描述的复杂三维互连电感结构。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。 | 对比文件未描述电容器极板的具体位置（如ILD层中）。虽然对比文件提到了LC谐振电路（如由L和C构成的谐振回路），例如说明书背景技术部分提及的“L-C resonant circuit”，但未将其与“多通孔电感器”这一特定结构关联。 | 对比文件未公开“极板在层间电介质(ILD)层中”这一具体结构特征。同时，其公开的谐振电路（由电感和电容组成）是电路功能上的，并非目标专利中具有特定三维结构的“多通孔电感器和电容器”的组合。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。 | 对比文件明确其基板为硅（silicon），例如“silicon chip”、“silicon duplexer”。未提及玻璃型基板或透玻通孔（TGV）。 | 对比文件公开的基板材料（硅）与目标专利权利要求中明确列举的“玻璃型基板”不同。因此，“基板包括玻璃型基板”和“通孔包括透玻通孔”这两个特征均未被对比文件公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板。 | 对比文件仅提及“silicon chip”，即硅基板。未提及权利要求中列举的其他任何具体基板材料。 | 对比文件公开的基板材料（硅）仅是目标专利权利要求中列举的多种材料中的一种可能性（SOI是硅的一种形式，但对比文件未明确为SOI），但并未公开这些材料作为一个可选集合，也未公开除硅之外的其他任何具体材料。因此，该以“包括”方式限定的基板材料集合未被公开。 |
| 技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者。 | 对比文件未描述任何通孔的填充材料。 | 对比文件未公开通孔的具体构成材料，因此“金属填充型通孔”及其具体金属材料均未被公开。 |
| 技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。 | 对比文件未描述电容器电介质的具体材料。其变容二极管（varactor）的电介质可能是半导体PN结或铁电材料等，但未明确。 | 对比文件未公开电容器电介质的具体材料，特别是未公开目标专利权利要求中列举的特定介电材料列表中的任何一种。 |
| 技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。 | 对比文件未描述任何通孔的内部结构。 | 对比文件未公开通孔具有“金属结构”且该结构“包括聚合物核”这一具体特征。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。 | 对比文件未描述电容器与通孔之间的任何三维空间位置关系。 | 对比文件未公开电容器极板和电介质在空间上垂直位于通孔表面之上这一关键的垂直集成结构特征。这是目标专利的核心创新点之一。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。 | 对比文件未描述电容器、通孔、导电结构之间如此具体的三维空间位置关系和几何对准关系。 | 对比文件未公开该技术特征所描述的精确的三维堆叠和对准关系。 |
| 技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。 | 对比文件未描述通孔的延伸方向与电容器极板表面的空间关系。 | 对比文件未公开通孔延伸方向与电容器极板区域相交这一具体的空间位置关系。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 对比文件未公开通孔表面与电容器极板表面的尺寸对比关系。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 对比文件未公开通孔表面与电容器极板表面的尺寸对比关系。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 对比文件未公开通孔表面与电容器极板表面的尺寸对比关系。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。 | 对比文件未描述电容器的多层电介质结构。 | 对比文件未公开电容器具有位于通孔与（第一）电介质之间的“第二电介质”这一特征。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。 | 对比文件未描述任何“部分地延伸穿过基板”的通孔，也未描述多个通孔在基板内结合以形成电感器。 | 对比文件未公开该技术特征所描述的复杂的、由多个通孔（包括盲孔）在基板内互连形成的电感器结构。 |
| 技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。 | 对比文件未描述“通孔延伸穿过基板”的具体结构，也未描述电容器组件垂直位于通孔之上。 | 对比文件未公开“通孔延伸穿过基板”这一完整通孔结构，更未公开电容器垂直集成于该通孔之上的三维布局。这是目标专利的核心结构，未被对比文件公开。 |
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