**对比文件名称**：2005-01-13_JP2005011980A_发明专利_JP2005011980A Method for detecting position
**目标专利名称**：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**本次调用的模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>《直接公开》 | 【０００１】 本発明は、一般には、位置検出方法に係り、特に、ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、ＣＣＤ、磁気ヘッド等の各種デバイスを製造する際に使用される露光装置において、ウェハ等の物体の位置を検出する位置検出方法に関する。<br>（本发明一般涉及位置检测方法，特别是用于在制造诸如IC、LSI等半导体芯片、液晶显示器（LCD）、CCD、磁头等各种器件时使用的曝光装置中检测晶圆等物体位置的位置检测方法。） | 对比文件明确记载了“ウェハ”（晶圆）。在半导体技术领域，晶圆是制造半导体器件时承载电路的基础基板。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件中的“ウェハ”即为一种“基板”。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件全文涉及位置检测方法及对准标记结构，未提及任何“通孔”结构，更没有提及该通孔用于形成“多通孔电感器的一部分”。目标专利中的“通孔”是构成电感器的导电结构，而对比文件中的“通孔”概念完全不同（即使有类似结构，也是用于光学对准的标记凹槽或凸起，而非导电元件）。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开“多通孔电感器”、“第二通孔”以及连接它们的“导电结构”。这些是构成目标专利中谐振电路的电感器组成部分，在对比文件的位置检测技术中完全没有对应或可合理推理出的内容。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件全文未提及“电容器”、“电介质”或“极板”。目标专利的核心在于电容器与通孔的集成结构，而对比文件的技术领域（光学位置检测）和内容完全未涉及此类无源电子元件及其结构。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 由于对比文件未公开“电容器”及其“极板”，因此更无从谈起极板是否位于基板以外。该技术特征依赖于特征D，在特征D未被公开的前提下，该特征也未被公开。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开“导电结构”、“第一导电结构”以及电容器通过通孔耦合至该结构的技术方案。这些是目标专利中电路连接关系的具体描述，在对比文件中无任何对应。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开“第二通孔”以及由通孔构成的“多通孔电感器”。该特征是对电感器构成的进一步限定，在对比文件中无任何基础。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何“第二导电结构”以及由多个通孔和导电结构组成的“多通孔电感器”的具体拓扑连接关系。该技术特征在对比文件中无任何记载或暗示。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开“层间电介质(ILD)层”、“谐振电路”、“多通孔电感器”或“电容器”。该特征涉及多层互连结构中的电容器位置以及电路功能，与对比文件的技术内容完全无关。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件提及的基板是用于制造半导体器件的“ウェハ”（晶圆），通常为硅基板，并未提及“玻璃型基板”。同时，也未提及“透玻通孔”(TGV)。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件仅一般性地提及“ウェハ”（晶圆），并未具体公开或暗示其所列举的任何一种特定基板材料（如玻璃基板、GaAs基板等）。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何“金属填充型通孔”。其描述的对准标记是形成在晶圆表面的图案（凹槽或凸起），并非用于导电的金属填充通孔。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开“电介质”，更未公开构成该电介质的任何具体材料。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何具有“聚合物核”的“金属结构”填充的“通孔”。该特征涉及通孔的内部复合结构，在对比文件中无任何对应。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 由于对比文件未公开“电容器”、“极板”、“电介质”以及作为电容器一部分的“通孔”，因此该描述电容器与通孔垂直堆叠位置关系的特征无从谈起。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 该特征详细描述了电容器、通孔、导电结构与基板表面的三维空间位置关系。对比文件完全没有公开构成该关系的任何元件（电容器、作为电极的通孔、第一导电结构）及其布局。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 该特征描述了通孔延伸方向与极板表面的空间关系。由于对比文件未公开作为电容器电极的“通孔”和“极板”，因此该空间关系特征也未被公开。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 该特征比较通孔表面与极板表面的相对尺寸。由于对比文件未公开“通孔”（作为电容器电极）、“电介质”和“极板”，因此该尺寸比较特征也未被公开。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 同上，该尺寸关系特征在对比文件中无任何基础。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 同上，该尺寸关系特征在对比文件中无任何基础。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。由于对比文件未公开“电容器”、“电介质”或“第二电介质”，因此该特征未被公开。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 该特征详细描述了多通孔电感器内多个盲孔在基板内结合的具体结构。对比文件未公开任何“通孔”、“第二通孔”、“第三通孔”或“多通孔电感器”。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 该特征描述了电容器垂直堆叠在贯穿基板的通孔之上的结构。对比文件未公开“延伸穿过基板的通孔”、“电容器”、“极板”或“电介质”。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
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