对比文件名称：JP2003017968A Layered filter
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板《直接公开》 | 【０００６】複数のチップ分のインダクタ導体およびコンデンサ電極と共に絶縁体層を複数層積層し、該積層された材料を個々のチップごと切断することにより、複数個のＬＣ共振回路を内蔵して構成されるチップ状の積層フィルタ<br>【００１３】１は積層体でなる積層フィルタ | 对比文件明确公开了由多个绝缘体层（絶縁体層）堆叠形成的层叠体（積層体），该层叠体构成滤波器芯片的基体。该“积层体”或“绝缘体层”的堆叠结构即相当于基板（基板）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔《直接公开》 | 【０００３】インダクタ導体を断面形状が円形のスルーホール導体によって構成している。<br>【０００６】LC共振回路のインダクタ導体は、積層方向に形成し積層されて連続する断面形状が円形のスルーホール導体により構成されると共に<br>【００１３】４、５は積層フィルタ１の内部に矢印Ｘで示す積層方向に連続して形成されたインダクタ導体であり、それぞれ前記インダクタＬ１、Ｌ２を構成するものである。該インダクタ導体４、５はスルーホールに設ける導体（スルーホール導体）により、断面形状が円形に構成される。<br>【００１７】４ａ〜４ｇ、５ａ〜５ｇはそれぞれこれらが積み重ねられて連続的に接続されることにより前記インダクタ導体４、５を構成する各層のインダクタ導体である。 | 对比文件明确公开了电感导体（インダクタ導体）是由圆形截面的通孔导体（スルーホール導体）沿堆叠方向形成并连续堆叠而成的（例如4a-4g、5a-5g堆叠形成电感L1、L2）。这些通孔导体穿过绝缘体层（即基板）延伸，并构成了电感器（多通孔电感器）的一部分。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件描述了由多个通孔导体（如4a-4g）在堆叠方向上连续堆叠形成电感导体4，这些通孔导体在垂直方向上直接相连，构成电感器。但对比文件没有公开任何设置在所述基板（绝缘体层）表面上、用于连接两个通孔（例如连接通孔4a和另一个通孔）的“导电结构”。电感器完全由垂直堆叠的通孔导体构成，中间没有使用位于基板表面的独立导电结构进行连接。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该特征。 |
| 技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间《未公开》 | 【００１０】１０ａ〜１０ｃはグランド電極６と共に前記コンデンサＣ１を構成するコンデンサ電極である。１１ａ〜１１ｃはグランド電極７と共に前記コンデンサＣ２を構成するコンデンサ電極である。<br>【００１３】６、７は積層方向の両端に設けたグランド電極、８、９は積層フィルタの上面と下面（これらのいずれかが実装面となる）に設けたグランド電極である。 | 对比文件公开了由电容器电极（コンデンサ電極，如10a-10c）和接地电极（グランド電極，如6、7）构成的电容器（C1、C2）。然而，这些电容器电极和接地电极均形成在绝缘体层（基板）的平面上，与构成电感器的通孔导体（4,5）在空间上是分离的。电容器并未“耦合至所述通孔”（即电感通孔），更没有公开电容器的电介质位于所述通孔与电容器的极板之间这一关键结构。电容器和电感器是通过平面上的引出导体（12,13）进行电连接，而不是通过通孔本身直接构成电容器的一部分。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外《隐含公开》 | 【００１０】１０ａ〜１０ｃはグランド電極６と共に前記コンデンサＣ１を構成するコンデンサ電極である。１１ａ〜１１ｃはグランド電極７と共に前記コンデンサＣ２を構成するコンデンサ電極である。<br>【図２】層構造図显示了电容器电极（10a-10c, 11a-11c）形成在绝缘体层（1a-1i）的表面或层间。 | 对比文件公开的电容器电极（如10a-10c）是形成在绝缘体层（基板）上的导体图案。根据本领域技术人员的常规理解，形成在基板表面或层间的导体图案（即电容器的极板）是位于构成器件主体的绝缘体层（基板）之外的。因此，可以合理推断电容器的极板在基板以外。该特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构《未公开》 | 无对应描述。 | 如对特征C和D的分析，对比文件既未公开用于连接通孔的“第一导电结构”，也未公开电容器通过所述通孔耦合至任何导电结构。电容器与电感器的连接是通过平面上的引出导体（12,13）实现的。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件中的电感器（如L1）由一组连续堆叠的通孔导体（如4a-4g）构成，这些通孔导体共同形成一个电感路径。对比文件没有区分“通孔”和“第二通孔”作为电感器中不同的、需要相互连接的部分。所有通孔导体是串联堆叠以形成单一电感器的，没有公开一个独立的“第二通孔”与第一个通孔通过其他结构耦合以形成多通孔电感器的概念。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构《未公开》 | 无对应描述。 | 基于对特征C、F、G的分析，对比文件均未公开“第一导电结构”、“第二通孔”、“第二导电结构”以及它们之间的连接关系。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器《直接公开》 | 【０００６】複数個のＬＣ共振回路を内蔵<br>【００１２】インダクタＬ１とコンデンサＣ１からなるＬＣ共振回路と、インダクタＬ２とコンデンサＣ２とからなるＬＣ共振回路<br>【００１６】１ａ〜１ｉは前記積層フィルタ１の基体を構成する絶縁体層であり | 对比文件明确公开了滤波器包含由电感（L1, L2）和电容（C1, C2）组成的LC谐振电路（ＬＣ共振回路），这公开了“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”。同时，电容器电极（极板）形成在绝缘体层（絶縁体層，如图2中的1a-1i）之间或之上，这些绝缘体层在多层结构中起到隔离和支撑导体层的作用，其功能与本领域的层间电介质（ILD）层相同。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件公开的绝缘体层（基板）材料可以是树脂或树脂与功能粉末的复合材料（【０００８】、【００１８】），并未提及玻璃型基板。通孔是形成在这些绝缘体层中的“スルーホール”，也未提及是穿透玻璃的“透玻通孔（TGV）”。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《未公开》 | 【０００８】前記絶縁体層が、樹脂、または該樹脂に粉末状の機能材料を混合した複合材料でなる<br>【００１８】樹脂としては、エポキシ樹脂、ビニルベンジル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ）等が用いられる。 | 对比文件仅公开了基板（绝缘体层）由树脂或树脂复合材料构成，具体列举了环氧树脂、乙烯基苄基树脂等聚合物材料。并未公开目标专利权利要求K中列举的玻璃、石英、SOI、SOS、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠（Rogers laminate）等具体基板材料。塑料基板虽属于广义的树脂材料，但权利要求K中列举的是“塑料基板”这一具体类型，而对比文件公开的是构成绝缘层的“树脂”材料，两者在结构和功能上存在差异（基板 vs. 绝缘层材料），不能视为直接公开。且对比文件未隐含公开其他材料。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《直接公开》 | 【００２５】導体としては、銅、銀、ニッケル、錫、亜鉛、アルミニウムなどを用いることができる。<br>【００２６】この湿式メッキによる導体形成には銅等を用いることができる。<br>【００２７】インダクタ導体４、５の形成工程においては、ドリル、パンチあるいはレーザによりスルーホールを開け、その内壁に導体を湿式メッキするかまたは導電性ペーストを充填する。 | 对比文件在描述通孔导体（スルーホール導体）的形成时，明确指出可以通过电镀（湿式メッキ）或导电膏（導電性ペースト）填充来形成导体，并列举了可用的导体金属包括铜（銅）、银（銀）等（【００２５】）。因此，对比文件直接公开了通孔是金属填充型，且金属包括铜、银等，涵盖了目标专利权利要求L中列举的金属（Cu, Ag）。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者《未公开》 | 【００１８】絶縁体層（誘電体層または磁性体層）を樹脂によって構成することにより...<br>【００２０】誘電体粉末として、比較的高い誘電率を得る場合は、例えばＢａＴｉＯ3−ＢａＺｒＯ3系、ＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ3系、ＢａＯ−４ＴｉＯ2系等のセラミック誘電体粉末や、誘電体単結晶粉末、誘電体皮膜を有する金属粉末等が用いられる。また、比較的低い誘電率のものを得る場合は、アルミナ等低い誘電率粉末を用いる。 | 对比文件公开的电介质材料是用于绝缘体层的树脂或树脂与陶瓷介电粉末（如BaTiO3基、BaO-TiO2-Nd2O3系、氧化铝等）的复合材料。并未提及目标专利权利要求M中列举的二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)。虽然“氧化铝（アルミナ）”在对比文件中作为低介电率粉末被提及，但这是在绝缘层复合材料成分的上下文中，而非特指电容器中位于极板间的特定电介质层材料。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核《未公开》 | 【００２７】メッキによる行う場合、メッキ厚が薄く、スルーホール内に空洞が生じる場合にはその空洞を樹脂により塞ぐとよい。<br>【００２９】樹脂による穴埋めは、プリプレグの積層におけるプレス圧でプリプレグがスルーホール内に流れることを防ぐためである。 | 对比文件提到，在通过电镀形成通孔导体时，如果镀层薄导致孔内产生空洞，可以用树脂（樹脂）填充该空洞。此外，在形成输入输出端子的通孔时，也用树脂填充以防止后续工艺中预浸料流入。这些描述涉及的是通孔形成后对空洞或特定通孔的填充，目的是工艺优化，而非构成通孔导体的核心部分。其并未公开通孔内存在一种包含“聚合物核”的“金属结构”。目标专利的“金属结构包括聚合物核”是指通孔主体由金属和聚合物核心构成（如图3的304和302），而对比文件描述的是对已完成金属化的通孔内可能存在的空隙进行树脂填充，或对非电感通孔进行填充，两者技术方案和作用不同。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件中的电容器（由电极10a-10c与地电极6构成）和电感器（由通孔导体4、5构成）在结构上是分离的。电容器电极位于绝缘体层的平面上，而电感通孔垂直穿过绝缘体层。没有任何文字或图示表明电容器的极板或电介质“垂直位于”电感通孔（即技术特征B中的通孔）的表面上。两者在空间上是独立的部件。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交《未公开》 | 无对应描述。 | 该特征定义了电容器、通孔和第一导电结构之间特定的三维空间位置关系。对比文件未公开任何“第一导电结构”，也未描述电容器与通孔之间如此精确的垂直对齐关系（轴相交）。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交《未公开》 | 无对应描述。 | 该特征要求通孔的延伸方向垂直于电容器极板表面，且通孔的轴与极板区域相交。对比文件中，电感通孔（4,5）沿堆叠方向（垂直于层平面）延伸，电容器极板（如10a）平行于层平面。但未有任何信息表明通孔的轴与电容器极板的区域在垂直方向上相交（即重叠）。相反，从图1(C)和描述看，电感通孔和电容器电极在平面布局上是分开的。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件未描述通孔（电感通孔）的哪个表面是“面向电介质的表面”，也未将其与电容器极板的表面积进行比较。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同《未公开》 | 无对应描述。 | 同上，对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的面积关系。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面《未公开》 | 无对应描述。 | 同上，对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的面积关系。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件未描述电容器具有两层电介质，更未描述第二电介质位于通孔与（第一）电介质之间这样的结构。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件中的电感器由一系列在堆叠方向上连续的通孔导体（如4a-4g）构成，这些通孔导体在垂直方向上对齐并连接，形成贯穿多个层的单一电感路径。没有公开“第二通孔部分地延伸穿过基板”或“通孔和第二通孔在基板内结合”的结构，也没有提及“第三通孔”。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上《未公开》 | 【００１３】インダクタ導体４、５はスルーホールに設ける導体（スルーホール導体）により、断面形状が円形に構成される。 | 对比文件公开了通孔导体（スルーホール導体）延伸穿过由多层绝缘体层堆叠构成的基板（积层体）。然而，如对特征O和Q的分析，对比文件没有公开电容器的极板或电介质“垂直位于”该通孔之上。电容器和电感通孔在结构上是分离的。因此，该特征未被公开。 |
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