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**对比文件名称：** 2008-05-29_US2008121417A_发明申请_US20080121417A1 PACKAGE SUBSTRATE HAVING EMBEDDED CAPACITOR
**目标专利名称：** 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**调用的模型名称：** 深度分析模型
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### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A. 包括：基板** <br>《直接公开》 | [0028] ...core circuit board 210...（核心电路板210）<br>[0033] ...core board 310...（核心板310）<br>[0035] ...core circuit board 410...（核心电路板410）<br>[0038] ...core circuit board 510...（核心电路板510） | 对比文件明确公开了“core circuit board”（核心电路板）或“core board”（核心板），这是构成封装基板的基础部件，其作用与目标专利中的“基板”相同，都是为整个器件提供结构支撑和电气连接的平台。因此，本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征已被直接公开。 |
| **B. 至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** <br>《未公开》 | [0028] ...core circuit board 210 has at least one conductive through hole 216.（核心电路板210具有至少一个导电通孔216。）<br>[0035] ...conductive through hole 414...（导电通孔414）<br>[0037] ...conductive through hole 450...（导电通孔450） | 对比文件确实公开了“至少部分地穿过所述基板延伸”的“通孔”（如导电通孔216、414、450）。但是，目标专利中该通孔的特定作用在于“形成多通孔电感器的一部分”。对比文件的通孔仅用于在基板不同层间进行电气互连（connect the upper and lower copper foils），并未描述或暗示其与其它通孔和导电结构共同构成一个电感器。因此，该通孔在对比文件中的作用与目标专利中作为电感器组成部分的作用不同，也未公开“多通孔电感器”这一概念。 |
| **C. 所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br>《未公开》 | [0028] ...a wiring layer for transmitting signals is formed.（形成用于传输信号的布线层。）<br>[0030] ...first metal layer 242... second metal layer 244...（第一金属层242...第二金属层244） | 对比文件公开了在基板上设置金属层/布线层作为导电结构。然而，目标专利中该“导电结构”是“多通孔电感器”的组成部分，其特定作用是连接两个通孔以形成电感。对比文件的导电结构（如布线层、金属层）仅用于一般性的信号传输和电气连接，并未被描述为与多个通孔耦合以形成电感元件。因此，该特征未被公开。 |
| **D. 耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** <br>《隐含公开》 | [0029] As shown in FIG. 2, the embedded capacitor 230 of the present invention is disposed in the dielectric layer 220.（如图2所示，本发明的嵌入式电容器230设置在介电层220中。）<br>[0029] ...the embedded capacitor 230 can be disposed in the first dielectric layer 222 underneath the conductive through hole 216.（嵌入式电容器230可以设置在导电通孔216下方的第一介电层222中。）<br>[0030] ...the embedded capacitor 230 is embedded in the dielectric layer 220.（嵌入式电容器230嵌入在介电层220中。） | 对比文件图2和说明书描述了嵌入式电容器230位于介电层220中，并且可以设置在导电通孔216下方。虽然对比文件没有明确画出或描述电介质具体位于通孔216和电容器的一个极板之间，但根据电容器的基本结构（两个极板之间夹有电介质）以及其与通孔的电连接关系，本领域技术人员可以合理推断，为了使电容器与通孔电耦合，电容器的其中一个极板必然通过某种方式（例如直接接触或通过导电插塞）连接到通孔。一旦连接，电容器的电介质自然就位于该连接的极板与另一极板之间。因此，从“电容器嵌入在介电层中并与通孔电连接”这一公开内容，可以隐含推导出“电容器的电介质位于（电连接至电容器的）通孔与电容器的另一极板之间”这一技术特征。 |
| **E. 并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。** <br>《直接公开》 | [0029] ...the embedded capacitor 230 of the present invention is disposed in the dielectric layer 220.（本发明的嵌入式电容器230设置在介电层220中。）<br>[0030] The dielectric layer may include a first dielectric layer 222 and a second dielectric layer 224 that covers a first wiring layer 212 and a second wiring layer 214 of the core circuit board respectively.（介电层可以包括分别覆盖核心电路板的第一布线层212和第二布线层214的第一介电层222和第二介电层224。） | 对比文件明确指出电容器230是“嵌入”在介电层220中的。介电层220是覆盖在核心电路板（基板）210上的附加层。因此，电容器的极板必然位于核心电路板210（即基板）之外。这与目标专利中“极板在基板以外”的特征完全一致。因此，该特征被直接公开。 |
| **F. 其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。** <br>《未公开》 | [0030] ...the first metal layer 242 can be connected to the first wiring layer 212 through a conductive via 226...（第一金属层242可以通过导电孔226连接到第一布线层212...）<br>图2示出了电容器230通过导电结构（例如，可能通过布线层212/214和/或金属层242/244）与通孔216连接。 | 对比文件图2示出了电容器230与通孔216之间存在电连接路径（可能通过布线层和金属层）。然而，目标专利特征F限定了“第一导电结构”是“多通孔电感器”的组成部分，并且“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”。对比文件中的布线层/金属层虽然起到了导电作用，但并未被描述为电感器的一部分。此外，虽然电容器通过一些导电结构与通孔连接，但并未明确该导电结构就是特征C中定义的“第一导电结构”。因此，该特征未被公开。 |
| **G. 其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br>《未公开》 | [0035] ...at least one second conductive through hole 444 of the second core circuit board 440...（第二核心电路板440的至少一个第二导电通孔444...）<br>[0037] ...conductive through hole 450...（导电通孔450） | 对比文件公开了多个通孔（例如216， 414， 444， 450）。然而，这些通孔均未被描述为用于形成“多通孔电感器”的组成部分。它们的作用是互连不同的布线层或金属层。因此，特征G中定义的“第二通孔...形成所述多通孔电感器的第二部分”这一技术方案未被公开。 |
| **H. 第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。** <br>《未公开》 | [0030] ...the first metal layer 242 can be connected to the first wiring layer 212 through a conductive via 226...（第一金属层242可以通过导电孔226连接到第一布线层212...）<br>[0042] ...the first wiring layers 622, 624 are connected to each other through a via hole 616...（第一布线层622， 624通过孔616相互连接...） | 对比文件公开了通过导电孔（如226， 616）连接不同导电层（如金属层、布线层）的结构。但是，目标专利特征H限定了这些结构是“多通孔电感器”的具体组成部分，并且明确了它们之间的耦合关系以形成电感。对比文件的这些连接结构仅用于一般的电路互连，没有形成电感器的意图或描述。因此，该特征未被公开。 |
| **I. 其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。** <br>《未公开》 | [0029] ...the embedded capacitor 230 of the present invention is disposed in the dielectric layer 220.（本发明的嵌入式电容器230设置在介电层220中。） | 对比文件公开了电容器设置在“dielectric layer”（介电层）中，该介电层在多层基板中可视为层间介质。因此，“极板在层间电介质(ILD)层中”可能被隐含。**但是**，特征I还包括“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”。对比文件完全没有提及“多通孔电感器”，更没有公开由电感器和电容器构成的“谐振电路”。因此，特征I作为一个整体技术方案未被公开。 |
| **J. 其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。** <br>《未公开》 | [0028] The core circuit board 210 is, for example, a copper foil substrate with glass fiber and epoxy resin serving as insulating material...（核心电路板210例如是铜箔基板，以玻璃纤维和环氧树脂作为绝缘材料...） | 对比文件公开的基板是“glass fiber and epoxy resin”（玻璃纤维环氧树脂）复合材料基板，这是一种常见的印刷电路板（PCB）基材，而非目标专利所特指的“玻璃型基板”（如纯玻璃、石英、SOI等）。此外，对比文件未提及“透玻通孔”（TGV）这一特定技术。因此，该特征未被公开。 |
| **K. 其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br>《未公开》 | [0028] ...a copper foil substrate with glass fiber and epoxy resin...（带有玻璃纤维和环氧树脂的铜箔基板...）<br>[0033] ...a substrate fabricated using glass fibers and epoxy resin...（使用玻璃纤维和环氧树脂制造的基板...） | 对比文件仅公开了使用玻璃纤维增强的环氧树脂基板（即FR-4类基板），这与目标专利权利要求K中列举的特定基板材料（如纯玻璃、石英、SOI、GaAs等）不同。因此，该具体材料列表的特征未被公开。 |
| **L. 所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br>《直接公开》 | [0028] The method of forming the conductive through hole 216 includes, for example, performing a mechanical drilling to form a through hole and then performing an electrochemical plating to form a layer of conductive material on the inner sidewall of the through hole.（形成导电通孔216的方法包括，例如，进行机械钻孔以形成通孔，然后进行电化学镀以在通孔的内侧壁上形成一层导电材料。） | 对比文件明确公开了通孔是通过电镀形成导电层的“conductive through hole”（导电通孔）。在印刷电路板（PCB）和半导体封装领域，这种通孔通常使用铜（Cu）进行电镀填充，以实现电气连接。虽然未明确列举W、Ag、Au，但Cu是其中最典型和常用的金属。因此，“金属填充型通孔”这一特征被直接公开，且其材料（Cu）落入权利要求L的范围内。 |
| **M. 所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。** <br>《未公开》 | [0030] ...epoxy-ceramic composite with high dielectric constant can be used as the embedded capacitor 230...（高介电常数的环氧树脂-陶瓷复合材料可用作嵌入式电容器230...）<br>[0033] ...epoxy resin-ceramic composite capacitor or other ceramic/polymer composite capacitor...（环氧树脂-陶瓷复合电容器或其他陶瓷/聚合物复合电容器...） | 对比文件公开的电容器介质材料是“环氧树脂-陶瓷复合材料”或“陶瓷/聚合物复合材料”。这与目标专利权利要求M中列举的无机介电材料（如SiO2， Si3N4， Al2O3等）完全不同。因此，该具体的电介质材料特征未被公开。 |
| **N. 其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。** <br>《未公开》 | 未提及。 | 对比文件通篇未描述通孔内具有“聚合物核”的结构。其通孔是采用电镀形成导电层的通孔（可能为空心或实心填充，但未提聚合物核）。因此，该特征未被公开。 |
| **O. 其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。** <br>《未公开》 | [0029] ...the embedded capacitor 230 can be disposed in the first dielectric layer 222 **underneath** the conductive through hole 216.（嵌入式电容器230可以设置在导电通孔216**下方**的第一介电层222中。） | 对比文件图2和文字描述指出电容器230设置在通孔216的“下方”(underneath)。这描述了一种上下位置关系，但“下方”并不意味着“垂直位于...上”。目标专利特征O强调“垂直位于...上”，通常意味着在垂直投影方向上重叠或对准，这是实现电容器直接利用通孔作为下电极或紧密耦合以减少寄生电阻的关键。对比文件的“下方”可能仅仅是空间上的相对位置，不一定存在垂直方向上的重叠关系（例如，可能水平偏移）。因此，该特定的位置关系特征未被公开。 |
| **P. 其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。** <br>《未公开》 | 未提及。 | 该特征限定了电容器、通孔、第一导电结构三者之间精确的空间位置关系（共轴）。对比文件完全没有描述这种特定的几何对准关系。因此，该特征未被公开。 |
| **Q. 其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。** <br>《未公开》 | 未提及。 | 该特征限定了通孔延伸方向与极板表面垂直，且其轴线与极板区域相交。对比文件未描述通孔延伸方向与电容器极板表面的方向关系，也未描述轴线与极板区域相交。因此，该特征未被公开。 |
| **R. 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。** <br>《未公开》 | 未提及。 | 对比文件未比较通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。因此，该特征未被公开。 |
| **S. 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。** <br>《未公开》 | 未提及。 | 对比文件未比较通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。因此，该特征未被公开。 |
| **T. 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。** <br>《未公开》 | 未提及。 | 对比文件未比较通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。因此，该特征未被公开。 |
| **U. 其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。** <br>《未公开》 | 未提及。 | 对比文件描述的电容器是单一介电层的嵌入式电容器（如环氧陶瓷复合材料），未提及在通孔与电容器主电介质之间还存在额外的“第二电介质”。因此，该特征未被公开。 |
| **V. 其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。** <br>《未公开》 | [0042] ...at least one conductive through hole 628 can be used to connect between the first wiring layers 622, 624 and the second wiring layer 626.（至少一个导电通孔628可用于连接第一布线层622、624和第二布线层626。） | 对比文件公开了多个通孔，但未描述其中两个通孔在“基板内结合”，也未将这些通孔描述为构成“多通孔电感器”的元件。因此，该特征未被公开。 |
| **W. 其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。** <br>《未公开》 | [0029] ...the embedded capacitor 230 can be disposed in the first dielectric layer 222 **underneath** the conductive through hole 216.（嵌入式电容器230可以设置在导电通孔216**下方**的第一介电层222中。） | 与特征O类似，对比文件描述了电容器在通孔“下方”，但“下方”不等于“垂直位于...上”。目标专利特征W强调“垂直位于...上”，这是其减少互连电阻设计的关键。对比文件没有公开这种特定的垂直堆叠对准关系。因此，该特征未被公开。 |
### **结论**
根据以上分析，对比文件US2008/0121417A1：
- **直接公开**了技术特征 **A**、**E**、**L**。
- **隐含公开**了技术特征 **D**。
- **未公开**技术特征 **B、C、F、G、H、I、J、K、M、N、O、P、Q、R、S、T、U、V、W**。
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