对比文件名称：JP2003068923A Semiconductor package, its manufacturing method and semiconductor device
目标专利名称：CN105009280B 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A: 包括：基板** <br>《直接公开》 | 【0001】本発明は、...多層配線基板の製造技術に係り、...<br>【0018】...１１ａ， １１ｂ， １１ｃは後述する各プリント配線板のコア材としての**絶縁性基材**...<br>【0026】...プリント配線板のコア材として供される**絶縁性基材１１ａ**を用意し... | 对比文件明确公开了“绝缘性基材”（絶縁性基材），例如11a、11b、11c，其作为印刷布线板的核心材料，构成器件的基础支撑结构，这与目标专利中的“基板”所起到的支撑和承载作用相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **B: 至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，** <br>《未公开》 | 【0018】...１６は積層コア部１０ａの所要箇所に形成された**スルーホール**に充填された導電体...<br>【0036】...積層コア部１０ａの所要箇所に、...**スルーホール３１**を形成する。<br>【0039】...**スルーホール３１**の内部を導電体１６（この場合、Ｃｕ）で充填する。 | 对比文件公开了“通孔”（スルーホール， 例如31）以及填充其中的导体（例如16），这些通孔确实至少部分地穿过绝缘基材（基板）延伸。然而，对比文件中的通孔及其填充导体的作用是为不同层间的电容器电极（配线层12a,14a等）提供电连接【0037】，其功能是互连。目标专利中的通孔明确是“形成多通孔电感器的一部分”。对比文件全文均未提及任何“电感器”结构，更未描述通孔被配置为构成电感器的一部分以实现电感功能。两者作用完全不同。因此，技术特征B未被直接或隐含公开。 |
| **C: 所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br>《未公开》 | 【0018】...１７は導電体１６に電気的に接続されて絶縁層１５上にパターニングにより形成された**配線層**...<br>【0044】...積層コア部１０ａの両面に、...**配線層１７**（パッドを含む）を形成する。 | 对比文件公开了在基板（绝缘层15）上形成的导电结构，例如配线层17，其与通孔中的导体16电连接。然而，如特征B所述，对比文件中不存在“多通孔电感器”。因此，这里的“导电结构”（配线层17）并非用于构成电感器，而是用于构建多层互连和电容器电极的延伸连接。其作用与目标专利中作为电感器组成部分的导电结构不同。因此，技术特征C未被公开。 |
| **D: 耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，** <br>《未公开》 | 【0001】...配線層上に形成した誘電性の樹脂層を利用して**キャパシタ部**を内装した...<br>【0020】...**キャパシタ部**を内装したことを特徴とし、...絶縁性基材１１ａ...の両面に形成した**配線層１２ａ**...上に、...電着法により**樹脂層１３ａ**を形成し、これら樹脂層をそれぞれキャパシタ部の**誘電体層**として利用した...<br>【0032】...**配線層１４ａ**は、キャパシタ部の他方の電極層を構成する。 | 对比文件明确公开了内置的电容器（キャパシタ部），其由第一配线层（12a）、电介质层（树脂层13a）和第二配线层（14a）构成。然而，目标专利的特征D要求“电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”。在对比文件中，电容器的下电极是**配线层12a**，它是一个在绝缘基材11a表面形成的平面布线图案，而不是一个“至少部分地穿过基板延伸的通孔”。虽然对比文件中的电容器下电极（12a）可以通过导体16与通孔电连接，但电介质（13a）是位于平面电极（12a）与上电极（14a）之间，而非位于“通孔”与极板之间。结构位置关系不同，作用也不同（对比文件是平面电容器，目标专利是通孔上集成的电容器）。因此，技术特征D未被公开。 |
| **E: 并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。** <br>《直接公开》 | 【0027】...絶縁性基材１１ａ...の両面に銅箔を熱プレス接着したもの...を用意し、...ウェットエッチングにより...銅箔を除去し...**配線層１２ａ**が形成され得る。...**配線層１２ａ**は、キャパシタ部の一方の電極層を構成する。<br>【0031】...絶縁性基材１１ａ及び樹脂層１３ａの全面に、...Ｃｕ層を形成した後、...**配線層１４ａ**を形成する。...**配線層１４ａ**は、キャパシタ部の他方の電極層を構成する。 | 对比文件中，构成电容器两个电极的配线层12a和14a，是通过在绝缘性基材（基板）11a的表面进行图案化形成的（例如通过蚀刻铜箔）。它们位于基板11a的表面之上，并未嵌入到基板材料内部。这与目标专利中“极板在所述基板以外”的描述完全一致。因此，技术特征E被直接公开。 |
| **F: 其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。** <br>《直接公开》 | 【0018】...１６は積層コア部１０ａの所要箇所に形成されたスルーホールに充填された導電体...<br>【0022】...各配線層１２ａ...に**導電体１６**、各配線層１７，２０、導電体２３及びめっき膜２５を介して電気的に接続されたピン２６はキャパシタ部の一方の電極を構成し...<br>【0037】スルーホール３１は、...その内部に充填される導電体１６を介して各プリント配線板の対応する配線層同士（キャパシタ部の一方の電極層を構成する配線層１２ａ...同士...）を電気的に接続するために設けられる。 | 对比文件公开了：电容器的下电极（配线层12a）通过填充在通孔（スルーホール31）中的导电体16，与位于另一层（例如绝缘层15上）的导电结构（配线层17）电连接。配线层17可被视为“第一导电结构”。因此，电容器（通过其下电极12a）确实通过通孔（16）耦合至第一导电结构（17）。作用均为实现层间电连接。技术特征F被直接公开。 |
| **G: 其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br>《未公开》 | 【0036】...積層コア部１０ａの所要箇所に、...スルーホール３１を形成する。<br>【0048】...ビアホール２２の内部を導電体２３（この場合、Ｃｕ）で充填する。 | 对比文件公开了多个通孔/过孔结构（如スルーホール31、ビアホール22及其填充导体）。然而，如前述，对比文件未公开任何“电感器”结构。这些通孔的作用是实现垂直互连，连接不同层的布线或电容器电极，而非构成电感器。因此，“第二通孔...形成多通孔电感器的第二部分”这一技术特征未被公开。 |
| **H: 第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。** <br>《未公开》 | 【0018】...２０はビアホール１９の内部を充填して樹脂層１８上にパターニングにより形成された**配線層**...<br>【0049】...**配線層２０**は、...ビアホール１９に充填された導電体（Ｃｕ）を介して１層目の配線層１７に電気的に接続されている。 | 对比文件公开了第一导电结构（如配线层17）通过一个过孔（ビアホール19及其填充导体）与第二导电结构（如配线层20）耦合。然而，这整套互连结构的作用是构建多层布线，服务于信号传输或电容器电极扩展连接，并非用于构成“多通孔电感器”。目标专利中该特征限定的结构是电感器本身，而对比文件中仅是互连通路。因此，技术特征H未被公开。 |
| **I: 其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。** <br>《未公开》 | 【0018】...１８は配線層１７及び絶縁層１５上に形成された**樹脂層（絶縁層）**...<br>【0021】...積層コア部１０ａの両面にビルドアップ法により所要層数積層してビルドアップ配線部１０ｂを形成し、多層配線構造とした... | 1. **极板在ILD层中**：对比文件的电容器极板（配线层12a, 14a）形成在绝缘性基材11a的表面，后续的布线层（如17,20）之间也有绝缘层（如18,21）。虽然极板被绝缘材料包围，但对比文件未明确将其描述为“层间电介质(ILD)层”，且其形成工艺和上下文与目标专利的ILD概念不完全相同。但出于宽松的隐含公开判断，可以认为对比文件隐含了极板位于绝缘介质材料中的概念。<br>2. **谐振电路包括多通孔电感器和电容器**：这是本特征的核心。对比文件全文仅描述了电容器用于去耦（デカップリング）以抑制噪声【0002-0003, 0060】，从未提及“谐振电路”，也如前述未公开“多通孔电感器”。因此，由“多通孔电感器和电容器”构成“谐振电路”这一整体技术方案在对比文件中完全没有记载或暗示。技术特征I未被公开。 |
| **J: 其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。** <br>《隐含公开》 | 【0024】...絶縁性基材１１ａ， １１ｂ， １１ｃ には、例えば、**ガラス布**に絶縁性樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂等）を含浸させたもの...が用いられる。 | 对比文件公开了绝缘性基材可以是包含“玻璃布”（ガラス布）的材料。玻璃布是玻璃纤维织物，浸渍树脂后形成的复合基板属于“玻璃型基板”的一种常见形式。因此，可以认为对比文件隐含公开了基板包括玻璃型基板。然而，对比文件未提及“透玻通孔”（Through-Glass Via, TGV）。其通孔是通过机械钻孔或激光在复合基板上形成的，并非特指穿过纯玻璃基板的通孔。因此，关于“透玻通孔”的部分未被公开。但技术特征J是一个整体，其要求基板是玻璃型基板**并且**通孔是透玻通孔。由于后者未被公开，因此技术特征J作为一个整体未被公开。但基于对基板材料的分析，可认为其部分内容被隐含公开。 |
| **K: 其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br>《隐含公开》 | 【0024】...絶縁性基材１１ａ， １１ｂ， １１ｃ には、例えば、ガラス布に絶縁性樹脂...を含浸させたものや、両面にポリイミド系の熱可塑性接着剤を塗布した**ポリイミドフィルム**等が用いられる。 | 对比文件列举的基材包括“玻璃布+树脂”的复合基板和“聚酰亚胺薄膜”。目标专利特征K列举了一系列基板材料，其中包括“塑料基板”。聚酰亚胺薄膜是一种高性能塑料薄膜，可以归属于广义的“塑料基板”范畴。因此，可以认为对比文件隐含公开了基板可以是塑料基板（聚酰亚胺薄膜）。然而，对比文件并未公开特征K中列举的其他特定材料（如SOI、GaAs等）。由于特征K是择一选择的关系，公开其中一种即可能隐含公开该特征。在宽松的隐含公开标准下，可以认为对比文件隐含公开了基板为“塑料基板”这一选项。 |
| **L: 所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br>《直接公开》 | 【0018】...１６は積層コア部１０ａの所要箇所に形成されたスルーホールに充填された導電体...<br>【0024】...導電体１ ６，２３の材料としては**銅（Ｃｕ）**が用いられ...<br>【0039】...スルーホール３１の内部を導電体１６（この場合、**Ｃｕ**）で充填する。 | 对比文件明确且多次公开了通孔（スルーホール）被导体填充，并且该导体的材料是铜（Cu）【0024, 0039】。铜（Cu）包含在目标专利特征L所列的金属（Cu、W、Ag、Au）之中。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **M: 所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。** <br>《未公开》 | 【0022】...各樹脂層１３ａ，１３ｂ，１３ｃはそれぞれキャパシタ部の誘電体層を構成するため、...高誘電率の材料からなっていることが望ましい。 本実施形態では、樹脂層１３ａ，１３ｂ，１３ｃを、高誘電率（例えば誘電率が２０以上）の無機フィラーが配合された**ポリイミド樹脂**によって形成している。<br>【0023】誘電率が２０以上の無機フィラー（誘電材）としては、例えば粒径が５μｍ以下のセラミック粉末が用いられ、好適にはペロブスカイト型構造のセラミック粉末（**ＢａＴｉＯ3**、**ＰＺＴ**、**ＳｒＴｉＯ3**等）が用いられる。 | 对比文件公开的电介质是“掺有高介电常数无机填料的聚酰亚胺树脂”，其中填料举例为BaTiO3、PZT、SrTiO3等陶瓷粉末。目标专利特征M列举的电介质是二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、五氧化二钽、氧化铝或氮化铝。两者材料体系完全不同。对比文件使用的是有机聚合物树脂基复合材料，而目标专利列举的是单一的无机介电材料。本领域技术人员无法从对比文件的树脂基复合材料毫无疑义地得出或合理推断出使用目标专利所列的特定无机介电材料。因此，技术特征M未被公开。 |
| **N: 其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。** <br>《未公开》 | 【0039】...スルーホール３１の内部を導電体１６（この場合、Ｃｕ）で充填する。<br>【0057】...キャパシタ部以外の領域に設けられたスルーホールについては、必ずしも導電体で充填する必要はなく、当該スルーホールの内部を**絶縁体（例えば、熱硬化性のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂）で充填**してもよい。 | 对比文件主要实施例中的通孔是用金属（Cu）完全填充的【0039】。虽然【0057】提到非电容器区域的通孔可以用绝缘树脂填充，但这描述的是用绝缘体完全填充通孔，形成的是“绝缘体核”，而非“金属结构包括聚合物核”。目标专利特征N描述的是通孔内具有“金属结构”，且该金属结构内部包含“聚合物核”，这是一种复合结构（如金属环包裹聚合物芯）。对比文件没有公开这种特定的复合结构。因此，技术特征N未被公开。 |
| **O: 其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。** <br>《未公开》 | 【0020】...絶縁性基材１１ａ，１１ｂ，１１ｃの両面に形成した配線層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ上に、...電着法により樹脂層１３ａ，１３ｂ，１３ｃを形成し...<br>【0032】...絶縁性基材１１ａ及び樹脂層１３ａの全面に、...Ｃｕ層を形成した後、...配線層１４ａを形成する。 | 对比文件中的电容器是平面结构：下电极（12a）形成在绝缘基材（11a）的表面上，电介质（13a）形成在下电极（12a）的整个表面上，上电极（14a）形成在电介质（13a）上。通孔（31）及其填充导体（16）是垂直结构，用于连接不同层的电极。电容器（12a/13a/14a）与通孔（31/16）在空间上是相邻关系，通过导体16与下电极12a侧向连接。没有描述电容器的极板和电介质“垂直位于”通孔的顶表面（即面向电介质的表面）之上。两者的集成方式不同（侧向连接 vs. 垂直堆叠）。因此，技术特征O未被公开。 |
| **P: 其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。** <br>《未公开》 | 结合图1、图2(c)、图4(c)、图5(b)分析。电容器（12a/13a/14a）形成在绝缘基材11a的**上表面**。第一导电结构（例如配线层17）形成在积层核心部10a的**下表面**（与电容器所在表面相对）。通孔导体16垂直连接下电极12a和配线层17。 | 对比文件的结构可以描述为：电容器位于基板（11a）的上表面，第一导电结构（17）位于多层结构（积层核心部10a）的下表面，通孔导体（16）垂直连接它们。如果画一条穿过通孔导体16的垂直轴，该轴会与电容器的下电极（12a）相交（因为12a通过导体16连接），也可能与第一导电结构（17）相交。**但是**，该轴**不会与电容器的电介质（13a）和上极板（14a）相交**，因为电介质和上极板位于下电极（12a）的上方，而通孔连接点在下电极层。目标专利特征P要求该垂直轴与“电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交”，意味着电容器整体（包括上下极板和电介质）都位于该垂直轴经过的区域上方，即电容器垂直堆叠在通孔正上方。对比文件的结构不满足此要求。因此，技术特征P未被公开。 |
| **Q: 其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。** <br>《未公开》 | 同上分析，结合附图。 | 对比文件中，通孔（31/16）沿垂直于基板（11a）表面的方向延伸。电容器的下极板（12a）是平面，其表面平行于基板表面。通孔的垂直轴与下极板（12a）相交于连接点。然而，目标专利特征Q中“所述极板”通常指代电容器的上极板（根据说明书附图1-6，极板108是上极板）。在对比文件中，通孔的垂直轴不会与电容器的上极板（14a）的区域相交，因为上极板（14a）位于电介质（13a）之上，而电介质又完全覆盖了下极板（12a）和基板，通孔连接点在下极板层。因此，通孔轴与目标专利所指的“极板”（上极板）区域相交这一位置关系未被公开。 |
| **R: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。** <br>《未公开》 | 未发现相关描述。对比文件未对通孔顶面与电容器极板（上电极14a）的面积进行比较。 | 对比文件完全没有提及通孔的“面向电介质的表面”与电容器极板表面的大小关系。该特征是目标专利为优化性能（如减小电阻）而提出的特定设计，在对比文件中没有任何记载或暗示。因此，技术特征R未被公开。 |
| **S: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。** <br>《未公开》 | 未发现相关描述。 | 同上，对比文件未涉及此尺寸比较关系。技术特征S未被公开。 |
| **T: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。** <br>《未公开》 | 未发现相关描述。 | 同上，对比文件未涉及此尺寸比较关系。技术特征T未被公开。 |
| **U: 其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。** <br>《未公开》 | 【0048】...ビアホール２２の内部を導電体２３（この場合、Ｃｕ）で充填する。 | 对比文件中的电容器只有一层电介质（树脂层13a）。通孔（31）及其填充导体（16）与电容器下电极（12a）直接接触（或通过连接），它们之间没有设置额外的“第二电介质”。目标专利特征U所描述的“第二电介质位于通孔与电介质之间”的层状结构在对比文件中不存在。因此，技术特征U未被公开。 |
| **V: 其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。** <br>《未公开》 | 【0036】...積層コア部１０ａの所要箇所に、...スルーホール３１を形成する。<br>【0048】...ビアホール２２の内部を導電体２３...で充填する。 | 对比文件公开了多个通孔/过孔，但均为独立的垂直互连结构，用于连接不同层。没有描述任何两个通孔“在基板内结合”。更重要的是，如前述，对比文件未公开“多通孔电感器”。因此，技术特征V中关于通孔在基板内结合以构成多通孔电感器的技术方案未被公开。 |
| **W: 其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。** <br>《未公开》 | 同特征O、P、Q的分析。 | 对比文件中的通孔（31）延伸穿过基板（11a）及叠层结构。然而，电容器的极板（14a）和电介质（13a）是形成在基板11a的表面上，并非“垂直位于通孔的至少一部分上”。它们与通孔是平面相邻关系，而非垂直堆叠关系。因此，技术特征W未被公开。 |
### 总结与代码输出
根据上述分析，对比文件JP2003068923A直接公开了技术特征A、E、F、L。技术特征K（关于基板材料）在宽松的隐含公开标准下，可以被认为隐含公开了“塑料基板”这一选项。其他技术特征均未被直接或隐含公开。
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