对比文件名称：2008-07-10_US2008166980A_发明申请_US20080166980A1 HIGH-FREQUENCY CIRCUIT, HIGH-FREQUENCY DEVICE, AND COMMUNICATION APPARATUS
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
特征比对表格如下：
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板<br>《隐含公开》 | 说明书第[0113]段：“该高频设备包括由多个介质陶瓷层构成的整体层压体，每个层都设有电极图案，以及安装在层压体表面上的元件”。第[0114]段：“例如，该陶瓷层压基板可以通过在由可低温烧结的介质陶瓷材料制成的每个生坯片上印刷导电膏来生产...”。 | 对比文件明确公开了其高频设备包含由介质陶瓷层构成的“整体层压体”（integral laminate）或“陶瓷层压基板”（ceramic laminate substrate），这属于一种基板。虽然对比文件具体公开的是陶瓷层压基板，而目标专利的基板材料范围更广（见特征K），但“基板”是构成电子器件的基础支撑结构，本领域技术人员能够毫无疑义地理解对比文件中的层压体或基板即对应于目标专利权利要求中的“基板”这一上位概念。因此，技术特征A被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔<br>《未公开》 | 说明书第[0115]段：“每一层都是通过为陶瓷生坯片提供通孔，用导电膏填充通孔以形成通孔电极，并印刷导电膏以形成电极图案来生产的。” | 对比文件确实公开了在基板（层压体）中形成“通孔电极”（via-hole electrodes），这些通孔电极用于连接不同层的电极图案。然而，对比文件完全没有提及这些通孔电极会“形成多通孔电感器的一部分”。目标专利中的通孔是构成“多通孔电感器”的主动元件（线圈的一部分），而对比文件中的通孔电极仅作为层间互连的导电通道，其作用与目标专利中作为电感器线圈一部分的通孔不同。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出通孔用于构成多通孔电感器的技术方案。因此，技术特征B未被公开。 |
| 技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>《未公开》 | 说明书第[0115]段及图16-17：“每一层都是通过为陶瓷生坯片提供通孔，用导电膏填充通孔以形成通孔电极，并印刷导电膏以形成电极图案来生产的。” 对比文件公开了多种电极图案（即导电结构）和通孔电极。 | 对比文件虽然公开了基板上的导电结构（电极图案）和通孔电极，并且这些元件之间必然存在电连接关系，但对比文件完全没有描述任何关于“多通孔电感器”的结构，更没有公开该电感器包含“耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”这一具体技术特征。该特征限定了构成电感器的特定拓扑连接关系，而对比文件并未给出任何相关的教导或启示。因此，技术特征C未被公开。 |
| 技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间<br>《未公开》 | 说明书第[0119]段：“第三层设有用于电容器的电极ctd2a、crd2a...第四层设有多个线电极、多个电容器电极和通孔电极。第三层上的电容器电极crd2a与第四层上的电容器电极crd2b相对，构成电容器crd2。” | 对比文件公开了由相对设置的电极图案构成的内置电容器（如crd2）。然而，这些电容器的电极是由层压体内部不同层的平面电极构成，其电介质是层间的陶瓷介质。对比文件完全没有公开电容器“耦合至所述通孔”（即，电容器的其中一个极板是通孔本身或与通孔直接电连接），更没有公开“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”这种特定结构。目标专利的核心在于电容器以通孔作为一个极板或与通孔直接集成，而对比文件中的电容器是独立于通孔结构的平面电容器。因此，技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外<br>《未公开》 | 说明书第[0119]段：“第三层上的电容器电极crd2a与第四层上的电容器电极crd2b相对，构成电容器crd2。” | 对比文件公开的电容器（如crd2）其电极（极板）是形成在层压基板内部不同层上的平面电极图案，完全位于基板（层压体）内部，而不是“在所述基板以外”。目标专利明确要求电容器的极板在基板以外（例如，在基板之上的层间介质中），这与对比文件的结构截然不同。因此，技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 由于对比文件既未公开技术特征C中的“多通孔电感器”及其特定导电结构，也未公开技术特征D中的“耦合至所述通孔的电容器”，因此更不可能公开“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”这一进一步的连接关系。该特征在对比文件中完全没有依据。因此，技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件虽然公开了多个通孔电极，但并未将其描述为构成“多通孔电感器”的元件，更没有明确指出其中某个通孔作为“第二通孔”并“形成所述多通孔电感器的第二部分”。该特征依赖于未被公开的“多通孔电感器”这一前提。因此，技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征详细限定了多通孔电感器的具体构成元件（两个通孔和两个导电结构）及其连接关系。对比文件完全没有描述这样的结构。因此，技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器<br>《未公开》 | 说明书第[0113]段：“电极图案构成至少所述第一和第二双工器电路以及所述第一至第三带通滤波器电路”。 | 对比文件公开的电路包含滤波器、双工器等，可能构成谐振电路。但如前所述，对比文件未公开目标专利定义的“多通孔电感器”和“耦合至通孔且极板在基板以外的电容器”。此外，对比文件也未提及“层间电介质(ILD)层”这一特定术语或结构，其层间介质是陶瓷材料。因此，技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔<br>《未公开》 | 说明书第[0114]段：“...由可低温烧结的介质陶瓷材料制成，例如低温共烧陶瓷(LTCC)”。 | 对比文件明确其基板材料是“低温共烧陶瓷(LTCC)”或其他陶瓷材料，而非目标专利所述的“玻璃型基板”或“透玻通孔”。材料选择是具体的技术特征，对比文件未公开该材料特征。因此，技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>《未公开》 | 说明书第[0114]段：“介质陶瓷材料可以是，例如，(a)以Al、Si和Sr为主要成分的陶瓷...(b)...(c)...(d)...”。 | 对比文件公开的基板材料是特定的介质陶瓷材料或其列表，与目标专利权利要求K中列举的玻璃基板、石英基板、SOI、GaAs等一系列具体基板材料完全不同。没有证据表明对比文件公开或暗示了这些材料。因此，技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>《隐含公开》 | 说明书第[0114]段：“...印刷包含Ag、Cu等低电阻率的导电膏...”；第[0115]段：“...用导电膏填充通孔以形成通孔电极...”。 | 对比文件公开了使用包含银(Ag)、铜(Cu)等金属的导电膏来填充通孔以形成通孔电极。虽然未明确列举钨(W)或金(Au)，但使用金属导电材料填充通孔是通孔电极的常规技术手段。本领域技术人员能够理解，对比文件公开的“包含Ag、Cu的导电膏”即对应于“金属填充”，且Ag和Cu均在目标专利列举的金属范围内。因此，技术特征L被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者<br>《未公开》 | 说明书第[0114]段：“介质陶瓷材料可以是，例如，(a)以Al、Si和Sr为主要成分的陶瓷...(b)...(c)...(d)...”。 | 对比文件公开了其层压基板使用特定的介质陶瓷材料（如含Al、Si、Sr等的陶瓷），这些是复杂的陶瓷复合材料体系。而目标专利特征M列举的是一系列单一成分或特定化合物的电介质材料（如SiO2、Si3N4、Al2O3等）。两者在材料组成上不存在重叠或明确的对应关系，对比文件并未公开目标专利所限定的这些具体电介质材料。因此，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件仅描述了用导电膏（金属）填充通孔形成通孔电极，完全没有提及通孔内存在“聚合物核”这种结构。该特征是目标专利中一种特定的通孔构造。因此，技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征限定了电容器与通孔在垂直方向上的特定位置关系（垂直位于上方）。由于对比文件未公开“耦合至通孔的电容器”（特征D），其电容器是独立于通孔的平面结构，因此不可能存在这种垂直叠放的位置关系。因此，技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征描述了器件中电容器、通孔和导电结构之间非常具体的三维空间位置关系。对比文件完全没有描述这样的布局关系。因此，技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征同样是关于通孔与电容器极板之间精确的垂直位置关系。由于对比文件未公开目标专利所述的电容器结构，因此也无法公开这种关系。因此，技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征比较了通孔表面与电容器极板表面的相对大小。对比文件未公开集成的通孔-电容器结构，故无从比较其表面大小。因此，技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 同上，对比文件未公开集成的通孔-电容器结构，故未公开此表面大小关系。因此，技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 同上，对比文件未公开集成的通孔-电容器结构，故未公开此表面大小关系。因此，技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。对比文件未公开以通孔为基础的电容器，更未公开其具有多层电介质。因此，技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征描述了多通孔电感器中多个通孔（包括盲孔）在基板内结合的具体构造。对比文件完全没有公开这样的结构。因此，技术特征V未被公开。 |
| 技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征再次强调了通孔贯穿基板以及电容器垂直位于通孔上方的结构。对比文件未公开此集成结构。因此，技术特征W未被公开。 |
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