# 特征比对分析
**对比文件名称**: WO1999023702A1 MONOLITHIC INDUCTOR
**目标专利名称**: CN105009280B 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器
**本次调用的模型名称**: DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A: 包括基板** <br> **《直接公开》** | 说明书[p0023]第1-2行："... inductor 20 is formed as part of an integrated circuit (IC) 21 on a monolithic substrate 22 which may, but is not required to, be formed from silicon (Si)." （译文：...电感器20形成为集成电路(IC)21的一部分，该集成电路形成在单片衬底22上，该衬底可以由但不限于硅(Si)形成。） | 对比文件明确公开了形成器件的“衬底(substrate) 22”。该衬底是构成整个电感器结构的基础承载平台，其作用与目标专利中作为整个器件（包括基板、通孔、电容器等结构）的物理载体和支撑的“基板”作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **B: 至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** <br> **未被公开** | 说明书[p0025]第9-10行："Although not shown in FIG. 1 , vias may be formed through layer 26 to provide paths for electrical connections to the active devices in substrate 22." （译文：尽管图1中未示出，可以穿过层26形成通孔，以提供连接到衬底22中有源器件的电连接路径。）<br>说明书[p0029]第15-17行："Plugs 38 can be formed by first patterning and etching to form vias through coil center region 36." （译文：插塞38可以通过首先图案化和蚀刻以形成穿过线圈中心区域36的通孔来形成。）<br>说明书[p0038]第7-9行："Spirals 74 and 76 are desirably formed by the patterning and etching of conductive layer 40 (FIG. 2)." （译文：螺旋74和76优选通过对导电层40（图2）进行图案化和蚀刻来形成。） | 对比文件虽然提及了“通孔(vias)”和“插塞(plugs)”，但这些结构主要用于连接不同导电层（如层28和层40）以构成线圈路径，或用于连接到有源器件。它们并非“形成多通孔电感器的一部分”。对比文件中电感器的核心结构是平面线圈44、螺旋线圈74、76以及可能的磁芯60，这些结构通过通孔互连，但通孔本身并非电感器的构成部分。目标专利中“至少部分地穿过基板延伸的通孔”与电感器是集成一体的，是该特定电感器结构（多通孔电感器）的组成部分，其作用和结构关系与对比文件中的互连通孔有本质区别。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **C: 所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br> **未被公开** | 说明书[p0025]第6-8行："After depositing layer 26, an electrically conductive layer 28 is deposited over layer 26... After depositing layer 28, layer 28 is patteraed and etched using conventional techniques." （译文：在沉积层26之后，在层26上沉积导电层28...沉积层28后，使用常规技术对层28进行图案化和蚀刻。）<br>说明书[p0029]第17-20行："After forming conductive plugs 38, an electrically conductive layer 40 is deposited over coil center region 36 so that layer 40 physically and electrically contacts plugs 38... After depositing layer 40, layer 40 is patterned and etched using conventional techniques." （译文：形成导电插塞38后，在线圈中心区域36上沉积导电层40，使得层40物理和电接触插塞38...沉积层40后，使用常规技术对层40进行图案化和蚀刻。）<br>说明书[p0032]第1-5行："Dotted lines in FIG. 3 show spaced apart lower traces 46 that are formed in conductive layer 28... Solid lines depict spaced apart upper traces 50 that are formed in conductive layer 40." （译文：图3中的虚线示出了在导电层28中形成的间隔开的下部迹线46...实线描绘了在导电层40中形成的间隔开的上部迹线50。） | 对比文件公开了在基板上的导电结构，如下部迹线46（层28）和上部迹线50（层40），这些结构通过插塞（通孔）38连接以形成线圈。然而，这些导电结构是构成线圈（coil）本身的导线，而非目标专利中用于连接通孔以形成“多通孔电感器”的特定“导电结构”。目标专利的“导电结构”指的是连接多个通孔以构成电感器回路的特定金属连接件，其作用是将通孔的电感效应串联起来。对比文件的导电结构（迹线）直接构成线圈的匝，其功能和结构关系与目标专利不同。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **D: 耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** <br> **未被公开** | 说明书[p0037]第4-6行："... this FIG. 7 embodiment may be particularly desirable in applications where other components 73, such as capacitors or resistors, are located in inter-coil gap area 66 to efficiently use area 66." （译文：...这种图7的实施例在应用中将特别有利，其中其他组件73，例如电容器或电阻器，位于线圈间间隙区域66中以有效利用区域66。） | 对比文件仅泛泛提及电容器可以作为“其他组件”放置在线圈之间的区域（图7中的区域66），但完全没有公开该电容器的具体结构，特别是没有公开“电容器的电介质位于通孔与电容器的极板之间”这一关键的三明治结构。目标专利的核心创新点正是在于将电容器的电介质直接设置在通孔与极板之间，从而省去连接金属迹线，降低电阻。对比文件未提供任何关于电容器如何构造、其极板如何布置、电介质位置等细节，因此无法得出与本特征相同的技术方案。 |
| **E: 并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 对比文件完全没有描述电容器的具体结构，因此无法确定其极板是否位于基板以外（即，未嵌入基板内）。该特征依赖于特征D中未公开的电容器的存在。 |
| **F: 其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 此特征定义了电容器通过通孔耦合至第一导电结构。由于对比文件未公开特征D（耦合至通孔的电容器）和特征C（特定的导电结构），因此无法得出电容器与导电结构之间通过通孔的这种特定连接关系。 |
| **G: 其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br> **未被公开** | 说明书[p0029]第15-17行："Plugs 38 can be formed by first patterning and etching to form vias through coil center region 36." （译文：插塞38可以通过首先图案化和蚀刻以形成穿过线圈中心区域36的通孔来形成。） | 对比文件公开了“vias”（通孔）和“plugs”（插塞），用于连接上下导电层。然而，这些通孔是作为互连结构存在的，其本身并非“形成多通孔电感器的第二部分”。目标专利中的“第二通孔”是与第一通孔一起构成电感器磁路的一部分。对比文件中构成电感器的主要是线圈（coil）和螺旋（spiral），通孔只是连接手段，并非电感器的有效组成部分（如提供垂直于基板的电感分量）。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **H: 第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构** <br> **未被公开** | 参见特征C的引用内容。 | 此特征定义了多通孔电感器的具体构成，包括通孔、第二通孔以及连接它们的第一、第二导电结构。对比文件中虽然存在通孔（vias/plugs）和导电结构（traces/layers），但这些元素以形成平面线圈（coil）或螺旋（spiral）的方式组织，其拓扑结构和功能与目标专利中由多个通孔通过导电结构串联形成的“多通孔电感器”完全不同。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **I: 其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器** <br> **未被公开** | 说明书[p0024]第1-2行："An insulating layer 26 is applied over surface 24 of substrate 22." （译文：绝缘层26施加在衬底22的表面24上。）<br>说明书[p0026]第1-3行："After patterning and etching electrically conductive layer 28, an insulative layer 30 is applied over layer 28." （译文：图案化和蚀刻导电层28之后，在层28上施加绝缘层30。）<br>说明书[p0028]第1-3行："Following formation of layer 32, an insulative layer 34 is formed over layer 32." （译文：形成层32之后，在层32上形成绝缘层34。） | 对比文件公开了多个绝缘层（26, 30, 34），这些层可以视为层间电介质(ILD)层。然而，这些层的作用是隔离不同的导电层（如层28和层40）或隔离磁芯层（层32），并非用于容纳电容器的极板。更重要的是，对比文件没有公开特征D和E所定义的具有特定结构（极板在基板外、电介质在通孔与极板之间）的电容器，因此也就谈不上“极板在ILD层中”。此外，虽然对比文件涉及电感器，并提及电容器可作为其他组件存在，但并未明确公开由所述特定“多通孔电感器”和所述特定“电容器”构成的“谐振电路”。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **J: 其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔** <br> **未被公开** | 说明书[p0023]第2行："... substrate 22 which may, but is not required to, be formed from silicon (Si)." （译文：...衬底22，其可以由但不限于硅(Si)形成。） | 对比文件明确公开的基板材料是“硅(Si)”，这是一种半导体材料，并非目标专利所强调的“玻璃型基板”。目标专利强调玻璃型基板（如透玻通孔TGV技术）是为了实现低损耗和特定工艺兼容性。对比文件完全没有提及玻璃基板或透玻通孔。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **K: 其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br> **未被公开** | 说明书[p0023]第2行："... substrate 22 which may, but is not required to, be formed from silicon (Si)." （译文：...衬底22，其可以由但不限于硅(Si)形成。） | 对比文件仅公开了基板可以是硅(Si)衬底。虽然硅衬底属于目标专利所列材料清单中的一种（高电阻率硅(HRS)基板是硅基板的一种），但目标专利的权利要求K是一个开放式的列举，其核心在于强调基板可以是低损耗的介电材料（如玻璃）或特定半导体材料，以区别于传统的硅基集成电路衬底。对比文件强调的是在硅衬底上集成电感器以降低成本（见背景技术[p0004]），其基板材料的选择和技术问题与目标专利不同。因此，不能认为对比文件公开了权利要求K所限定的基板材料范围，特别是未公开玻璃基板等关键选项。 |
| **L: 所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br> **未被公开** | 说明书[p0029]第17-18行："A selective CVD process using tungsten (W) is then desirably used to cause plugs 38 to form in the vias." （译文：然后优选使用钨(W)的选择性CVD工艺使插塞38在通孔中形成。）<br>说明书[p0025]第7行："Layer 28 is desirably a metal layer formed using a conventional semiconductor processing compatible metal, (e.g. Al or Cu)..." （译文：层28优选是使用常规半导体工艺兼容金属（例如Al或Cu）形成的金属层...） | 对比文件公开了通孔（vias）中填充的插塞（plugs）可以使用钨(W)形成。然而，首先，对比文件中的“plugs”是填充在通孔中的导电材料，其作用是电连接，而目标专利的“通孔”是构成器件（可能是电感器一部分）的结构，两者作用不完全相同。其次，对比文件仅明确提及钨(W)和铝(Al)、铜(Cu)作为金属层材料，并未明确提及银(Ag)或金(Au)。虽然铝、铜、钨在目标专利的列表中，但目标专利的通孔是特定工艺（如TGV）下的金属填充通孔。对比文件未明确其通孔是完全金属填充（可能是插塞填充），也未强调其金属材料选自所述特定列表。因此，不能认为对比文件直接公开了该特征。 |
| **M: 所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者** <br> **未被公开** | 说明书[p0024]第1-2行："An insulating layer 26 is applied over surface 24 of substrate 22. Layer 26 may be formed from SiO2..." （译文：绝缘层26施加在衬底22的表面24上。层26可以由SiO2形成...） | 对比文件公开了绝缘层26可以由SiO2（二氧化硅）形成。SiO2属于目标专利所列电介质材料的一种。然而，目标专利中的“电介质”特指“位于所述通孔与所述电容器的极板之间”的电容器电介质。对比文件中的SiO2绝缘层26是位于衬底表面24上，用于隔离衬底和有源器件/下层金属的通用绝缘层，并非电容器结构的一部分，更不是位于通孔和电容器极板之间的特定电介质。因此，尽管材料相同，但应用位置、作用和所属结构完全不同。对比文件未公开作为电容器组成部分的、具有特定位置关系的电介质。 |
| **N: 其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 对比文件完全没有提及通孔内存在包含聚合物核的金属结构。目标专利的此特征涉及一种特定的通孔结构（例如图3所示），用于降低成本或提高工艺兼容性。对比文件未公开此特征。 |
| **O: 其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 此特征描述了电容器与通孔在垂直方向上的堆叠关系，是目标专利实现低电阻集成的关键。对比文件完全没有公开任何电容器结构，更不可能公开电容器极板和电介质与通孔表面的这种特定垂直位置关系。 |
| **P: 其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 此特征定义了电容器、通孔和导电结构之间非常具体的三维空间位置关系。对比文件没有公开目标专利所定义的电容器和第一导电结构，因此完全无法推导出这种复杂的空间相交关系。 |
| **Q: 其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 此特征进一步限定了通孔延伸方向与极板表面的垂直关系以及轴与极板区域的相交关系。由于对比文件未公开特征D和E所定义的电容器及其极板，因此无法得出此位置关系。 |
| **R: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 此特征涉及通孔表面与电容器极板表面的相对尺寸关系。对比文件未公开电容器，因此无法进行此类尺寸比较。 |
| **S: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 同上，对比文件未公开电容器，无法得出此尺寸关系。 |
| **T: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 同上，对比文件未公开电容器，无法得出此尺寸关系。 |
| **U: 其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 此特征涉及电容器的多层电介质结构（如目标专利图4所示）。对比文件未公开任何电容器结构，更不用说多层电介质。 |
| **V: 其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 此特征描述了非常复杂的多通孔电感器结构，涉及盲孔和在基板内结合。对比文件中的通孔（vias/plugs）是垂直贯穿绝缘层（如层30, 34, 36）以连接金属层，没有描述在基板内结合的通孔结构，也没有描述由多个此类通孔构成电感器。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **W: 其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上** <br> **未被公开** | 无相关描述。 | 此特征再次强调了电容器在通孔上的垂直集成。由于对比文件未公开特征D所定义的电容器，因此无法得出此垂直位置关系。 |
## 总结
经比对，对比文件WO1999023702A1仅直接公开了技术特征A（基板），其余技术特征B至W均未被公开（既非直接公开，也非隐含公开）。未被公开的原因主要在于：对比文件的核心在于一种利用线圈和磁芯引导磁通远离衬底的单片电感器结构，其通孔（vias/plugs）仅作为层间互连手段，并非构成电感器主体的“多通孔电感器”的一部分；同时，对比文件虽提及电容器可作为其他组件存在，但完全没有披露其具体结构，尤其没有披露目标专利的核心发明点——将电容器的电介质直接设置在通孔与极板之间的三维集成结构，以及由此带来的低电阻、高性能优势。
<<<A>>>