对比文件名称：2011-04-12_US7924116B_发明授权_US07924116B2 Diplexer and multiplexer using the same
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
根据对目标专利说明书和对比文件说明书的详细分析，现创建特征比对表格如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A: 包括：基板《隐含公开》** | [0062] “...the illustrated diplexer 2 is formed by a multilayer substrate that is prepared by laying a plurality of dielectric layers... including dielectric layers M1, M2, M3...” (第0062段) | 对比文件明确公开了由多个介电层（M1， M2等）层叠形成的多层基板（multilayer substrate）。基板是构成电子器件的基础结构。虽然目标专利的基板可能是单一种类材料，而对比文件的多层基板可能包含不同介电常数的材料层，但“基板”作为器件的支撑结构这一基本特征已被公开。本领域技术人员可以理解多层基板是基板的一种形式。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **B: 至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，《隐含公开》** | [0059] “The via conductors V3-5 through V13-5 form resonance elements R11 and R12 of the band pass filter of the distributed constant type having the second pass band...” (第0059段)<br>[0062] “A conductive material is arranged in the through holes (via holes) formed in the dielectric layers to form via conductors...” (第0062段) | 对比文件详细描述了在介电层中形成的通孔导体（via conductors），例如V3-5至V13-5，它们穿过多个介电层（即基板）延伸，并形成了分布常数型带通滤波器的谐振元件（R11， R12）。谐振元件是滤波器的一部分，而滤波器通常包含电感特性。通孔导体本身可以具有电感属性，或与其他结构共同构成电感。因此，这些至少部分穿过基板延伸的通孔，可以理解为构成了一个多通孔电感器的一部分。该技术特征被隐含公开。 |
| **C: 所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《隐含公开》** | [0054] “One of the opposite ends of the part of the inductor L1 formed on the sixth dielectric layer M6 is connected to the via conductor V6-2... Additionally, the mutually linked via conductors also operate as inductor.” (第0054段)<br>[0056] “The other end of the part of the inductor L4 formed on the ninth dielectric layer M9 is connected to one of the opposite ends of the part of the inductor L4 formed on the tenth dielectric layer M10 by way of the via conductor V10-9... The other end of the part of the inductor L4 formed on the eleventh dielectric layer M11 is connected to the common terminal T6.” (第0056段) | 对比文件公开了在介电层（如M6， M9， M10， M11）上形成的导电结构（如电感L1， L4的部分），这些导电结构通过通孔导体（如V6-2， V10-9）相互连接，并最终连接到公共端子T6。这构成了一个包含通孔和层上导体的网络。虽然对比文件未明确使用“多通孔电感器”这一术语，但其描述的由层间互连的通孔和平面导电图案构成的网络，在本领域技术人员的理解中，可以起到电感器的作用（文中也提到互连的通孔也起电感作用）。导电结构（平面电感图案）置于相互耦合的通孔之间。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **D: 耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，《未公开》** | [0047] “The other electrode of the capacitor C1 and that of the capacitor C5... are arranged in the right half area on the second dielectric layer M2 at respective positions located vis-à-vis the grounding electrode G1 formed on the first dielectric layer M1 with the dielectric layer interposed between them...” (第0047段) | 对比文件公开了电容器（如C1， C5），其一个电极在第二介电层M2上，另一个电极（接地电极G1）在第一介电层M1上，中间有介电层。然而，目标专利的核心特征“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”并未被公开。在对比文件中，电容器的形成是通过两个平行电极板（如M2上的电极和M1上的接地电极）以及它们之间的介电层实现的，而不是以“通孔”作为一个电极或与一个电极板直接相邻，并在通孔与极板之间设置电介质。对比文件中的通孔（via conductors）主要用于垂直互连，而不是作为电容器的直接组成部分。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特定结构。 |
| **E: 并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《未公开》** | [0047] “The other electrode of the capacitor C1... are arranged... on the second dielectric layer M2...” (第0047段) | 对比文件中的电容器电极（如C1的电极）是形成在介电层（如M2）上的。这些介电层是构成多层基板的一部分。因此，电极位于基板内部（具体是层叠结构内部），而不是在“基板以外”。目标专利说明书强调“极板在基板以外”（例如在基板之上并且并不嵌入其中，见[0033]）。这两个概念不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **F: 其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 技术特征D（电容器耦合至通孔）本身未被公开，因此其进一步限定的连接关系“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”也无从谈起。对比文件中电容器（如C1， C5）是通过层间相对电极形成的，并未描述其通过一个特定的“通孔”耦合至一个“第一导电结构”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **G: 其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《隐含公开》** | [0059] “The via conductors V3-5 through V13-5 form resonance elements R11 and R12... while the via conductors V3-4 through V13-4 form resonance elements R21 and R22...” (第0059段) | 对比文件公开了多组通孔导体（例如V3-5至V13-5为一组，V3-4至V13-4为另一组），它们都至少部分地延伸穿过基板（介电层），并分别构成谐振元件R11/R12和R21/R22。这些谐振元件是滤波器（具有电感特性）的组成部分。因此，可以认为存在多个通孔（第二通孔）延伸穿过基板并形成多通孔电感器的其他部分。该技术特征被隐含公开。 |
| **H: 第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第二导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《隐含公开》** | [0054]-[0056] 描述了电感L1， L2， L3， L4的部分形成在不同介电层上，并通过一系列通孔导体（如V6-2， V7-7， V8-7， V9-7， V10-7， V11-7等）相互连接，最终连接到电容C3或公共端子T6。 | 对比文件公开了由分布在多个介电层上的导电图案（第一导电结构、第二导电结构等）和连接它们的通孔导体（可视为第二通孔）构成的复杂互连网络。这些结构和通孔共同工作，形成了具有电感功能的电路。例如，电感L2的部分通过通孔V7-7， V8-7等连接到其他部分，最终连接到电容C3的电极。这满足了“第一导电结构通过第二通孔耦合至第二导电结构”，并且整个网络包括了通孔、第二通孔以及多个导电结构。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **I: 其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《部分隐含公开》** | [0046] “The dielectric layers M1, M2, M3, M6, M7, M8, M9, M10, M11, M12 and M14 are made of a material showing a relatively low dielectric constant... whereas the dielectric layers M4, M5 and M13 are made of a material showing a relatively high dielectric constant...” (第0046段)<br>[0059] “The via conductors V3-5 through V13-5 form resonance elements R11 and R12 of the band pass filter...” (第0059段)<br>[0047] “The other electrode of the capacitor C1... are arranged... on the second dielectric layer M2...” (第0047段) | 1. **极板在ILD层中**：对比文件未明确使用“层间电介质（ILD）”这一术语，但公开了多层介电层结构，电容器电极形成在特定的介电层上（如M2）。在半导体/封装领域，这些介电层可被视为广义的ILD。因此，该部分可能被隐含公开。<br>2. **谐振电路包括多通孔电感器和电容器**：对比文件公开的带通滤波器（如分布常数型）包含由通孔形成的谐振元件（具有电感特性）和电容器（如C6， C7， C9等）。这些元件共同构成了谐振电路。虽然“多通孔电感器”这一具体术语未出现，但由通孔和导电结构构成的网络起到了电感作用。因此，可以认为谐振电路包含了多通孔电感器和电容器。该技术特征整体被隐含公开。 |
| **J: 其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 对比文件描述的多层基板由介电材料制成，提到了高介电常数和低介电常数材料，但未具体公开基板材料为“玻璃型基板”，也未提及“透玻通孔（TGV）”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **K: 其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《未公开》** | 未发现对应描述。 | 对比文件未具体公开基板的材料为所列出的任何一种特定材料（玻璃、石英、SOI等）。其仅提及介电层由具有不同介电常数的材料制成。因此，该技术特征未被公开。 |
| **L: 所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《隐含公开》** | [0062] “A conductive material is arranged in the through holes (via holes) formed in the dielectric layers to form via conductors...” (第0062段) | 对比文件明确公开了在通孔（via holes）中布置导电材料以形成通孔导体（via conductors）。这意味着通孔是导电材料填充的。虽然未明确列出具体金属种类（Cu， W， Ag， Au），但本领域技术人员知晓，用于填充通孔以实现电连接的导电材料通常包括这些常见金属。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **M: 所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 对比文件未公开电容器电介质或层间介电层的具体材料成分，更没有列出目标专利中提到的任何特定材料（SiO2， Si3N4等）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **N: 其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 对比文件仅提及通孔由导电材料填充，未公开通孔内存在包含聚合物核的金属结构。目标专利的该特征涉及一种特定的通孔结构（如具有聚合物核的金属结构，见图3），对比文件中没有对应描述。因此，该技术特征未被公开。 |
| **O: 其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 该技术特征描述了电容器极板和电介质在垂直方向上与通孔表面重叠的特定空间关系，这是目标专利实现低电阻、小尺寸的关键结构之一。对比文件中的电容器（如C1， C5）是通过两个平行电极板形成的，其与通孔（用于互连）是分离的电路元件，没有公开这种垂直堆叠的集成关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **P: 其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 该技术特征定义了电容器、通孔和导电结构之间非常精确的三维空间位置关系。对比文件没有描述电容器“毗邻基板的第一表面”（其电容器电极位于内部介电层上），也没有描述“第一导电结构毗邻基板的第二表面”以及所述轴线与所有三个元件相交的特定布局。因此，该技术特征未被公开。 |
| **Q: 其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 该技术特征再次强调了通孔与电容器极板在垂直方向上的对准关系。如上所述，对比文件未公开电容器极板与通孔具有这种垂直堆叠或对准关系。通孔用于互连，电容器由平行板构成，两者在结构上是分离的。因此，该技术特征未被公开。 |
| **R: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 该技术特征比较了通孔表面与电容器极板表面的相对大小。由于对比文件未公开通孔作为电容器的一部分或与电容器极板具有直接的“面向”关系，因此无法比较它们表面的相对大小。该特征未被公开。 |
| **S: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 同上，由于缺乏通孔表面与电容器极板表面的直接关联，该比较特征未被公开。 |
| **T: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 同上，该比较特征未被公开。 |
| **U: 其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 该技术特征涉及电容器具有多层电介质的特定结构。对比文件未公开这样的结构。其电容器是通过两个电极板间的单一介电层形成的（例如M2上的电极与M1上的接地电极之间的介电层）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **V: 其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 对比文件虽然公开了多个通孔，但未描述“通孔和第二通孔在基板内结合”的特定结构（如盲孔在基板内部连接）。也未明确指出一个多通孔电感器包含通孔、第二通孔和第三通孔的具体组合关系。通孔被描述为形成谐振元件，但未以目标专利权利要求V所限定的方式结合。因此，该技术特征未被公开。 |
| **W: 其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《未公开》** | 未发现对应描述。 | 该技术特征综合了通孔贯穿基板以及电容器垂直位于通孔之上的关系。对比文件中的通孔可以延伸穿过多个介电层（即基板），但如之前多次论述，其电容器并非垂直位于通孔之上。因此，该核心结构特征未被公开。 |
### 总结与代码输出
根据以上比对分析：
- **技术特征A、B、C、G、H、I、L** 被对比文件**隐含公开**。
- **技术特征D、E、F、J、K、M、N、O、P、Q、R、S、T、U、V、W** 均**未被公开**（既非直接公开也非隐含公开）。
因此，在回答结尾插入对应于被**隐含公开**的技术特征的小写英文代码。
<<<a>>><<<b>>><<<c>>><<<g>>><<<h>>><<<i>>><<<l>>>