对比文件名称：2010-10-12_US7812702B_发明授权_US07812702B2 Inductor and electric power supply using it
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek
作为资深专利代理师，我将严格按照要求进行评估。首先，我对目标专利和对比文件的核心内容进行理解。目标专利的核心在于一种集成的器件结构，其中电容器直接形成在至少部分穿过基板的通孔（该通孔是多通孔电感器的一部分）之上，电容器的电介质位于该通孔与电容器的极板之间，从而减少电阻、降低功耗并减小尺寸。对比文件US07812702B2的核心在于一种嵌入印刷电路板中的电感器及其制造方法，该电感器由具有通孔的磁芯和形成在通孔内表面上的导体（例如铜）构成，用于电源电路中的滤波，其目的是减小尺寸、提高电感并降低电阻。该对比文件也提到了与薄膜电容器组合形成电源电路。
我的评估将严格遵循目标专利权利要求的划分进行技术特征比对。对于每个特征，我将先判断对比文件是否直接公开（本领域技术人员能毫无疑义地得出相同技术方案），若否，则进行宽松的隐含公开判断（本领域技术人员有可能通过推理或结合其他内容得出）。
以下是特征比对表格：
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br>《直接公开》 | [0038]段：“The electronic device 1 includes a package (PK) 2 and a motherboard (MB) 4... The package 2 is composed of a suitable printed circuit board, and, for example, the package 2 includes a core substrate 13...” <br>（电子设备1包括封装(PK)2和主板(MB)4...封装2由合适的印刷电路板构成，并且例如，封装2包括核心衬底13...） | 对比文件明确公开了其电子设备包含基板（core substrate 13， 核心衬底），该基板是构成印刷电路板（package）的基础支撑结构。这与目标专利中“基板”的作用完全相同，都是作为承载其他元件（如通孔、电容器、电感器）的基底。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，** <br>《直接公开》 | [0053]段：“An embedded inductor (L) 10 shown in FIG. 4A includes a conductor (con.) 32 composed of through-hole copper... The inductor 10 is disposed in a through-hole 27 provided in the core substrate 13...” <br>（图4A所示的嵌入电感器(L)10包括由通孔铜构成的导体(con.)32...电感器10被设置在核心衬底13中提供的通孔27内...）<br>[0076]段：“A through-hole 27 for embedding an inductor is formed in a core substrate...” <br>（用于嵌入电感器的通孔27形成在核心衬底中...） | 对比文件明确公开了在核心衬底（core substrate 13）中形成通孔27，并且通孔铜导体32设置在其中，该导体32构成了电感器10的一部分（即电感线圈）。该通孔导体32“至少部分地穿过所述基板延伸”（因为它被设置在贯穿基板的通孔27内），并且“形成...电感器的一部分”。虽然对比文件未使用“多通孔电感器”这一术语，但其电感器10本身即是由穿过基板的通孔导体构成，该通孔导体是电感器的核心组成部分。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br>《隐含公开》 | [0039]段：“Conductor circuits 52u and 52d are formed on the top and bottom surfaces of the core substrate 13, respectively, and a through-hole conductor 28 is formed to connect the conductor circuits 52u and 52d.” <br>（导体电路52u和52d分别形成在核心衬底13的顶表面和底表面上，并且形成通孔导体28以连接导体电路52u和52d。）<br>[0044]段：“...the inductors (L) 10 embedded in the board are formed in a part of the core substrate 13 of the package 2.” <br>（嵌入板中的电感器(L)10形成在封装2的核心衬底13的一部分中。） | 对比文件公开了在基板（核心衬底13）表面上有导体电路（52u, 52d），以及连接上下表面导体电路的通孔导体28。结合其电感器10（由通孔导体32构成）嵌入在基板中的描述，本领域技术人员可以合理推断：为了将嵌入的电感器（通孔导体32）接入电路，必然需要将其耦合到基板表面的其他导电结构（如52u或52d）或其他通孔（如28）。虽然对比文件未明确画出电感器通孔32与另一通孔28通过基板上的导电结构（如52u或52d）耦合的具体连接图，但这种将多个通孔通过基板表面的布线（导电结构）连接以形成更复杂电感路径的做法，在本领域（尤其是多层PCB和嵌入式器件领域）是常见且容易想到的。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，** <br>《未公开》 | [0041]段：“The thin-film type capacitor (C) 8 is formed by interposing a dielectric material 8 between the core substrate conductor circuit 52u-1 and the lower-layer conductor circuit 54u-1...” <br>（薄膜型电容器(C)8是通过将介电材料8夹在核心衬底导体电路52u-1和下层导体电路54u-1之间而形成的...）<br>[0045]段及图2：电容器8与电感器10串联在电路中。 | 对比文件公开了电容器（C）8，并且该电容器8与包含通孔导体32的电感器10电连接（耦合）。然而，对比文件中的电容器8是“薄膜型电容器”，其结构是介电材料夹在两个水平的导体电路（52u-1和54u-1）之间。其电介质位于两个平行的极板（导体电路）之间，**而不是位于“通孔与电容器的极板之间”**。目标专利的核心在于电容器**垂直集成**在通孔之上，电介质直接位于通孔（作为下电极或与下电极连接）和上极板之间。对比文件完全没有公开这种垂直堆叠的集成结构。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。** <br>《未公开》 | [0041]段：“The thin-film type capacitor (C) 8 is formed by interposing a dielectric material 8 between the core substrate conductor circuit 52u-1 and the lower-layer conductor circuit 54u-1...” <br>（薄膜型电容器(C)8是通过将介电材料8夹在核心衬底导体电路52u-1和下层导体电路54u-1之间而形成的...） | 对比文件中的电容器8是形成在基板（核心衬底13）的导体电路层之间的“薄膜型电容器”。其极板（导体电路52u-1和54u-1）是基板内多层布线结构的一部分，实质上嵌入在基板的叠层结构内（在核心衬底之上通过 buildup 工艺形成的绝缘层和导体层中）。这与目标专利明确要求的“所述电容器的所述极板在所述基板以外”（即极板不嵌入在基板内部，而是在基板之外，例如在基板之上的器件层内）存在根本区别。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。** <br>《隐含公开》 | [0045]段及图2：电路图显示电容器（C）8与电感器（L）10串联。<br>[0039]段：描述了导体电路52u, 52d和通孔导体28等互连结构。<br>[0053]段：电感器10（包含通孔导体32）嵌入在基板中。 | 对比文件公开了电容器8和包含通孔导体32的电感器10在电路中串联连接（耦合）。为了实现这种耦合，电容器8必然需要通过某种导电结构（例如表面导体电路、过孔等）连接到电感器10的通孔导体32上。虽然对比文件说明书文字未详细描述电容器8与通孔导体32之间的具体物理连接路径，但根据图1的器件结构和电路原理图（图2），本领域技术人员完全可以合理推断出存在这样的电连接路径，该路径中包括导电结构（可称为“第一导电结构”）。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br>《隐含公开》 | [0039]段：“...a through-hole conductor 28 is formed to connect the conductor circuits 52u and 52d.” <br>（...形成通孔导体28以连接导体电路52u和52d。）<br>[0044]段：“...the inductors (L) 10 embedded in the board are formed in a part of the core substrate 13...” <br>（嵌入板中的电感器(L)10形成在核心衬底13的一部分中...） | 对比文件明确公开了通孔导体28，其至少部分地延伸穿过基板（连接上下表面）。虽然对比文件未明确将通孔导体28称为电感器的一部分，但在嵌入式无源器件和PCB设计领域，利用多个通孔（via）及其表面连线来构成螺旋或回路形状的电感器是公知技术。结合对比文件公开了嵌入的通孔电感器10和另一个通孔28，本领域技术人员为了调整电感值或形成更复杂的电感结构，完全有可能且容易想到使用包括通孔28在内的多个通孔来共同构成一个“多通孔电感器”。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第二导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。** <br>《隐含公开》 | [0039]段：“Conductor circuits 52u and 52d are formed on the top and bottom surfaces of the core substrate 13, respectively, and a through-hole conductor 28 is formed to connect the conductor circuits 52u and 52d.” <br>（导体电路52u和52d分别形成在核心衬底13的顶表面和底表面上，并且形成通孔导体28以连接导体电路52u和52d。） | 对比文件公开了第一导电结构（例如导体电路52u）、第二导电结构（例如导体电路52d）以及连接它们的第二通孔（通孔导体28）。同时，对比文件还公开了作为电感器主要部分的另一个通孔（导体32）。本领域技术人员可以合理推断，为了构建一个完整的电感器回路，可以将通孔导体32通过基板表面的其他导电结构与由通孔28和导体电路52u/52d构成的路径相连接，从而形成一个包含多个通孔和多个表面导电结构的“多通孔电感器”。这种通过通孔和表面布线组合形成电感的结构在PCB和封装技术中是常见的。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。** <br>《部分直接公开，部分隐含公开》 | [0038]段：“...lower insulating layers 15u and 15d... upper insulating layers 25u and 25d...” <br>（...下层绝缘层15u和15d...上层绝缘层25u和25d...）<br>[0045]段及图2：电路图显示电感器（L）10和电容器（C）8构成电源滤波（平滑）电路。 | 1. **关于“极板在层间电介质(ILD)层中”**：对比文件公开了多层布线结构中的绝缘层（15u, 15d, 25u, 25d），这些层在半导体/封装领域可视为层间电介质（ILD）。其电容器8的极板（导体电路）位于这些绝缘层之间，因此该部分被直接公开。但需注意，如特征E所述，其极板位置与目标专利要求不同。<br>2. **关于“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”**：对比文件的图2电路明确显示电感器L和电容器C构成一个LC电路。在电源滤波（平滑）电路中，该LC电路会在特定频率下产生谐振，因此本领域技术人员可以毫无疑义地认识到其构成了一个谐振电路。虽然对比文件的电感器未明确描述为“多通孔”电感器，但如前述分析，其电感器由通孔构成，可视为多通孔电感器的雏形或一种简单形式。因此，“谐振电路包括电感器和电容器”被直接公开，而电感器的具体多通孔特性被隐含公开。综合判断，该特征整体被隐含公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。** <br>《未公开》 | 对比文件全文未提及玻璃基板（glass substrate）或透玻通孔（Through Glass Via, TGV）。其基板材料涉及的是印刷电路板常用的树脂基材料（如环氧树脂）或陶瓷基板（[0079]段），例如FR-4（[0060]段）。 | 目标专利明确限定了基板为“玻璃型基板”，通孔为“透玻通孔”，这是其特定的实施方式和工艺平台。对比文件完全未提及任何与玻璃基板或TGV相关的内容。两者的技术领域（PCB嵌入式电感 vs. 基于玻璃/TGV的集成无源器件）和材料体系存在显著差异。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br>《部分直接公开》 | [0079]段：“In the methods of embedding an inductor shown in FIGS. 7A to 7C, a resin substrate or a ceramic substrate may be also used as the substrate.” <br>（在图7A至7C所示的嵌入电感器的方法中，树脂衬底或陶瓷衬底也可以用作衬底。）<br>全文未提及玻璃、石英、SOI等特定材料。 | 对比文件公开了基板可以是“树脂衬底”（resin substrate），其通常包含如环氧树脂等塑料材料，也公开了“陶瓷衬底”。因此，对比文件直接公开了技术特征K中“塑料基板”这一选项。但是，对于列表中其他特定的材料（如玻璃基板、石英基板、SOI等），对比文件均未提及。由于权利要求中列出的是“或”关系，只要公开其中一种即构成公开，因此该技术特征中“塑料基板”的部分被直接公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br>《直接公开》 | [0053]段：“An embedded inductor (L) 10 shown in FIG. 4A includes a conductor (con.) 32 composed of through-hole copper...” <br>（图4A所示的嵌入电感器(L)10包括由通孔铜构成的导体(con.)32...）<br>[0068]段：“...a copper film having a thickness of about 20 μm is formed by copper pyrophosphate plating (i.e., electrolytic copper plating) to form a conductor 32...” <br>（...通过焦磷酸铜电镀（即电解铜电镀）形成厚度约为20μm的铜膜以形成导体32...） | 对比文件明确且反复地指出，其电感器的通孔导体32是由铜（Cu）通过电镀工艺填充形成的。铜属于权利要求列举的金属之一。因此，“通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜”这一技术方案被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。** <br>《未公开》 | [0041]段：“The thin-film type capacitor (C) 8 is formed by interposing a dielectric material 8 between the core substrate conductor circuit 52u-1 and the lower-layer conductor circuit 54u-1...” <br>（薄膜型电容器(C)8是通过将介电材料8夹在核心衬底导体电路52u-1和下层导体电路54u-1之间而形成的...） | 对比文件虽然提到了电容器中的“dielectric material”（介电材料），但完全没有具体公开其材质是什么。本领域技术人员无法从对比文件中得知该介电材料是目标专利权利要求中列举的二氧化硅、氮化硅等特定材料中的任何一种。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。** <br>《隐含公开》 | [0053]段：“The inside of the through-hole copper forms a hollow part 34.” <br>（通孔铜的内部形成中空部分34。）<br>[0055]段：“Referring to FIG. 4C, a filling agent 36 is filled in the through-hole conductor 32 shown in FIG. 4B...” <br>（参考图4C，填充剂36被填充到图4B所示的通孔导体32中...）<br>[0076]段描述嵌入方法时提到填充树脂。 | 对比文件公开了通孔导体32可以是中空的（图4A），也可以被填充剂36填充（图4C）。填充剂36优选低弹性材料以释放热应力，这通常可以是聚合物材料（如树脂）。虽然对比文件未明确使用“聚合物核”这一术语，但“填充剂”填入金属通孔内部的结构，实质上就是“金属结构包括聚合物核”的一种表现形式（金属结构包围着聚合物核）。本领域技术人员可以从对比文件的教导中合理推断出使用聚合物材料填充通孔内部以构成“聚合物核”的技术方案。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。** <br>《未公开》 | 对比文件中的电容器8是薄膜电容器，其极板和电介质是水平堆叠在基板平面内的层状结构（参见[0041]段）。其电容器的任何部分都没有被描述为“垂直位于”通孔的表面之上。通孔导体32和电容器8在空间上是分离的，通过平面布线连接，而非垂直集成。 | 这是目标专利最核心、最具区别性的技术特征之一，它定义了电容器与通孔在垂直方向上的集成关系：电容器的部件（极板和电介质）直接堆叠在通孔的顶表面（面向电介质的表面）上。对比文件完全没有公开这种三维垂直集成结构。其电容器和电感器（通孔）是分立制作后通过二维平面布线连接的。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。** <br>《未公开》 | 对比文件中，电容器8形成在基板（核心衬底13）的上表面附近（参见图1），而电感器（通孔导体32）嵌入在基板内。可能存在导电结构（如导体电路52d）在基板下表面。但是，不存在一条穿过通孔导体32且垂直于基板下表面的轴线，能够同时穿过电容器8的极板、电介质以及下表面的导电结构。因为电容器8与通孔导体32在垂直方向上并不对齐，它们是水平错开的。 | 该特征进一步限定了电容器、通孔和另一侧导电结构三者严格的垂直对齐关系。这种精确的空间位置关系是目标专利集成结构的具体体现。对比文件中的器件布局完全不具备这种关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。** <br>《未公开》 | 如特征O所述，对比文件中通孔导体32（其轴向垂直于基板表面）与电容器8的极板（其表面平行于基板表面）在垂直方向上没有重叠关系。通孔的轴不会与电容器的极板区域相交，因为它们在平面图上就是分开的。 | 该特征同样是描述电容器极板与通孔在垂直投影上的对齐关系。对比文件的结构中，电容器和通孔电感器是分立的元件，没有这种垂直方向的对齐和集成。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。** <br>《未公开》 | 对比文件没有描述通孔导体32的端面与电容器8的极板之间的尺寸关系，因为它们不是垂直集成的，不存在“通孔的面向电介质的表面”这一概念。 | 该特征预设了电容器垂直集成于通孔之上的结构，并进一步限定了两者表面的尺寸比例。对比文件既未公开这种垂直集成结构，自然也未曾涉及、更未比较两者的表面尺寸。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。** <br>《未公开》 | 同上。对比文件未公开垂直集成结构，也未涉及两者表面的尺寸比较。 | 同上，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。** <br>《未公开》 | 同上。对比文件未公开垂直集成结构，也未涉及两者表面的尺寸比较。 | 同上，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。** <br>《未公开》 | 对比文件中的电容器是单层电介质的薄膜电容器（参见[0041]段）。没有公开任何在通孔和电容器电介质之间还存在第二电介质层的结构。 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构，且该结构同样基于电容器垂直集成于通孔之上的前提。对比文件完全没有公开这样的前提或这样的多层电介质电容器结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。** <br>《未公开》 | 对比文件公开了通孔导体28连接上下表面，是贯穿孔。也公开了用于嵌入电感器的通孔27/导体32。但没有公开“部分地延伸穿过基板”的“盲孔”，也没有公开两个通孔“在基板内结合”的结构（如通过水平沟道连接）。更未提及包括第三通孔的多通孔电感器具体结构。 | 该特征描述了多通孔电感器的一种具体且复杂的实现方式，涉及盲孔和在基板内部的连接。对比文件虽然公开了多个通孔，但未描述它们以这种特定方式（部分延伸、内部结合、包含第三通孔）来构成电感器。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中直接或合理地推断出该具体结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。** <br>《未公开》 | 此特征与特征O、Q等本质相同，是目标专利核心集成结构的另一种表述。它强调通孔贯穿基板，且电容器部件垂直位于通孔上。如之前多次分析，对比文件完全没有公开电容器部件垂直位于通孔之上的任何教导或暗示。 | 该技术特征集成了贯穿通孔和垂直集成电容器两个要点，是对目标专利核心创新点的重申。对比文件未公开任一要点，更未公开两者的结合。因此，该技术特征未被公开。 |
### 总结与代码输出
根据以上评估，对比文件直接公开了技术特征A、B、L，以及技术特征K中的“塑料基板”部分（视为对K的直接公开）。对比文件隐含公开了技术特征C、F、G、H、I、N。
因此，在回答结尾应插入的代码为：直接公开对应A, B, K, L；隐含公开对应c, f, g, h, i, n。
需注意，技术特征I的判断为整体隐含公开，因此输出小写i。
<<<A>>><<<B>>><<<K>>><<<L>>><<<c>>><<<f>>><<<g>>><<<h>>><<<i>>><<<n>>>