**对比文件名称：** 2009-07-16_US2009179722A_发明申请_US20090179722A1 Multilayer Passive Circuit Topology
**目标专利名称：** CN105009280B 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器
**调用的模型名称：** 深度分析-创造性评估模型
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征，与对比文件US20090179722A1进行比对的结果。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0016]段：“The present example is illustrated with respect to a PWB but could be formed on a number of different multilayer structures, such as a low temperature co-fired ceramic (LTCC) structure, a multilayer semiconductor structure, a monolithic microwave integrated circuit (MMIC), liquid crystal polymer (LCP) structures or another type of multilayer circuit structure.” | 对比文件明确公开了其多层电路可以形成在多种多层结构上，例如印刷线路板（PWB）、低温共烧陶瓷（LTCC）结构等。这些结构均属于“基板”的范畴。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件中的电路是构建在一种基板之上的。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0018]段：“a plurality of buried vias 48 coupling respective parallel conductive traces from the first and second conductive trace layers 36 and 40.”；图1中标注了“buried vias 48”以及“through vias (VIA3)”、“blind via (VIA)”。 | 对比文件公开了“埋入通孔（buried vias）”48用于连接不同层的导电迹线以形成电感器绕组（见说明书第[0020]段及图2）。此外，图1还显示了贯穿基板的通孔（through vias VIA3）和盲孔（blind via VIA）。这些通孔都至少部分地穿过构成电路的基板（多层介质层堆叠），并且是构成多层电感器（multilayer inductor）的一部分。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0020]段：“A first set of parallel horizontal conducive traces 62 (L2) are etched on the first conductive trace layer 36 and a second set of parallel horizontal conducive traces 64 (L1) are etched on the second conductive trace layer 40 with embedded vias 48 employed to connect respective conductive traces on the first and second conductive trace layers 36 and 40 to form rectangular solenoid windings.”；图2。 | 对比文件详细描述了多层电感器60的结构：在第一导电迹线层36上蚀刻出第一组平行导电迹线62（L2），在第二导电迹线层40上蚀刻出第二组平行导电迹线64（L1），并通过埋入通孔48连接相应的导电迹线，形成矩形螺线管绕组。这些导电迹线（62, 64）就是位于基板（介质层）上的导电结构，它们通过通孔48相互连接，共同构成电感器。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间**<br>**《未公开》** | 说明书第[0021]段：“A first metal plate C of a desired area is etched on the second metal plate layer 22 and a second metal plate C2 of a similar area is etched on the first metal plate layer 18 in a parallel relationship to one another forming a multilayer capacitor.”；图3。 | 对比文件公开的电容器70（图3）是通过平行相对的第一金属板C1和第二金属板C2构成的，电介质位于这两个极板之间（见图1，第三介电层20位于金属板层18和22之间）。然而，目标专利的核心特征在于电容器的电介质位于“通孔”与电容器的“极板”之间，即通孔本身或其上的金属层充当了电容器的一个电极。对比文件中的电容器是通过通孔52（作为输入/输出端口）连接到电感器，但电容器的电介质并不位于该连接通孔与电容器极板之间。通孔52是作为连接线，而非电容器的构成电极。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。**<br>**《未公开》** | 说明书第[0021]段，图1、图3。 | 对比文件中的电容器是“嵌入（embedded）”或“多层（multilayer）”电容器，其金属板C1和C2分别形成在不同的金属层（18, 22）上，这些金属层位于多层介质结构内部（见图1）。说明书明确其为“embedded capacitor”（第[0021]段）。因此，电容器的极板位于基板（即多层介质结构）内部，而非“在基板以外”。该特征未被公开。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0021]段：“Two through-vias 52 are employed as input/output to bring the signal in and out of the capacitor and couple the multilayer capacitor to the multilayer inductor.”；图1、图3。 | 对比文件明确记载了通过通孔（through-vias 52）将多层电容器70连接到多层电感器60。结合技术特征C的论述，电感器中的导电迹线（如62， 64）可以视为第一导电结构。因此，电容器通过通孔52耦合至该第一导电结构（电感器绕组）的技术方案被对比文件直接公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0020]段及图2。 | 如技术特征B和C所述，对比文件的多层电感器60由多个通孔（如埋入通孔48和作为端口的通孔52）以及连接它们的导电迹线构成。其中，多个通孔（例如，不同的埋入通孔48或端口通孔52）都可以被视为构成电感器不同部分的“第二通孔”。这些通孔均至少部分地延伸穿过介质层（基板）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0020]段及图2。 | 对比文件的图2清晰地展示了多层电感器60的结构：第一组导电迹线62（第一导电结构）和第二组导电迹线64（第二导电结构）通过多个埋入通孔48（第二通孔）相互连接，形成连续的绕组。作为输入/输出的通孔52（通孔）连接到该绕组上。因此，该技术特征所描述的“多通孔电感器”包含通孔、第二通孔、第一导电结构和第二导电结构，并且这些元件通过所述连接关系构成电感器，这已被对比文件直接公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0018]段描述了由金属板层18、22和介电层20构成的多层电容器。第[0015]段指出：“The multilayer passive circuit topology provides inductor-capacitor (LC) circuits formed from multilayer inductors and multilayer capacitors that can be configured as filters, matching structures, **resonators**, oscillators or a variety of other LC circuit types.” | 1. **极板在ILD层中**：对比文件图1显示，电容器的金属板C1、C2分别位于金属板层22和18上，这些层与介电层（如16, 20, 24等）交替堆叠。本领域技术人员可以理解，在这种多层板结构中，金属层之间的介电层即起到层间电介质（ILD）的作用，金属板位于ILD层之间/之中。<br>2. **谐振电路包括多通孔电感器和电容器**：对比文件明确其多层无源电路拓扑可以构成LC电路，并具体列举了其可用于“谐振器（resonators）”。由电感器和电容器构成的LC电路本质上可以构成谐振电路。因此，包含所述多通孔电感器和电容器的电路可以作为谐振电路，该特征被直接公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。**<br>**《未公开》** | 说明书第[0016]段列举了可能的基板材料：“PWB”、“LTCC”、“LCP”、“MMIC”、“SiGe, GaAs, GaN, etc.”。 | 对比文件列举了多种可能的基板材料，包括PWB、LTCC、LCP、半导体（SiGe, GaAs等），但并未提及“玻璃型基板”。相应地，也未提及“透玻通孔（TGV）”。因此，该具体材料限定未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板**<br>**《隐含公开》** | 说明书第[0016]段：“...such as a low temperature co-fired ceramic (LTCC) structure, ... RFIC processes including but not limited to SiGe, **GaAs**, GaN, etc.” | 对比文件明确提到了基板材料可以包括GaAs（砷化镓），这是技术特征K所列选项之一。虽然未明确列举K特征中的所有材料，但对于本领域技术人员而言，在对比文件公开了GaAs等材料作为基板的基础上，根据电路设计需要选择其他已知的适合制作高频/射频电路的材料（如技术特征K中列举的多种基板）是常规选择。这属于本领域的公知常识。因此，技术特征K被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者**<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及通孔的具体填充材料。虽然多层电路制造中常用金属填充通孔，但对比文件并未具体公开填充金属的种类为Cu、W、Ag或Au。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。**<br>**《未公开》** | 说明书第[0018]段提到了介电材料：“The first, third, fifth, seventh, ninth and eleventh dielectric layers can be formed of a first dielectric material such as Rogers R3003. The second, fourth, sixth, eight and tenth dielectric layers can be formed of a second dielectric material, such as GETEK。” | 对比文件仅提及了“Rogers R3003”和“GETEK”这两种具体的商业介电材料，并未公开技术特征M中列举的SiO2、Si3N4、SiOxNy、Ta2O5、Al2O3或AlN等材料。因此，该具体材料限定未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。**<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及通孔内部具有包含聚合物核的金属结构。目标专利的该特征涉及一种特定的通孔结构（如具有聚合物芯的金属化通孔），对比文件中没有给出任何相关教导或启示。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。**<br>**《未公开》** | 说明书及附图（图1，图3）。 | 这是目标专利的核心空间结构特征，即电容器“在通孔顶部形成”（说明书摘要），电容器的极板和电介质在垂直方向上与通孔对齐并位于其上方。对比文件中的电容器（图3）和电感器（图2）是通过通孔52进行侧向连接，电容器的极板和电介质与连接通孔52在空间上是分离的，并非垂直位于通孔的上方。该特征未被公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。**<br>**《未公开》** | 说明书及附图（图1）。 | 该特征描述了电容器、通孔和第一导电结构（电感器的一部分）三者之间精确的垂直空间关系。对比文件图1显示，电容器（由18，20，22层构成）和电感器（由36，38，40层构成）位于多层结构的不同层级，它们通过通孔（VIA3）进行垂直互连。然而，这种连接是间接的，并非如目标专利所描述的，电容器的极板/电介质、通孔以及电感器的导电结构三者沿同一垂直轴精确对齐并相交。对比文件没有公开这种特定的垂直堆叠和对齐关系。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。**<br>**《未公开》** | 同技术特征O、P。 | 该特征同样是描述电容器极板与通孔在垂直方向上的对齐关系。如上所述，对比文件中的电容器极板与连接通孔在空间上是错开的，没有垂直方向上的对齐和相交关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。**<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 该特征涉及通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。对比文件未描述其电容器极板与任何通孔表面之间存在这种尺寸比较关系。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。**<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 同技术特征R，对比文件未描述其电容器极板与任何通孔表面之间存在这种尺寸比较关系。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。**<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 同技术特征R、S，对比文件未描述其电容器极板与任何通孔表面之间存在这种尺寸比较关系。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。**<br>**《未公开》** | 同技术特征D。 | 该特征以技术特征D（电介质位于通孔与极板之间）为前提。由于对比文件未公开技术特征D，因此更不可能公开在此基础上增加“第二电介质”的进一步限定。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。**<br>**《未公开》** | 说明书及附图（图1，图2）。 | 对比文件公开了多种通孔（through vias, blind vias, buried vias），但未公开“通孔和第二通孔在基板内结合”这一具体结构（如目标专利图6所示）。对比文件中的通孔用于连接不同层的导电图案，但并未描述两个通孔在基板内部直接连接结合。该特征未被公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。**<br>**《未公开》** | 同技术特征O、Q。 | 该特征综合了通孔贯穿基板以及电容器垂直位于通孔上方两个要点。对比文件虽有贯穿通孔（through vias），但其电容器并不垂直位于这些通孔的上方。因此，该特征未被公开。 |
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