对比文件名称：2010-10-26_US7821359B_发明授权_US07821359B2 Band-stop filters
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**《直接公开》** | 第[0043]段：“The first contacts 101 and 102, the series pads 141-144, the shunt pads 151-153, and the grounding elements 105 and 106 are all disposed in a common plane defined along the front face of the planar circuit board 108.” | 对比文件明确公开了“planar circuit board”（平面电路板），这对应于目标专利中的“基板”。在本领域，电路板是实现电子器件功能的基础载体，其作用与目标专利中承载通孔、电容器等元件的基板相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>**《隐含公开》** | 第[0046]段：“The conducting leads of the capacitors and inductors pass through holes defined in the circuit board and electrically connect the capacitors and inductors to the appropriate back-face pads, contacts and grounding elements.” | 对比文件公开了电容器和电感器的导电引线穿过电路板（基板）上定义的孔（holes），以实现与背面焊盘的电连接。这些“孔”在结构和功能上即是“通孔”。虽然对比文件未明确将其称为“通孔”，但本领域技术人员能够毫无疑义地理解，在电路板中为电连接目的而设置的、允许导体穿过的孔即为通孔。这些通孔用于连接电路元件，构成了电路通路的一部分，其作用与目标专利中用于形成电感器一部分的通孔类似（都是提供电连接和构成电路）。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。对比文件未描述由多个通孔及连接它们的导电结构构成一个“多通孔电感器”。其电路中的电感是由独立的线圈电感器（如111L， 112L等）实现的。 | 对比文件中的电感器是独立的绕线线圈（如111L， 112L， 121L等，参见表2），而非由通孔和导电结构构成。虽然对比文件有导电焊盘（如系列焊盘141-144）连接各电路元件，但这些焊盘的作用是提供元件间的串联或分流连接，并非用于与通孔组合构成一个具有特定电感特性的“多通孔电感器”。目标专利中“多通孔电感器”是一个由通孔和导电结构构成的整体电感元件，其结构、形成方式及在电路中的作用（如作为谐振电路的一部分）与对比文件中的分立绕线电感器有本质区别。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。对比文件公开了电容器（如111C， 112C等），但未描述其与“通孔”有任何结构上的耦合关系，更未提及电容器的电介质位于通孔与极板之间。 | 这是目标专利最核心的特征。对比文件中的电容器（如陶瓷盘式电容器）是分立元件，通过引线焊接到电路板的焊盘上。其电容结构（极板和电介质）是独立于电路板通孔的。目标专利要求电容器直接形成在通孔之上，且电介质位于通孔与电容器极板之间，从而将通孔作为电容器的一个电极或直接利用其结构，以达到降低电阻、减小尺寸的目的。对比文件完全没有涉及这种集成结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>**《直接公开》** | 第[0045]段：“With regard to front-face electrical connections, respective pairs of conducting leads extend from each capacitor and conductor and electrically connect the capacitors and inductors to the appropriate front-face pads, contacts, and grounding elements.” 结合图2可见电容器（如111C）安装在电路板表面。 | 对比文件明确描述了电容器通过引线连接到电路板表面的焊盘上，且附图2清晰显示电容器是安装在电路板（基板）的表面上。这意味着电容器的极板（作为分立元件的一部分）必然位于基板之外。其作用与目标专利中电容器极板位于基板之外相同，都是作为电路元件的一部分在基板表面或上方实现功能。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 该特征依赖于技术特征C和D所定义的特定结构。由于对比文件既未公开“多通孔电感器”及其“导电结构”（特征C），也未公开“电容器耦合至所述通孔”的结构（特征D），因此更不可能公开电容器通过通孔耦合至第一导电结构这一进一步的连接关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 该特征是对“多通孔电感器”的进一步限定。如对特征C的分析，对比文件未公开由通孔构成电感器的概念，因此也就不存在“第二通孔”作为该电感器第二部分的内容。该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 该特征是对“多通孔电感器”具体构成的进一步详细描述。对比文件完全没有涉及此类由通孔和导电结构交错连接构成的电感器结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 对比文件未提及“层间电介质（ILD）层”。其电容器是分立元件，安装在电路板表面，并非嵌入在ILD层中。此外，对比文件的电路虽然是滤波器（可包含谐振特性），但其电感器和电容器是分立连接，而非目标专利所限定的由“多通孔电感器”与集成在通孔上的电容器构成的特定谐振电路。该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 对比文件未对其电路板的材料进行具体限定，更没有提及“玻璃型基板”或“透玻通孔（TGV）”。目标专利的该特征是针对特定基板和先进封装技术的限定，对比文件未涉及。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 对比文件未具体公开基板的材料种类。该特征是目标专利对基板材料的宽范围列举，未被对比文件公开。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>**《隐含公开》** | 第[0046]段：“The conducting leads of the capacitors and inductors pass through holes defined in the circuit board...” 结合本领域公知常识。 | 对比文件公开了导电引线穿过电路板上的孔。为了使引线实现电连接，这些孔通常需要被金属化（例如电镀铜）或者引线本身（通常是金属）填充了该孔。本领域技术人员根据公知常识可以合理推断，用于电气互连的电路板通孔通常是金属填充的，常用金属包括铜等。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 对比文件中的电容器是分立陶瓷盘式电容器（参见第[0049]段及表1），其电介质材料是陶瓷。目标专利列举的是一系列可用于薄膜或沉积工艺的特定电介质材料（如SiO2, Si3N4等），这与分立陶瓷电容器的材料不同。对比文件未公开目标专利所列举的这些具体电介质材料。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 对比文件未描述通孔的内部结构，更没有提及具有聚合物核的金属结构。这是目标专利中一种特定的通孔结构（如图3所示），用于提供支撑或降低成本，未被对比文件公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 该特征描述了电容器在垂直方向上与通孔对齐的集成结构，是特征D的具体空间关系体现。对比文件中的分立电容器与电路板上的孔（通孔）没有这种垂直方向上的直接位置对应关系，电容器是通过引线水平连接到焊盘，焊盘再通过通孔连接至背面。该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 该特征描述了电容器、通孔和背面导电结构三者精确的空间对齐关系，是高度集成的结构特征。对比文件虽然描述了元件安装在电路板正面，导电结构在背面，但未描述电容器与特定通孔及背面导电结构之间存在如此精确的轴线对齐关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 该特征同样强调了通孔与电容器极板在垂直方向上的投影重叠关系。如前述，对比文件未公开电容器与通孔之间的这种集成位置关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 该特征是对通孔与电容器极板相对尺寸的限定。对比文件未公开电容器形成在通孔上，因此不存在“通孔的面向电介质的表面”与“电容器极板的表面”之间的尺寸比较关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 同上，该尺寸比较关系依赖于电容器集成在通孔上的结构，对比文件未公开该结构，故该特征未被公开。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 同上，该尺寸比较关系依赖于电容器集成在通孔上的结构，对比文件未公开该结构，故该特征未被公开。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构，且该结构位于通孔之上。对比文件未公开电容器与通孔的集成，更未公开这种多层电介质结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 该特征描述了“多通孔电感器”内通孔之间在基板内部结合的复杂三维结构。对比文件完全没有涉及此类结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>**《未直接或隐含公开》** | 无对应原文。 | 该特征再次强调了电容器垂直位于通孔上方的集成关系，是特征D和O的另一种表述。如前所述，对比文件未公开此结构。该特征未被公开。 |
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