对比文件名称：2009-10-01_WO2009118694A_发明申请_WO2009118694A1 INTEGRATED 3D HIGH DENSITY AND HIGH QUALITY INDUCTIVE ELEMENT
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A: 包括：基板** | [p0003] ... integrated in semiconductor substrate (in particular Si) ...<br>[p0060] ... providing a substrate, preferably made of silicon ... | 对比文件明确公开了其元件集成在半导体基板（特别是硅）中。基板是构成任何三维集成器件的基础结构。本领域技术人员可以毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。该基板在对比文件中作为承载螺线管电感器（即多通孔电感器）的基础，与目标专利中基板作为承载通孔和电容器的基础作用相同。因此，该技术特征被**直接公开**。 |
| **B: 至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** | [p0020] ... fine pitch through silicon vias ...<br>[p0021] ... conductive holes, having a small diameter and a high aspect ratio, running through the substrate ...<br>[p0022] ... the holes are vias ... running through the substrate ...<br>[p0060] ... lithographically defining through substrate vias ... | 对比文件多次明确公开了贯穿基板的硅通孔（TSV），这些通孔具有小直径和高深宽比。这些通孔是构成其三维螺线管电感器（即多通孔电感器）的关键部分，它们连接基板两侧的导电迹线以形成电感绕组。因此，对比文件公开了“至少部分地穿过基板延伸的通孔”，且该通孔是电感器（即多通孔电感器）的一部分。本领域技术人员可以毫无疑义地得出该结论。因此，该技术特征被**直接公开**。 |
| **C: 所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** | [p0020] ... metal layers forming electrically conductive tracks on both sides of said substrate ... wherein the tracks are electrically connected to one or more vias.<br>[p0021] ... windings composed of conductive lines on two opposite sides of the substrate, and conductive holes ... running through the substrate connecting the conductive lines on opposite sides.<br>[图5] 图示了基板两侧的金属线通过通孔连接形成螺线管。 | 对比文件公开了在基板两侧形成的金属层（导电迹线），这些导电迹线电连接到一个或多个通孔。这些通孔和两侧的导电迹线共同构成了一个螺线管电感器（即多通孔电感器）。具体而言，位于基板一侧（如顶部或底部）的导电迹线，连接了两个通孔，因此它“耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上”。本领域技术人员阅读对比文件后可以毫无疑义地得出此结构。因此，该技术特征被**直接公开**。 |
| **D: 耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** | [p0032] ... fully compatible with the other passive components, which already may be existing, like trench capacitors ...<br>[p0010] ... a large-capacity passive elements can be formed on the substrate ... | 对比文件仅泛泛提及螺线管电感器与“其他无源组件（如沟槽电容器）完全兼容”，或提及可以在基板上形成大容量无源元件。但对比文件全文的核心和详细描述都围绕三维螺线管电感器本身，**没有**任何一处文字或图示描述或教导一个“电容器”其“电介质位于通孔与电容器的极板之间”的具体结构。目标专利的核心创新点正是将电容器直接构建在通孔之上，电介质位于两者之间，以降低电阻。对比文件并未公开这种具体的、集成的电容器-通孔结构。因此，本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。该技术特征**未被公开**。 |
| **E: 并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。** | 无相应引用。 | 由于技术特征D（电容器的基本结构）未被对比文件公开，因此其从属特征E（关于极板位置）自然也无从谈起。对比文件没有公开任何集成在通孔上的电容器结构，因此无法涉及该电容器的极板是否在基板以外。该技术特征**未被公开**。 |
| **F: 其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。** | 无相应引用。 | 该特征限定了电容器通过所述通孔耦合至第一导电结构。由于对比文件未公开技术特征D（耦合至通孔的电容器），因此这种具体的耦合关系也不存在。对比文件中的通孔仅用于连接两侧的导电迹线以形成电感绕组，并未描述其与一个具有特定结构的电容器相耦合。该技术特征**未被公开**。 |
| **G: 其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** | [p0020], [p0021], [p0022] (同上B、C特征引用) | 对比文件公开的螺线管电感器由多个通孔和两侧的导电迹线构成。要实现一个多匝螺线管，必然需要多个通孔。例如，图5所示的螺线管结构清楚地显示了多个通孔。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地得出，所述多通孔电感器必然包括至少一个“第二通孔”，该第二通孔延伸穿过基板并形成电感器的一部分。该技术特征被**直接公开**。 |
| **H: 第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。** | [p0020], [p0021], [p0022] (同上B、C特征引用) | 对比文件公开的螺线管电感器包括基板两侧的金属层（导电迹线）和连接它们的通孔。为了形成连续的螺旋绕组，一侧的导电迹线（第一导电结构）需要通过一个通孔连接到另一侧的导电迹线（第二导电结构），而另一侧的导电迹线又需要通过另一个通孔（第二通孔）连接回第一侧的下一段导电迹线。这种交替连接的结构是螺线管的基本构成方式。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地从对比文件推断出，所述多通孔电感器必然包括通孔、第二通孔、第一导电结构和第二导电结构，并且它们以所述方式耦合。该技术特征被**直接公开**（或至少被隐含公开，但鉴于描述清晰，倾向于直接公开）。 |
| **I: 其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。** | 无相应引用。 | 该特征包含两个限定：1) 极板在ILD层中；2) 谐振电路包括该电感器和电容器。首先，由于电容器结构未被公开，其极板位置无从谈起。其次，对比文件虽然公开了高质量电感器，并提到可用于滤波器等电路（如[p0058]提到DC/DC转换器、TV前端滤波器等），但**没有**明确公开一个由所述多通孔电感器和所述特定结构的电容器组成的“谐振电路”。因此，该技术特征**未被公开**。 |
| **J: 其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。** | [p0003] ... integrated in semiconductor substrate (in particular Si) ...<br>[p0060] ... substrate, preferably made of silicon ... | 对比文件明确且反复强调其基板是“半导体基板”，特别是“硅”基板。通孔是“through silicon vias”（硅通孔）。目标专利明确限定了“玻璃型基板”和“透玻通孔”。玻璃基板与硅基板是不同类型的基板，透玻通孔（TGV）与硅通孔（TSV）是应用于不同材料的技术。本领域技术人员不能从对比文件公开的“硅基板”和“硅通孔”毫无疑义地得出或合理推断出“玻璃型基板”和“透玻通孔”。该技术特征**未被公开**。 |
| **K: 其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** | [p0003] ... integrated in semiconductor substrate (in particular Si) ... | 对比文件仅公开了基板为半导体基板，特别是硅（Si）基板。目标专利权利要求K中列举了多种基板类型，其中“高电阻率硅(HRS)基板”与对比文件公开的“硅”基板可能存在重叠，但对比文件并未明确其硅基板为“高电阻率”型。其余基板类型（如玻璃、石英、SOI、GaAs等）均未被对比文件提及。本领域技术人员无法从对比文件唯一地、毫无疑义地得出权利要求K所限定的这些具体基板类型。该技术特征**未被公开**。 |
| **L: 所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** | [p0020] ... the vias are typically formed of an electrically conducting material, such as W, Al, Cu, or suitable combinations thereof.<br>[p0060] ... filling the vias with a conducting material, preferably with copper ... | 对比文件明确公开了通孔由导电材料填充，并举例提到了钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)或其组合，并优选铜。虽然列举中包含了铝（Al）是目标专利未列举的，但铜(Cu)、钨(W)均被共同提及。本领域技术人员可以毫无疑义地得出对比文件公开了通孔是金属填充型，且金属包括铜(Cu)或钨(W)。因此，该技术特征被**直接公开**。 |
| **M: 所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。** | 无相应引用。 | 该特征限定了电容器电介质的具体材料。对比文件全文未提及任何与权利要求所述电容器相关的电介质材料。虽然对比文件在工艺描述中可能涉及绝缘层（如[p0062]提及覆盖氧化物和氮化物层），但这些是用于通孔或基板的绝缘/钝化，并非位于“通孔与电容器极板之间”的电容器的电介质。因此，该技术特征**未被公开**。 |
| **N: 其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。** | 无相应引用。 | 对比文件描述的通孔填充材料为导电金属（如Cu、W），并未提及通孔内存在包含聚合物核的金属结构。目标专利图3和对应描述（[0044]段）的该特征是一种特定的结构以降低成本或增强兼容性。对比文件没有公开或暗示这种结构。该技术特征**未被公开**。 |
| **O: 其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。** | 无相应引用。 | 该特征描述了电容器部件与通孔表面在垂直方向上的位置关系，是技术特征D的具体化体现。由于对比文件未公开技术特征D（电容器及其与通孔的相对位置），因此这种具体的垂直堆叠关系也无从谈起。该技术特征**未被公开**。 |
| **P至T（关于电容器/极板与通孔表面相对位置、大小的具体限定）** | 无相应引用。 | 特征P、Q、R、S、T均是对电容器极板、电介质与通孔表面之间相对位置、大小关系的进一步限定（例如，轴相交、表面大小比较）。这些特征均以技术特征D（电容器结构）的存在为前提。由于对比文件未公开该前提，这些从属的、具体的位置和尺寸关系特征也**未被公开**。 |
| **U: 其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。** | 无相应引用。 | 该特征限定了电容器具有两层电介质，是更具体的电容器结构。对比文件未公开任何在通孔上形成的电容器，因此更不可能公开具有两层电介质的电容器结构。该技术特征**未被公开**。 |
| **V: 其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。** | 无相应引用。 | 对比文件描述的通孔是“贯穿基板”（through substrate）的（见[p0021]， running through the substrate），用于连接两侧的金属层。没有描述“部分地延伸穿过基板”的盲通孔，也没有描述通孔在基板内部结合的结构。该特征描述了目标专利图6所示的一种特定电感器结构。对比文件**未公开**此特征。 |
| **W: 其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。** | 无相应引用。 | 该特征前半部分“通孔延伸穿过所述基板”已被特征B公开。但后半部分再次强调了电容器部件垂直位于通孔上，这仍然是技术特征D的具体体现。由于对比文件未公开电容器结构，该后半部分限定**未被公开**。 |
### 结论
综上所述，对比文件WO2009118694A1公开了目标专利权利要求中与基板、通孔以及由这些通孔和导电结构构成的多通孔电感器（螺线管）相关的技术特征（A, B, C, G, H, L）。然而，**对比文件未公开**目标专利的核心发明点——即“耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”（特征D），以及所有依赖于该电容器结构存在的从属特征（如E, F, I, M, N, O, P, Q, R, S, T, U, W的后半部分）。此外，对比文件也未公开关于基板为玻璃型/透玻通孔（J）、具体基板列表（K）、以及特定盲通孔结构（V）等技术特征。
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