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技术特征描述以及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括基板。《直接公开》	参见说明书具体实施方式及附图5：“所述漏磁收集的漏磁收集线圈由PCB 202上的铜箔做出的圆的螺旋线代替”。附图5明确显示了PCB（印刷电路板）。	对比文件明确公开了“PCB 202”，即印刷电路板。在电子器件领域，PCB是承载和电性连接电子元件的常见基板。对比文件中的漏磁收集线圈制作在PCB上，PCB起到了支撑和承载该线圈的作用。这与目标专利中基板（如硅基板、玻璃基板等）用于支撑和承载螺旋电感器的作用相同，都是为导电结构提供物理支撑和电气连接的基础。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器。《未公开》	参见说明书具体实施方式及附图5：“所述漏磁收集的漏磁收集线圈由PCB 202上的铜箔做出的圆的螺旋线代替”。	对比文件公开了制作在PCB上的“圆的螺旋线”，即一个螺旋形状的线圈，这可以认为公开了一个“布置在基板上的螺旋电感器”的基本结构。然而，目标专利权利要求明确限定该螺旋电感器是“梯度层堆叠电感器”，这意味着其厚度在垂直方向上是连续、渐变式增加的。对比文件中的螺旋线圈是由PCB上的单层铜箔制成，从说明书和附图均未提及该线圈具有任何堆叠结构，更没有提及该线圈的厚度在不同位置存在差异，尤其不存在“梯度层堆叠”所描述的厚度连续变化的特征。因此，对比文件没有公开“梯度层堆叠电感器”这一特定结构。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度。《未公开》	对比文件全文未提及螺旋线圈（漏磁收集线圈）的厚度，也未提及其不同部分具有不同厚度。	目标专利的核心在于电感器厚度（垂直于基板方向的尺寸）的变化。对比文件仅描述了螺旋线圈的形状和制作材料（PCB铜箔），完全没有提及线圈的厚度信息，更没有指出其最内匝的某一部分具有特定的“第一厚度”。本领域技术人员无法从对比文件公开的“圆的螺旋线”中毫无疑义地得出其具有特定厚度，更无法得出其最内匝的某个部分具有一个可定义的“第一厚度”。因此，该技术特征未被公开。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度。《未公开》	对比文件全文未提及螺旋线圈（漏磁收集线圈）的厚度，也未提及其不同部分具有不同厚度。	同理，对比文件完全没有涉及线圈厚度的任何信息，因此无法得出最内匝存在具有“第二厚度”的“第二部分”。该技术特征未被公开。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度。《未公开》	对比文件全文未提及螺旋线圈（漏磁收集线圈）的厚度，也未提及其不同部分具有不同厚度。	由于对比文件未公开“第一厚度”和“第二厚度”，因此二者之间的大小关系也无从谈起。该技术特征未被公开。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度。《未公开》	对比文件全文未提及螺旋线圈（漏磁收集线圈）的厚度，也未提及其不同部分具有不同厚度。	同理，对比文件未公开关于“第三部分”及其“第三厚度”的任何信息。该技术特征未被公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度。《未公开》	对比文件全文未提及螺旋线圈（漏磁收集线圈）的厚度，也未提及其不同部分具有不同厚度。	由于对比文件未公开“第一厚度”、“第二厚度”和“第三厚度”，因此它们之间的大小关系未被公开。该技术特征未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。《未公开》	对比文件全文未提及螺旋线圈（漏磁收集线圈）的厚度变化。	目标专利该特征限定了厚度在最内匝范围内呈梯度（连续、渐进）增大。这是实现降低涡流损耗这一发明目的的关键结构特征。对比文件中的螺旋线圈被描述为PCB上的单层铜箔线，本领域技术人员公知，此类工艺制成的导线厚度是均匀的，不存在梯度变化。对比文件既未描述也未暗示其线圈厚度存在任何变化，更未提及梯度变化。因此，该技术特征未被公开。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。《未公开》	对比文件说明书和附图仅描述了一个螺旋线圈（漏磁收集线圈），由单层PCB铜箔制成。未提及任何多层堆叠的螺旋结构，也未提及“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”及其覆盖关系。	该特征详细描述了螺旋电感器为多层堆叠结构，并且各层螺旋在不同匝、不同部分有特定的覆盖和暴露关系，这是实现阶梯式厚度变化的具体结构。对比文件仅公开了单一导体的螺旋线圈，完全没有涉及多个导电螺旋层以及它们之间的空间堆叠和覆盖关系。因此，该技术特征未被公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。《未公开》	对比文件仅公开了一个螺旋线圈，不存在“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”，因此无法讨论它们的长度关系。	由于对比文件未公开多层螺旋结构，因此不存在多个螺旋的长度比较。该技术特征未被公开。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件仅公开了一个螺旋线圈，未提及任何位于螺旋之间的“导电层”。	该特征进一步引入了位于两个螺旋之间的导电层，并限定了其在最内匝第二部分的结构。对比文件中的线圈结构简单，只有单一的螺旋导体，没有提及任何额外的、位于不同螺旋层之间的导电层结构。因此，该技术特征未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。《未公开》	对比文件未公开任何“导电层”。	由于“导电层”这一上位概念未被公开，其具体形式“非连续螺旋”自然也未被公开。该技术特征未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。《未公开》	对比文件未公开任何“导电层”。	由于“导电层”这一上位概念未被公开，其具体包含的内容（输入/输出引线）自然也未被公开。该技术特征未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。《未公开》	对比文件仅公开了一个螺旋线圈，未提及任何“钝化层”。	钝化层是用于绝缘和保护的介质层。对比文件描述的是一个简单的PCB线圈，在附图中也未显示有额外的绝缘层结构。说明书和附图均未提及在螺旋之间设置钝化层。因此，该技术特征未被公开。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件未公开“第二导电螺旋”、“第一导电螺旋”以及“钝化层”，因此更不可能公开连接它们的“通孔”。	该特征依赖于前述多个未被公开的结构特征（多层螺旋、钝化层）。由于这些基础结构未被公开，连接这些结构的通孔也未被公开。该技术特征未被公开。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。《未公开》	对比文件全文未提及螺旋线圈（漏磁收集线圈）的厚度，也未提及其不同部分具有不同厚度。	该特征限定了最内匝厚度单调递增的趋势。这是目标专利实现技术效果（降低电阻）的关键。对比文件完全没有提供任何关于线圈厚度、特别是厚度变化趋势的信息。从公开的“PCB上的铜箔”这一信息，本领域技术人员通常理解其为均匀厚度，无法推理出其在最内匝存在单调递增的厚度变化。因此，该技术特征未被公开。