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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
A. 包括：基板<br>《直接公开》	[0006] "... through a glass substrate ..."；<br>[0043] "... a glass substrate ..."；<br>[0090] "... the glass substrate ..."	对比文件通篇描述了在玻璃基板上形成通孔（through-glass via）的结构与方法。例如，[0006]段和[0043]段明确提到了“玻璃基板”，并且该基板是构成其所述装置（如MEMS器件封装）的基础支撑结构。本领域技术人员可以毫无疑义地确定，对比文件公开了作为装置组成部分的“基板”这一技术特征。
B. 以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器<br>《未公开》	无	对比文件的核心内容是涉及玻璃基板中导电通孔（through-glass via）的结构及其制造方法，用于在基板两侧提供电连接通路。全文未提及任何“螺旋电感器”或“电感器”结构，更未涉及“梯度层堆叠电感器”这一特定类型的电感器。该特征在目标专利中是实现变化厚度以降低涡流损耗的核心元件，对比文件完全没有公开。
C. 其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未公开》	无	由于对比文件未公开“螺旋电感器”，因此自然不存在“最内匝”的概念，更谈不上最内匝某一部分在垂直方向上的厚度。该特征是螺旋电感器特有的结构属性，对比文件未涉及。
D. ，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度<br>《未公开》	无	同上，该特征依赖于螺旋电感器及其“匝”的结构，对比文件未公开。
E. ，其中所述第二厚度大于所述第一厚度<br>《未公开》	无	该厚度比较关系是螺旋电感器内部不同部分的结构特征，对比文件未公开螺旋电感器，因此该关系无从谈起。
F. ，所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度<br>《未公开》	无	同上，该特征依赖于螺旋电感器及其“匝”的结构，对比文件未公开。
G. ，其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度<br>《未公开》	无	该厚度比较关系是螺旋电感器内部不同部分的结构特征，对比文件未公开螺旋电感器，因此该关系无从谈起。
H. ，并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>《未公开》	无	该特征定义了螺旋电感器厚度沿最内匝呈梯度变化的特定方式，是对电感器三维形状的限定。对比文件未公开任何螺旋电感器结构，因此完全不可能公开此梯度变化特征。
I. 其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>《未公开》	无	该特征详细限定了螺旋电感器由多个导电螺旋层堆叠构成，且各层在不同匝区（最内匝、最外匝）的覆盖关系和包含关系。对比文件公开的是贯穿基板的“通孔”及其侧壁上的导电薄膜，这些结构是垂直或倾斜的通道，并非平面螺旋形状的线圈，也完全没有“匝”的概念。因此，对比文件未公开由多个螺旋层堆叠构成电感器的任何技术方案。
J. 其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>《未公开》	无	该特征限定了两个导电螺旋的长度关系。由于对比文件未公开任何“导电螺旋”结构，因此该长度关系无法被公开。
K. 其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>《未公开》	无	该特征限定了在两层导电螺旋之间还存在一个导电层，并明确了其在不同匝区的构成。对比文件虽然描述了在通孔中沉积导电薄膜（thin film），但这与目标专利中作为螺旋电感器组成部分的、具有特定形状和功能的“导电层”有本质区别。对比文件的导电薄膜用于形成通孔侧壁的导电通路，而非构成螺旋线圈的一部分。因此，该特征未被公开。
L. 其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>《未公开》	无	该特征进一步限定导电层的形状为“非连续螺旋”。对比文件未公开任何螺旋形状的导电层，无论是连续还是非连续的。
M. 其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>《未公开》	无	该特征将导电层与输入/输出引线相关联。对比文件未公开具有“输入/输出引线”功能的螺旋形导电层。虽然对比文件提到了连接焊盘（bond pad）和迹线（trace），但这些是用于连接外部电路或器件的独立结构，并非所述导电层本身的一部分。
N. 其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>《隐含公开》	[0030] “A dielectric layer (not shown) within the optical stack 16 may prevent shorting and control the separation distance between the layers 14 and 16...”；<br>[0081] “In some implementations, one of the sub-layers 16a, 16b can be an insulating or dielectric layer, such as sub-layer 16b that is deposited over one or more metal layers...”	对比文件在描述其MEMS器件（如干涉式调制器IMOD）的结构时，多次提到在导电层之间设置介电层（dielectric layer）或绝缘层（insulating layer），例如[0030]和[0081]段。这些层的作用是防止短路并控制层间距离，这与目标专利中“钝化层”在两层导电螺旋之间起电隔离作用的功能是相同的。虽然对比文件未明确在“螺旋电感器”的“导电螺旋”之间使用该层，但本领域技术人员可以从对比文件中公开的“在导电层之间设置介电/绝缘层以防止短路”这一普通技术知识出发，合理推断出在需要电隔离的任何多层导电结构（包括如果存在的多层螺旋结构）之间都可以设置这样的层。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。
O. 其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>《隐含公开》	[0031] “The one or more vias may electrically connect the first conductive spiral 106, the conductive layer 108, and the second conductive spiral 110, or a combination thereof.” （注：此段引自目标专利说明书[0031]，用于解释“通孔电连接”在其上下文中的作用。对比文件本身未明确描述此结构，但公开了类似概念。）<br>对比文件：[0094] “... a through-glass via 93 having a conductive thin film 101 in the via connects a MEMS device 96 on one side of the MEMS device glass substrate 91a to an electrically active component 98 on the other side.”；<br>[0115] “Coating the through-glass via hole with a conductive thin film may involve deposition from two sides of the glass substrate...”	对比文件详细描述了“通孔”（through-glass via）及其内部的连续导电薄膜（conductive thin film）用于电连接基板两侧的器件（如[0094]段）。虽然该通孔是垂直贯穿基板的，但其核心构思是：通过在绝缘基板（玻璃）中形成孔洞并在其内壁沉积连续导电材料，来实现不同层或不同侧之间的电连接。本领域技术人员可以理解，为了实现多层导电结构之间的垂直互连，使用“通孔”是一种常规技术手段。因此，尽管对比文件未明确描述在“钝化层”中制作通孔来连接“第二导电螺旋”和“第一导电螺旋”，但基于对比文件公开的“使用导电通孔实现层间电连接”的普遍原理，本领域技术人员在面临需要连接被钝化层隔离的两层导电螺旋时，能够合理且毫无困难地想到采用通孔技术来实现该电连接。该特征所体现的“通过穿过绝缘层的通孔实现电连接”的技术手段已被对比文件隐含公开。
P. 其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>《未公开》	无	该特征限定了螺旋电感器最内匝特定部分的厚度变化趋势。对比文件未公开任何螺旋电感器结构，因此该厚度变化特征完全未被公开。