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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板<br>《直接公开》	[0004] ... inductors formed on a glass substrate, or wrapped around a core made of glass can exhibit high permeability... <br>[0036] Exemplary embodiments are directed to tuned circuits such as L-C band pass filters (BPFs) using inductive and capacitive elements which may be formed on glass substrate. <br>（……在玻璃基板上形成的电感器，或缠绕在玻璃制成的芯上的电感器可以表现出高磁导率……<br>示例性实施例涉及调谐电路，例如可以使用在玻璃基板上形成的感性和容性元件的LC带通滤波器(BPF)。）	对比文件明确、多次提及“glass substrate”（玻璃基板），例如在背景技术[0004]和详细描述[0036]中。基板在对比文件中作为支撑和形成电感器（如电感器100）的结构基础，其作用与目标专利中作为电感器支撑结构的基板（如基板102）相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>《未公开》	[0036] ... 3D L-C BPFs ... formed on glass substrate. <br>FIG. 1A illustrates an exemplary inductor formed on a glass substrate using TGVs. <br>（……三维LC带通滤波器……形成在玻璃基板上。<br>图1A示出了使用玻璃通孔在玻璃基板上形成的示例性电感器。）	对比文件公开了布置在基板（如玻璃基板108）上的电感器（如图1A的100）。然而，对比文件中的电感器是三维（3D）螺线管电感器，其通过在基板两侧（如第一表面和第二表面）形成导电部分（102, 106）并通过贯穿基板的通孔（TGVs 104）连接而构成，目的是形成三维线圈以提高耦合系数和Q值（见[0036]-[0037]）。而目标专利的“梯度层堆叠电感器”是一种平面螺旋电感器，其导电层/螺旋在垂直于基板的方向上层叠，且厚度沿螺旋路径（特别是在最内匝）呈梯度连续变化（见说明书[0012]-[0013]，[0036]及图2）。两者在结构（3D螺线管 vs. 平面梯度层叠螺旋）、形成方式（通孔连接两侧 vs. 同侧层叠）以及实现目的（提高耦合和Q值 vs. 通过厚度变化减小涡流损耗）上存在根本差异。对比文件既未描述也未暗示这种平面螺旋、梯度层叠且厚度连续变化的电感器结构。因此，该特征未被对比文件公开。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未公开》	无相应描述。	对比文件描述的电感器（如100）是三维螺线管，具有多个线圈（turns），但并未将其描述为由“匝”构成的平面螺旋结构。更未提及“最内匝”这一概念，也未描述该最内匝的特定“第一部分”及其在垂直于基板方向上的特定“厚度”。目标专利中该特征用于限定梯度变化的起始点。对比文件完全没有涉及相关内容。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>《未公开》	无相应描述。	同上，对比文件未描述平面螺旋电感器的“最内匝”，更未划分其“第二部分”并指定其厚度。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>《未公开》	无相应描述。	对比文件未描述电感器不同部分在垂直方向上的厚度存在差异，尤其未描述最内匝不同部分之间厚度的大小关系。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>《未公开》	无相应描述。	对比文件未描述平面螺旋电感器最内匝的“第三部分”及其厚度。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>《未公开》	无相应描述。	对比文件未描述最内匝不同部分厚度之间的比较关系。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>《未公开》	无相应描述。	这是目标专利的核心发明点之一，即螺旋电感器（特别是梯度层堆叠型）的厚度沿其路径（尤其是在最内匝内）呈梯度连续增大，以优化性能（见说明书[0012]-[0013]，[0036]）。对比文件完全没有提及电感器厚度在平面内沿螺旋路径发生梯度变化的概念。其关注的厚度主要是金属线和通孔的厚度，目的是降低电阻（[0037]），而非通过厚度梯度分布来调节电感器内部的电流分布以减少损耗。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>《未公开》	无相应描述。	该特征详细描述了梯度层堆叠电感器的具体堆叠结构：两个导电螺旋的覆盖关系、以及它们在不同匝（最内匝和部分最外匝）中的构成。对比文件中的电感器（如100）由在基板两侧的导电部分（102, 106）通过通孔（104）连接构成，这是一个三维螺线管，而非在基板同侧平面内层叠堆放的多个“导电螺旋”。对比文件没有描述“第一导电螺旋覆盖第二导电螺旋”这种平面堆叠关系，也没有描述不同匝由不同螺旋的部分构成。因此，该特征未被公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>《未公开》	无相应描述。	对比文件未描述平面螺旋电感器中不同导电螺旋的长度及其比较关系。其三维螺线管电感器的上下部分长度可能不同，但这是为了连接通孔而设计的角度和重叠（见[0036]），并非目标专利中定义的平面螺旋的“长度”。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>《未公开》	无相应描述。	该特征涉及在两层导电螺旋之间引入额外的导电层，以构成更复杂的阶梯或梯度厚度结构（参见说明书图1及[0027]）。对比文件完全没有提及在电感器结构中存在这样的“导电层”，更没有描述该导电层与导电螺旋的构成关系。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>《未公开》	无相应描述。	由于对比文件未公开“导电层”这一要素，因此更不可能公开该导电层是否为“非连续螺旋”。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>《未公开》	[0042] Also illustrated are two ports/terminals 316 and 318 which may be input/output pads for L-C BPF 300... （还示出了两个端口/端子316和318，它们可以是LC带通滤波器300的输入/输出焊盘……）	对比文件公开了滤波器电路具有输入/输出端口或端子（如316, 318）。然而，这些端口是连接到整个滤波器电路的，并非如目标专利权利要求所限定的，是“导电层”的一部分。目标专利的特征M将输入/输出引线作为导电层的组成部分（参见说明书[0025]），而对比文件的端口是独立于电感器导电结构的外部连接点。因此，该特征未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>《未公开》	无相应描述。	对比文件未描述在电感器的导电部分之间设置“钝化层”。其通孔（TGVs）直接穿过玻璃基板连接两侧的金属部分，并未提及在金属层之间需要钝化层进行绝缘。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>《未公开》	[0036] ... first portion 102 and second portion 106 may be connected by TGVs 104... （……第一部分102和第二部分106可以通过玻璃通孔104连接……）	对比文件公开了使用通孔（TGVs）连接位于基板两侧的导电部分（102和106）。然而，这些通孔是穿过玻璃基板本身，连接的是基板两个表面上的导体，其作用和位置与目标专利中“穿过钝化层”连接同侧堆叠的两个导电螺旋的通孔（参见说明书[0030]）完全不同。由于对比文件未公开“钝化层”以及“第一/第二导电螺旋”的堆叠结构，因此该通孔连接特征也未被公开。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>《未公开》	无相应描述。	该特征进一步限定了最内匝厚度的变化趋势。如前所述，对比文件完全没有描述平面螺旋电感器最内匝的划分及其厚度的变化，因此“单调递增”这一变化趋势也无从谈起。

### 结论

经逐一比对，除技术特征A（基板）被对比文件US2013207745A1直接公开外，其余技术特征B至P均未被该对比文件直接公开或隐含公开。主要原因为：对比文件涉及的是基于玻璃通孔（TGV）的三维螺线管式电感器及其在滤波器中的应用，其结构、制造方法和解决的技术问题（提高耦合系数和Q值）与目标专利的平面梯度层堆叠螺旋电感器（通过厚度梯度变化减小涡流损耗）存在本质区别。对比文件未披露任何关于平面螺旋电感器厚度沿其路径（特别是最内匝）呈梯度变化的技术内容，也未披露实现该结构的层叠导电螺旋、导电层及相应连接关系。

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