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作为资深专利代理师，我对目标专利的权利要求技术特征与对比文件进行了详细比对。目标专利涉及一种具有梯度厚度变化的螺旋电感器，旨在通过减小最内匝的厚度来降低涡流损耗和电阻。对比文件涉及一种用于无线充电的线圈结构，主要关注通过多个线圈束及其绕向的配置来优化磁场分布，避免磁场抵消。两者技术领域（电感器/线圈）有重叠，但解决的技术问题、技术手段和结构存在根本差异。

**特征比对表格：**

技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板《隐含公开》	对比文件没有直接描述“基板”。但在背景技术和实施例中提及线圈可以布置在无线充电垫（charging pad）上，例如“[0028] ... the above-generated magnetic field is configured on a wireless charging pad having a wide quadrangular planar shape ...”。无线充电垫通常起到支撑和承载线圈的作用，相当于一种基板或基底。	对比文件未明确记载“基板”（substrate）这一术语。然而，本领域技术人员公知，线圈需要布置在某种支撑结构上以实现其功能，例如电路板、充电垫等。对比文件中提到的“wireless charging pad”实质上就是一种用于支撑和配置线圈的基板。因此，本领域技术人员可以从对比文件的内容中合理推断出线圈被布置在一种基板（或类似支撑结构）上，故该特征被隐含公开。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，《未公开》	对比文件全文描述了由多个“线圈束”（coil bundle）构成的线圈结构，例如图1B和[0033]的“first coil bundle 110”、“second coil bundle 120”、“third coil bundle 130”。这些线圈束是独立的、分立的螺旋结构，并非“层堆叠”。未提及“梯度层堆叠电感器”或类似结构。	目标专利的“梯度层堆叠电感器”核心在于在垂直于基板的方向上，通过导电层/螺旋的堆叠形成厚度梯度变化的结构。对比文件公开的是多个独立的、在平面上并排或嵌套的线圈束（coil bundles），每个线圈束本身是一个完整的螺旋导线。这些线圈束之间是并列或嵌套关系，并非上下堆叠的层状结构，也没有任何关于其导体厚度（垂直于支撑面的尺寸）变化或梯度堆叠的教导或启示。两者结构原理完全不同。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度《未公开》	对比文件未描述任何线圈或线圈束的导体在垂直于支撑面方向上的“厚度”（thickness）属性，更没有对不同“匝”（turn）或匝的“部分”的厚度进行界定。	目标专利技术特征C限定了电感器最内匝的“第一部分”具有特定的“第一厚度”，该厚度是垂直于基板方向上的尺寸。对比文件仅关注线圈的平面布局（如匝数、间距、绕向），完全未涉及导体在第三维度（厚度方向）的尺寸及其变化。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。因此，该特征未被公开。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，《未公开》	同上，对比文件未提及导体厚度。	理由同技术特征C。对比文件未公开任何关于线圈匝的某一部分具有特定垂直方向厚度的内容。因此，该特征未被公开。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，《未公开》	对比文件未提及导体厚度，因此更不存在不同厚度之间的比较关系。	由于对比文件未公开技术特征C和D（即第一厚度和第二厚度），自然也无法公开两者之间的大小关系（第二厚度大于第一厚度）。该特征未被公开。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，《未公开》	对比文件未提及导体厚度。	理由同技术特征C。该特征未被公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，《未公开》	对比文件未提及导体厚度。	由于对比文件未公开技术特征C、D、F（即第一、第二、第三厚度），自然也无法公开它们之间的大小关系（第三厚度最大）。该特征未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。《未公开》	对比文件未提及导体厚度，也未提及厚度沿线圈的梯度变化。对比文件讨论的“梯度”或变化是关于平面内线圈束之间的间距（d）与匝数（N）的比例关系，如[0068]的公式“d α N”。	目标专利特征H限定了在垂直于基板的方向上，沿最内匝的厚度呈梯度增大。这是其“梯度层堆叠电感器”的核心结构。对比文件完全没有涉及导体在垂直方向上的尺寸，其提到的“梯度”或比例关系（d α N）完全是平面内参数（间距和匝数）的关系，与目标专利的垂直厚度梯度在技术维度、技术含义和作用上均完全不同。本领域技术人员无法从对比文件中推导出目标专利的厚度梯度结构。因此，该特征未被公开。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。《未公开》	对比文件描述了多个“线圈束”（coil bundle），例如第一、第二、第三线圈束[0033]。这些线圈束是独立的、分立的螺旋导体，通过连接部分（connecting part）电连接[0033]。不存在一个螺旋“覆盖”另一个螺旋的上下堆叠关系。每个线圈束自身是完整的，并非由不同螺旋的部分组合构成一个匝。	目标专利特征I描述了非常具体的层叠螺旋结构：两个导电螺旋上下堆叠（覆盖），并且它们在不同匝的部分以特定方式组合，形成厚度变化的匝。对比文件的“线圈束”是多个独立的螺旋线圈，它们并列或嵌套排布，每个线圈束是完整的导体，不存在上下覆盖堆叠的关系，也不存在将一个匝划分为由不同螺旋的部分构成的情况。两者结构存在本质区别。因此，该特征未被公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。《未公开》	对比文件未描述任何单个“导电螺旋”的“长度”属性。其关注的是每个线圈束的“匝数”（winding count）[0056, 0064等]。	目标专利特征J限定了两个堆叠螺旋的长度关系。对比文件未提及类似“导电螺旋长度”的概念，其公开的“匝数”是线圈绕制的圈数，与目标专利中螺旋导体的物理长度是不同的技术参数。本领域技术人员无法从对比文件中得出该长度关系。因此，该特征未被公开。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件未提及任何位于线圈束之间的“导电层”。其线圈束之间是绝缘的空间或间隙（gap）[0034]。	目标专利特征K引入了位于两个螺旋之间的“导电层”，进一步构成了复杂的多层堆叠结构以实现厚度梯度。对比文件中线圈束之间是空气或绝缘间隙，用于调整磁场分布，并非用于改变导体厚度的导电层。该特征未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。《未公开》	对比文件未提及“导电层”，更未提及该层是否为非连续螺旋。	由于技术特征K（导电层）未被公开，其进一步限定的属性（非连续螺旋）自然也未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。《未公开》	对比文件未提及“导电层”具有引线功能。其线圈束通过“连接部分”（connecting part）相互连接[0033]。	同上，由于技术特征K（导电层）未被公开，其进一步限定的功能属性（包括引线）自然也未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。《未公开》	对比文件未提及任何“钝化层”（passivation layer）。	目标专利特征N涉及半导体制造工艺中常见的绝缘层（钝化层）。对比文件针对的是宏观的无线充电线圈结构，未涉及此类微观的层状绝缘结构。该特征未被公开。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件未提及“钝化层”和“通孔”（via）。线圈束之间通过“连接部分”（connecting part）电连接[0033]，该连接部分可能是导线或其他连接器，并非穿过绝缘层的通孔。	该特征依赖于技术特征N（钝化层）以及特定的层间连接结构（通孔）。对比文件均未公开这些内容。因此，该特征未被公开。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。《未公开》	对比文件未提及导体在垂直方向上的厚度，更未提及该厚度沿最内匝单调递增。	该特征是对最内匝厚度变化趋势的进一步限定。由于对比文件根本未公开任何关于垂直方向厚度的信息（技术特征C、D），因此也无法公开其变化趋势（单调递增）。该特征未被公开。

**总结与结论：**

经过逐一比对，除技术特征A（基板）可被认为被对比文件隐含公开外，**技术特征B至P均未被对比文件US2014145810A1直接公开或隐含公开**。核心原因在于：目标专利的核心发明点在于**螺旋电感器在垂直于基板方向上的厚度梯度变化**，这是通过复杂的多层导电螺旋/导电层堆叠结构实现的，旨在解决涡流损耗问题。而对比文件的核心在于**多个独立线圈束在平面内的布局、绕向和间距配置**，旨在优化磁场分布、避免抵消，其完全未涉及导体在第三维度（厚度）的尺寸及其变化。两者属于不同的技术构思，采用不同的结构手段，解决不同的技术问题。

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