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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板 <br>《直接公开》	[0006]段：`a microelectronic device structure includes a substrate` <br>（微电子器件结构包括基板）<br>[0051]段：`a first substrate 10`， `a second substrate 110` <br>（第一基板10，第二基板110）	对比文件明确且反复公开了微电子器件结构包括基板（例如第一基板10、第二基板110）。该基板在对比文件中作为半导体芯片的载体，用于支撑和形成导电通孔等结构。这与目标专利中基板作为支撑电感器载体的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器 <br>未被公开	无直接对应描述。对比文件全文描述的是用于三维集成的导电通孔（conductive via）及其互连结构。	目标专利的“螺旋电感器”是具有螺旋形状、用于在磁场中存储能量的无源元件，其“梯度层堆叠”指电感器本身沿螺旋路径的厚度呈梯度变化。对比文件公开的是垂直穿过基板用于电信号传输的导电通孔（TSV），其形状为柱状或带有凹槽/凸起的柱状结构，目的是实现芯片间垂直互连并防止焊料扩散。两者在结构（螺旋线圈 vs. 垂直通孔）、功能（存储磁能/滤波 vs. 电连接/互连）和所属技术领域（无源器件/射频集成电路 vs. 三维封装互连）上均存在本质区别。对比文件未公开任何螺旋形状的线圈或电感器，更未公开“梯度层堆叠电感器”。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度 <br>未被公开	无对应描述。对比文件未涉及“螺旋”、“匝”、“最内匝”等概念。	该技术特征完全基于“螺旋电感器”的存在。如对特征B的论述，对比文件未公开螺旋电感器，因此不可能公开其“最内匝的第一部分”及其“第一厚度”。对比文件中导电通孔的厚度或直径变化（如有）是针对整个通孔结构，而非螺旋线圈中某一“匝”的特定部分。
技术特征D：所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度 <br>未被公开	无对应描述。	同特征C，该特征以螺旋电感器及其匝结构为前提。对比文件未公开此前提，故未公开该特征。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度 <br>未被公开	无对应描述。	该特征限定了同一螺旋匝内不同部分厚度的相对关系。对比文件未公开螺旋匝结构，因此未公开这种厚度关系。虽然对比文件的通孔可能在不同位置有不同宽度（如[0054]段提及凹槽宽度与通孔体部宽度不同），但这是通孔整体形状的变化，服务于容纳焊料和机械连接的目的，与电感器为优化性能（减少涡流损耗）而设计的匝内厚度梯度变化在技术构思和作用上均不相同。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度 <br>未被公开	无对应描述。	同特征C、D，该特征依赖螺旋电感器的匝结构。对比文件未公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度 <br>未被公开	无对应描述。	该特征限定了螺旋匝内多个部分厚度的递增关系。对比文件未公开螺旋匝，也未公开这种为优化电感器性能而设计的特定厚度递增关系。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大 <br>未被公开	无对应描述。	这是“梯度层堆叠电感器”的核心定义特征，即厚度沿螺旋路径（特别是在最内匝内）连续、梯度地增大。对比文件未公开任何螺旋形状的线圈，其通孔结构的任何厚度变化（如凹槽深度、端部凸起直径）是离散的、局部的，服务于机械连接和防止焊料溢出的目的，并非沿一个连续路径（如螺旋）的梯度变化以实现电感性能优化。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋... <br>未被公开	无对应描述。	该特征进一步限定了螺旋电感器由多个覆盖的导电螺旋构成的具体层叠结构。对比文件公开了导电通孔（如40， 140）及其可能包含的凹槽（42， 142）或可焊性层（90），但这些是单个垂直互连结构的组成部分，并非平面螺旋形状的线圈，也不存在一个螺旋“覆盖”另一个螺旋的层叠关系。两者的结构形态和构造目的完全不同。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。 <br>未被公开	无对应描述。	该特征比较两个导电螺旋的长度。对比文件未公开任何作为螺旋线圈的导电螺旋，因此无法比较其长度。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层... <br>未被公开	无对应描述。	该特征限定了螺旋电感器内部额外的导电层结构。对比文件未公开螺旋电感器，也未公开在螺旋线圈之间设置此类导电层的结构。对比文件中的“导电层”可能指形成通孔的导电层（如[0058]段），但这是形成垂直互连结构的一部分，而非平面螺旋电感器内部的层间结构。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。 <br>未被公开	无对应描述。	该特征进一步限定导电层的形状为非连续螺旋。对比文件未公开任何螺旋形状的导电层。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。 <br>未被公开	无对应描述。	该特征将导电层与电感器的输入/输出引线关联。对比文件未公开作为电感器组成部分的此类导电层和引线结构。对比文件中的“接触垫（contact pad）”（如22， 122）是用于连接通孔和外部电路的焊盘，其功能和结构位置与电感器的输入/输出引线不同。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。 <br>未被公开	对比文件提到了钝化层（passivation layer），例如[0051]段的`passivation layers 12 and 112`。	虽然对比文件公开了钝化层的存在（用于器件保护和隔离），但其设置位置和目的与目标专利不同。目标专利的钝化层位于两个导电螺旋之间，作为螺旋电感器内部层间的绝缘层。对比文件的钝化层（12， 112）位于基板表面，覆盖除接触垫外的区域，用于保护芯片表面器件，并非设置在两个螺旋线圈之间。两者作用（层间绝缘 vs. 表面保护）和结构位置均不相同，因此对比文件未公开该特定技术特征。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。 <br>未被公开	对比文件公开了通孔（via），但指的是穿透基板的硅通孔（TSV），例如[0003]段的`through-silicon via (TSV)`。	目标专利的“通孔”是连接同一电感器内不同层（导电螺旋）的垂直导电路径。对比文件的“通孔（TSV）”是穿透整个基板、连接不同芯片的垂直互连结构。虽然都称为“通孔”，但两者在结构尺度、形成位置、连接对象和技术目的上均存在根本差异。对比文件未公开用于连接同一平面线圈内不同导电层的通孔结构。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。 <br>未被公开	无对应描述。	该特征再次强调了螺旋最内匝厚度的单调递增特性。如前述，对比文件未公开螺旋电感器及其匝结构，因此未公开此特征。

### **结论**

经过逐项比对分析，对比文件US2010096753A1仅直接公开了技术特征A（基板），而未公开或隐含公开目标专利权利要求中的其他技术特征（B至P）。目标专利要求保护的是一种具有特定梯度厚度变化的**螺旋电感器**结构，旨在降低涡流损耗；而对比文件涉及的是三维集成电路中用于垂直互连的**导电通孔（TSV）** 结构，旨在提高连接可靠性和防止焊料扩散。两者属于完全不同的技术领域，解决不同的技术问题，采用不同的技术手段。

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