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技术特征描述及公开性判断	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：<br>包括：基板<br>《隐含公开》	[0007] For only nitride-based group III-V semiconductor crystals, however, it has hitherto been impossible to make a nitride-based group III-V semiconductor substrate with practically sufficient size and properties. For this reason, most of nitride-based light-emitting diodes hitherto practically used have been made by hetero-epitaxial growth of nitride-based group III-V semiconductor crystals over a sapphire substrate with a lattice constant close thereto using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE).<br>[0061] A GaN-based self-standing substrate in a preferred embodiment according to the invention is a self-standing semiconductor monocrystalline substrate obtained by growing a GaN-based semiconductor monocrystal on a hetero-substrate and then separating it therefrom.	对比文件多次提及“衬底”（substrate），例如蓝宝石衬底（sapphire substrate）和GaN自支撑衬底（GaN self-standing substrate），其为其他结构（如外延层）提供支撑的基础部件。在目标专利中，基板（102, 202）是支撑螺旋电感器（104, 204）的基础结构。虽然两者应用领域（半导体器件 vs. 电感器）和具体材料不同，但“基板”作为支撑部件的通用概念和结构角色是相同的。本领域技术人员能从对比文件中毫无疑义地得出“基板”这一技术特征。然而，考虑到两者具体技术领域和材料存在差异，从最严格意义上判断，其公开方式更接近隐含公开。
技术特征B：<br>以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件全文涉及氮化物半导体衬底及其制造方法、以及在其上制造发光器件（LED），完全没有提及任何“电感器”（inductor），更未涉及“螺旋电感器”或“梯度层堆叠电感器”。该技术特征未被公开。
技术特征C：<br>其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件未公开任何“螺旋电感器”，因此也不可能公开其“最内匝的第一部分”及其在垂直方向上的“第一厚度”。该技术特征未被公开。
技术特征D：<br>，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>《未公开》	无相关内容。	理由同上。对比文件未公开螺旋电感器及其最内匝的第二部分和厚度。该技术特征未被公开。
技术特征E：<br>其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>《未公开》	无相关内容。	理由同上。对比文件未公开螺旋电感器匝内不同部分的厚度关系。该技术特征未被公开。
技术特征F：<br>所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>《未公开》	无相关内容。	理由同上。对比文件未公开螺旋电感器及其最内匝的第三部分和厚度。该技术特征未被公开。
技术特征G：<br>其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>《未公开》	无相关内容。	理由同上。对比文件未公开螺旋电感器匝内不同部分的厚度比较关系。该技术特征未被公开。
技术特征H：<br>并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件未公开任何“螺旋电感器”，因此不可能公开其厚度的梯度变化。虽然对比文件提到了衬底厚度在平面内的分布（如中间薄、边缘厚，见[0094]，[0113]），但这是针对整个半导体衬底的整体厚度变化，而非针对一个螺旋电感器在其最内匝的局部厚度梯度变化，两者技术方案、结构和目的均完全不同。该技术特征未被公开。
技术特征I：<br>其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件涉及半导体晶体生长（如GaN层）和金属薄膜（如Ti）沉积，以形成衬底或外延层，完全未提及用于构成电感器的“导电螺旋”及其堆叠覆盖关系、端部构成等具体结构。该技术特征未被公开。
技术特征J：<br>其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件未公开任何“导电螺旋”，因此不可能公开其长度关系。该技术特征未被公开。
技术特征K：<br>其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件未公开螺旋电感器及其内部的“导电层”结构。虽然对比文件提及“层”（layer），如GaN层、Ti层，但这些是半导体或金属薄膜，用于形成衬底或辅助分离，其作用与目标专利中位于导电螺旋之间、用于构成梯度厚度电感器一部分的“导电层”完全不同。该技术特征未被公开。
技术特征L：<br>其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件未公开任何“导电层”具有“非连续螺旋”的形状。该技术特征未被公开。
技术特征M：<br>其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件未公开任何具有输入/输出引线的“导电层”。该技术特征未被公开。
技术特征N：<br>其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件未公开任何“钝化层”位于导电螺旋之间。虽然对比文件提到了掩模（如SiO2）用于晶体生长，但其作用与电感器中用于绝缘的钝化层不同。该技术特征未被公开。
技术特征O：<br>其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件未公开“导电螺旋”、“钝化层”以及连接它们的“通孔”。该技术特征未被公开。
技术特征P：<br>其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>《未公开》	无相关内容。	对比文件未公开“螺旋电感器”及其“最内匝”的厚度变化。该技术特征未被公开。