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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
A：包括：基板 <br>《隐含公开》	未明确引用“基板”。但文件涉及“on-chip stacked inductor”（片上堆叠电感器）和“RF CMOS/BiCMOS integrated circuits”（RF CMOS/BiCMOS集成电路），例如在[0003]段。	本领域技术人员公知，在集成电路中制造的电感器（如对比文件所述的堆叠电感器）必然制作在半导体基板（如硅基板）之上。对比文件通篇描述的是集成在芯片上的电感器，其存在必然隐含了“基板”这一支撑结构。因此，技术特征A被对比文件隐含公开。
B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器， <br>《未公开》	[0017]段：“This stacked inductor with different metal thickness and metal width consists of two or more metal layers, this structure includes: top and bottom metal trace, which is aligned with each other. The thickness and width of top and bottom metal trace are different.” <br>（这种具有不同金属厚度和宽度的堆叠电感器由两层或更多层金属层组成，该结构包括：彼此对齐的顶层和底层金属走线。顶层和底层金属走线的厚度和宽度不同。）<br>[0018]段描述了电感器从顶层金属的一个端口开始，沿顺时针方向螺旋，底层保持相同样式。	对比文件明确公开了布置在芯片上（即隐含在基板上）的堆叠螺旋电感器（stacked inductor），其具有顶层和底层金属走线，并且是螺旋（spires）形状。然而，目标专利明确限定该螺旋电感器是“梯度层堆叠电感器”。根据目标专利说明书[0036]段，梯度层堆叠电感器的特征在于其厚度从最内部分到最外部分“单调递增”，并且是“梯度”变化，即厚度沿螺旋连续变化（例如，成比例地变化成斜坡的厚度）。对比文件仅公开了顶层和底层金属具有不同的固定厚度（如[0018]段所述“The top metal is thicker than bottom metal”），但并未描述或暗示电感器的整体厚度（或任何一层金属的厚度）沿着螺旋路径（例如从最内匝到最外匝）发生连续的、梯度式的变化。因此，对比文件未公开“梯度层堆叠电感器”这一特定类型。
C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度 <br>《隐含公开》	[0017]段：“The thickness and width of top and bottom metal trace are different.” <br>[0018]段：“The top metal is thicker than bottom metal.”	对比文件公开了堆叠电感器具有不同厚度的金属层（如顶层厚于底层）。目标专利的“最内匝”对应于螺旋电感器最靠近中心的一圈。在对比文件的堆叠结构中，最内匝必然包含顶层和/或底层金属走线的一部分。因此，最内匝的某个“第一部分”将具有由其所包含的金属层决定的、在垂直于基板方向上的一个厚度（例如，如果该部分仅包含较薄的底层金属，则厚度较小）。本领域技术人员基于对比文件公开的堆叠结构和不同层厚的信息，能够毫无疑义地理解，最内匝的任意一个特定部分都具有一个确定的垂直厚度。因此，技术特征C被对比文件隐含公开。
D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度， <br>《隐含公开》	同上[0017], [0018]段。	基于与特征C相同的推理，对比文件公开的堆叠电感器，其最内匝的不同部分可能由不同组合的金属层构成（例如，一部分仅包含底层金属，另一部分包含顶层和底层金属的堆叠）。因此，最内匝必然存在一个“第二部分”，该部分具有一个在垂直于基板方向上的厚度（第二厚度）。本领域技术人员能够合理推断出这一特征。因此，技术特征D被对比文件隐含公开。
E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度， <br>《未公开》	[0018]段：“The top metal is thicker than bottom metal.”	对比文件公开了顶层金属的厚度整体上大于底层金属的厚度。然而，目标专利的技术特征E限定了最内匝上两个特定部分（第二部分和第一部分）的厚度大小关系：“第二厚度大于第一厚度”。这要求最内匝上不同位置的垂直厚度存在差异且第二部分更厚。对比文件仅公开了不同金属层之间的整体厚度差异，但并未描述或暗示这种厚度差异具体体现在最内匝的两个不同部分上，也未公开最内匝上存在一个部分（第二部分）的厚度大于另一个部分（第一部分）的厚度。目标专利中这种厚度差异是沿着最内匝梯度变化的结果。而对比文件未公开梯度变化的结构。因此，技术特征E未被公开。
F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度， <br>《未公开》	未找到相关描述。	对比文件未提及最内匝存在一个具有特定“第三厚度”的“第三部分”。目标专利的“第三部分”是其梯度厚度结构中的一个特定位置点。对比文件未公开此特征。
G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度， <br>《未公开》	未找到相关描述。	由于特征F（第三部分及第三厚度）未被公开，因此该厚度比较关系自然也未被公开。
H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。 <br>《未公开》	未找到相关描述。	这是目标专利梯度层堆叠电感器的核心特征。对比文件完全没有提及电感器的厚度沿着螺旋（包括在最内匝内）以梯度（连续、单调递增）的方式变化。对比文件仅描述了不同金属层具有不同的固定厚度，并未描述同一金属层或其组合厚度在水平方向（沿螺旋）上的连续变化。因此，技术特征H未被公开。
I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。 <br>《部分隐含公开，但整体未公开》	[0017]段：“...top and bottom metal trace, which is aligned with each other.” <br>[0018]段：“The inductor is started from one port on top metal and spires in clockwise direction, the bottom layer keeps the same style and these two layers are connected through via holes at the end of inner port...”	对比文件公开了电感器包括顶层和底层金属走线（可对应第一和第二导电螺旋），且它们彼此对齐（aligned），这隐含了在垂直方向上，一层覆盖另一层（例如，顶层覆盖底层或反之，取决于制造顺序）。然而，目标专利特征I对最内匝的第一部分、第三部分以及最外匝部分所包含的具体螺旋端部和部分进行了非常具体和结构化的限定，这些限定与目标专利特定的阶梯或梯度堆叠设计（如说明书[0027]、[0031]段所述）紧密相关。对比文件仅描述了顶层和底层走线具有相同的螺旋样式并在内端口末端通过通孔连接，并未详细区分和定义最内匝上不同部分（如第一部分、第三部分）具体由哪个螺旋的哪个端部构成，也未明确描述最外匝部分的具体层构成。因此，对比文件未公开特征I中关于各部分具体构成的限定。特征I作为一个整体技术方案未被公开。
J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。 <br>《未公开》	[0018]段：“...the width of bottom metal trace is larger than that of top trace...” （底层金属走线的宽度大于顶层走线的宽度）	对比文件公开了底层金属走线的“宽度”（width）大于顶层走线的宽度。目标专利的特征J限定了“第一长度”大于“第二长度”。在电感器语境下，“长度”通常指螺旋走线延伸的总长度或某一段的长度，而“宽度”指走线的横向尺寸。两者是不同的几何参数。对比文件未提及任何关于螺旋“长度”大小关系的信息。因此，技术特征J未被公开。
K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。 <br>《未公开》	未找到相关描述。	对比文件仅描述了顶层和底层金属走线（即两个导电螺旋）。目标专利特征K引入了位于第一和第二导电螺旋之间的一个额外的“导电层”。该导电层是独立于两个主要螺旋的结构，且第二部分由该导电层和第二螺旋的一部分构成。对比文件完全没有提及这样的中间导电层。因此，技术特征K未被公开。
L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。 <br>《未公开》	未找到相关描述。	由于特征K中的“导电层”本身未被对比文件公开，因此该导电层具有“非连续螺旋”形状的特征自然也未被公开。
M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。 <br>《未公开》	未找到相关描述。	同上，由于“导电层”未被公开，其包含输入/输出引线的特征也未被公开。
N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。 <br>《隐含公开》	[0017]段：“The top and bottom metal trace are connected at the end of metal trace with via holes.” <br>[0018]段：“...these two layers are connected through via holes...”	在集成电路制造中，连接不同金属层（如顶层和底层）的通孔（via holes）通常需要穿过位于这些金属层之间的介电层（绝缘层）。该介电层通常由钝化材料（如二氧化硅、氮化硅）或其他绝缘材料构成，其作用就是电气隔离并允许通过通孔实现选择性连接。本领域技术人员根据对比文件公开的“通过通孔连接不同金属层”这一特征，能够毫无疑义地推断出，在这两个金属层之间必然存在一个绝缘层（即钝化层），通孔穿过该层以实现电连接。因此，技术特征N被对比文件隐含公开。
O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。 <br>《直接公开》	[0017]段：“The top and bottom metal trace are connected at the end of metal trace with via holes.” <br>[0018]段：“...these two layers are connected through via holes at the end of inner port...”	对比文件明确且直接地公开了顶层金属走线（可对应于第一导电螺旋）和底层金属走线（可对应于第二导电螺旋）在走线末端通过通孔（via holes）进行电连接。根据集成电路制造的常识，这些通孔必然延伸穿过位于两层金属之间的绝缘层（即钝化层）的一部分。因此，技术特征O被对比文件直接公开。
P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。 <br>《未公开》	未找到相关描述。	这是目标专利梯度层堆叠概念的体现。对比文件未描述最内匝的厚度沿着其路径发生变化，更未描述这种变化是“单调递增”的。因此，技术特征P未被公开。