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技术特征描述及公开性判断	对比文件原文引用	公开性论述
A：包括：基板《直接公开》	[0045] “The substrate is particularly a high conductivity or low resistivity substrate, e.g. of silicon.” <br>（基板特别是高电导率或低电阻率基板，例如硅。）	对比文件明确公开了其器件形成在基板（substrate）上，例如硅基板。基板是电子器件的常见支撑结构。该特征被直接公开。
B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器《未公开》	[0045] “The balun is formed by two inductive loops, i.e. a first coil 5 and second coil 6 (a primary coil and a secondary coil respectively) in (constituting) two metal layers.” <br>（巴伦由两个感应环路形成，即第一线圈5和第二线圈6（分别为初级线圈和次级线圈）位于（构成）两个金属层中。）	对比文件公开了布置在基板上的多层线圈结构（巴伦变压器）。然而，目标专利权利要求明确限定该器件为“螺旋电感器”且是“梯度层堆叠电感器”。对比文件的“balun transformer”是用于平衡-不平衡信号转换的变压器，其功能与目标专利中作为独立电感元件的“螺旋电感器”不同。虽然结构上都包含螺旋状导体，但本领域技术人员基于对比文件公开的内容，无法毫无疑义地得出或合理推断出其所描述的是作为电感元件的“梯度层堆叠电感器”。因此，该技术特征未被公开。
C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度《未公开》	无对应内容。	对比文件未描述线圈或导体在垂直于基板方向上的厚度，更没有将厚度与线圈的“最内匝”相关联并区分其“第一部分”。该技术特征未被公开。
D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，《未公开》	无对应内容。	同上，对比文件未描述线圈厚度，更未区分最内匝的不同部分具有不同厚度。该技术特征未被公开。
E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，《未公开》	无对应内容。	对比文件未描述线圈厚度，因此不存在不同厚度之间的比较关系。该技术特征未被公开。
F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，《未公开》	无对应内容。	对比文件未描述线圈厚度，更未提及最内匝的第三部分及其厚度。该技术特征未被公开。
G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，《未公开》	无对应内容。	对比文件未描述线圈厚度，因此不存在多个厚度之间的比较关系。该技术特征未被公开。
H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。《未公开》	无对应内容。	对比文件完全未涉及线圈导体厚度沿其延伸方向（例如从最内匝的一点到另一点）连续变化（梯度增大）的技术内容。该技术特征未被公开。
I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。《未公开》	[0045] “The balun is formed by two inductive loops, i.e. a first coil 5 and second coil 6 ... in (constituting) two metal layers.”；[0047] “Generally the upper layer is thicker.” <br>（巴伦由两个感应环路形成，即第一线圈5和第二线圈6...位于（构成）两个金属层中。”；“通常上层更厚。”）	对比文件公开了包含两个线圈（第一线圈5和第二线圈6）的多层结构，且一个线圈位于另一线圈上方（即覆盖）。然而，该描述是针对整个巴伦变压器的两个独立线圈，而非目标专利权利要求中限定的、构成单个“螺旋电感器”的“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”。目标专利的特征I详细限定了不同匝（最内匝第一部分、第三部分，最外匝部分）与两个导电螺旋特定部分之间的精确覆盖和包含关系，这种特定结构关系在对比文件中完全没有记载。对比文件提及“通常上层更厚”是泛泛而谈，并非针对特定匝的特定部分，也未建立如特征I所述的具体结构对应关系。因此，该技术特征未被公开。
J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。《未公开》	无对应内容。	对比文件未描述或暗示两个线圈中哪一个更长，或其特定部分的长度关系。该技术特征未被公开。
K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件提到了金属层和介电层，但未提及位于两个螺旋状线圈之间的、作为螺旋电感器一部分的“导电层”。其“金属层”用于构成线圈本身，而非插入其间的额外导电层。该技术特征未被公开。	对比文件公开了多层结构，包括金属层和介电层（如[0045]所述）。然而，目标专利特征K限定了在两层导电螺旋之间还有一个“导电层”，并且该导电层与最内匝第二部分有特定的结构关系。对比文件没有公开这样的中间导电层，其介电层（如SiO2）是绝缘的，而非导电的。因此，该技术特征未被公开。
L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。《未公开》	无对应内容。	对比文件未公开任何“导电层”，更不用说该导电层具有“非连续螺旋”的形状。该技术特征未被公开。
M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。《未公开》	对比文件描述了线圈的终端（terminals），例如平衡终端3b,4b和不平衡终端1u,2u（参见[0046]），但这些是线圈本身的端点，并非独立于线圈之外的“导电层”的一部分。	目标专利特征M限定的“输入引线、输出引线”是所述“导电层”的组成部分。对比文件虽公开了线圈的终端，但未公开具备此特征的“导电层”。因此，该技术特征未被公开。
N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。《未公开》	[0045] “between the metal layers comprising the inductive loops, i.e. the first and second coils 5,6 respectively, a first dielectric layer, e.g. of silicon oxide ... is provided” <br>（在包含感应环路的金属层之间，即第一和第二线圈5、6之间，设有第一介电层，例如氧化硅...）	对比文件公开了位于两个线圈（金属层）之间的介电层（dielectric layer），例如氧化硅。在半导体制造领域，用于绝缘和保护的介电层通常可被称为“钝化层”。虽然材料（SiO2）和位置（层间）相符，但其在对比文件中被称为“介电层”，主要起绝缘作用。考虑到本领域术语的通用性，可以认为对比文件隐含公开了位于两层导电结构之间的绝缘层，其作用与目标专利中的“钝化层”（起绝缘和保护作用）实质相同。因此，该技术特征被隐含公开。
O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。《未公开》	[0054] “The first portion 5A of the first coil is connected to the second portion 5B of the first coil which is disposed in the lower metal layer 27 through via connections 25, which also are used as vias connecting the first portion 6A ... with the second portion 6B ... of the second coil.” <br>（第一线圈的第一部分5A通过通孔连接25连接到位于下层金属层27中的第一线圈的第二部分5B，该通孔25也用于连接第二线圈的第一部分6A...与第二部分6B...。）	对比文件明确公开了使用通孔（via connections）来连接不同金属层中的线圈部分（参见[0054]）。这公开了通过穿过层间绝缘介质（即隐含公开的钝化层）的通孔来实现电连接的技术手段。虽然对比文件中连接的是同一线圈的不同部分（例如5A到5B），而目标专利是连接第一和第二导电螺旋，但“通过通孔电连接不同层上的导电结构”这一基本技术特征已被公开。本领域技术人员能够理解，通孔可用于连接任何需要电连通的不同层导体。因此，该技术特征被隐含公开。
P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。《未公开》	无对应内容。	对比文件完全未描述线圈导体厚度沿其路径（如最内匝）的变化，更未提及“单调递增”。该技术特征未被公开。