**对比文件名称**：US4816784A_Description_20260219_0445
**目标专利名称**：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
**模型名称**：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>《直接公开》 | “The transformer is formed using so-called air bridge technology on a suitable substrate, which may comprise glass, ceramic, or other insulating material.”（说明书第[0042]段）<br>“...the transformer windings 14 and 16 themselves occupying a square area with a side length of about 300 μm. The square connections 22 and 30 in FIG. 9 represent connection pad terminations on such a substrate, which is referenced 48 in FIG. 10.”（说明书第[0043]段） | 对比文件明确公开了其平面变压器形成在“基板（substrate）48”上，并举例说明了基板的材料。该基板用于承载和支持变压器的导体（绕组），与目标专利中用于支撑螺旋电感器的“基板”作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“包括：基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：以及<br>布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器<br>《未被公开》 | 对比文件全文（尤其是说明书第[0001]至[0044]段及附图1-10）描述了“planar transformer（平面变压器）”，其绕组（如14，16）是螺旋形状（spiral）并形成在基板上。例如：“a planar transformer, especially in monolithic form... comprising two interleaved spiral inductors.”（说明书第[0001]段）<br>然而，对比文件强调其绕组“being arranged in substantially a single plane（被布置在基本上单个平面内）”（说明书第[0006]段）。其“air bridge”结构（说明书第[0042]-[0044]段）是为了实现导体交叉（cross-over）和减小对基板的电容，并非为了形成目标专利所定义的、厚度从内匝到外匝梯度增大的“梯度层堆叠电感器”。 | **直接公开判断**：目标专利的“梯度层堆叠电感器”核心在于电感器在垂直于基板方向上的厚度从最内匝到最外匝（或最内匝自身）呈梯度（连续或阶梯式）增大，旨在减少最内匝的导电体积以降低涡流损耗。对比文件公开的是平面螺旋绕组，所有导体（尽管可能通过空气桥技术在不同高度）共同构成一个平面内的螺旋图案，其设计目的是通过交叉实现绕组对称和中心抽头，而非改变绕组垂直厚度以优化电阻。两者结构和工作原理不同，不能毫无疑义地得出相同的技术方案。<br>**隐含公开判断**：对比文件未提及任何关于改变绕组垂直厚度以形成梯度或阶梯层堆叠的内容，也未涉及通过改变厚度来减少涡流损耗的目的。本领域技术人员无法从对比文件公开的“平面布置”、“交叉结构”或“空气桥”中，合理推断出“梯度层堆叠电感器”这一特定技术方案。因此，该技术特征未被隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未被公开》 | 对比文件描述了导体（如50）具有厚度，例如“the conductors 50 having a thickness of about 1 to 2 μm”（说明书第[0044]段）。但未明确指出“最内匝的第一部分”及其在垂直方向上的特定“第一厚度”。 | **直接公开判断**：对比文件未明确划分螺旋电感器的“最内匝的第一部分”，也未指明该部分具有一个特定的“第一厚度”。目标专利中该特征是为后续定义厚度梯度变化做铺垫。对比文件没有相应的描述。<br>**隐含公开判断**：虽然导体本身有厚度，但对比文件未教导将螺旋绕组划分为“最内匝的第一部分”并赋予其特定的厚度参数。本领域技术人员无法从对比文件中合理推断出该具体限定。因此，该技术特征未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度<br>《未被公开》 | 无相应描述。 | **直接/隐含公开判断**：对比文件完全没有提及“最内匝的第二部分”或其在垂直方向上的“第二厚度”。该特征无法从对比文件中得出或推断。 |
| **技术特征E**：其中所述第二厚度大于所述第一厚度<br>《未被公开》 | 无相应描述。 | **直接/隐含公开判断**：对比文件完全没有提及最内匝不同部分的厚度大小关系。该特征无法从对比文件中得出或推断。 |
| **技术特征F**：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度<br>《未被公开》 | 无相应描述。 | **直接/隐含公开判断**：对比文件完全没有提及“最内匝的第三部分”或“第三厚度”。该特征无法从对比文件中得出或推断。 |
| **技术特征G**：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度<br>《未被公开》 | 无相应描述。 | **直接/隐含公开判断**：对比文件完全没有提及最内匝三个部分的厚度大小关系。该特征无法从对比文件中得出或推断。 |
| **技术特征H**：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大<br>《未被公开》 | 无相应描述。 | **直接/隐含公开判断**：这是目标专利“梯度层堆叠”的核心特征，即厚度在螺旋（特别是最内匝）上沿特定路径梯度增大。对比文件中的变压器是平面结构，其导体厚度（如1-2μm）是出于制造工艺和机械支撑考虑，并未描述或暗示在螺旋路径上存在有目的的、连续的厚度梯度变化。两者技术手段不同。<br>**隐含公开判断**：对比文件的内容与“厚度梯度增大”这一技术方案无关。本领域技术人员无法从对比文件的平面交叉绕组中推理出该特征。 |
| **技术特征I**：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分<br>《未被公开》 | 对比文件公开了变压器包括两个绕组（14，16），每个绕组是螺旋形。例如：“comprising two interleaved spiral inductors”（说明书第[0001]段）。但这两个绕组是“interleaved（交织）”并“crossing one another（相互交叉）”（说明书第[0006]段），以实现在单个平面内的对称。它们并非一个“覆盖”另一个的层堆叠关系。 | **直接公开判断**：目标专利的特征I描述了一种具体的多层堆叠结构，其中一个螺旋覆盖另一个，且不同匝的部分由不同层（螺旋）构成。对比文件公开的是两个螺旋在平面上交织、交叉，属于共面或准共面布局，并非上下覆盖的层叠结构。技术方案不同。<br>**隐含公开判断**：对比文件的“交织（interleaved）”和“交叉（crossing）”是实现电学耦合和几何对称的手段，而目标专利的“覆盖”是实现垂直方向厚度变化的手段。两者的目的和结构形态不同。本领域技术人员无法从对比文件的交织螺旋中合理推断出目标专利中明确限定的上下覆盖及特定部分组成的层堆叠结构。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度<br>《未被公开》 | 无相应描述。对比文件中的两个绕组通常被描述为“substantially identical（基本相同）”（说明书第[0012]段）或具有特定整数/半整数匝数关系，未比较两个螺旋导体的“长度”。 | **直接/隐含公开判断**：对比文件未提及比较两个导电螺旋的长度。该特征无法从对比文件中得出或推断。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋<br>《未被公开》 | 无相应描述。对比文件未提及在绕组14和16之间存在额外的“导电层”。 | **直接/隐含公开判断**：对比文件完全没有公开“在第二与第一导电螺旋之间的导电层”这一元件，更未描述该导电层与最内匝第二部分的关系。该特征无法从对比文件中得出或推断。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋<br>《未被公开》 | 无相应描述。 | **直接/隐含公开判断**：由于对比文件未公开“导电层”，自然也无从公开该导电层是否为“非连续螺旋”。该特征无法从对比文件中得出或推断。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合<br>《未被公开》 | 对比文件公开了绕组的连接点（如22, 30, CT, CP），但这些是绕组自身的端部或抽头，并非一个独立的“导电层”的一部分。 | **直接/隐含公开判断**：该特征的前提是存在“导电层”。对比文件未公开该前提，因此该附加特征无法被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层<br>《未被公开》 | 无相应描述。对比文件在描述制造工艺时提到了“photoresist（光刻胶）”，但这是工艺中的临时层，并非最终器件中位于螺旋之间的永久性“钝化层”。 | **直接/隐含公开判断**：对比文件未提及在变压器两个绕组之间设置钝化层。该特征无法从对比文件中得出或推断。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋<br>《未被公开》 | 无相应描述。对比文件中的交叉（cross-over）是通过不同高度的导体（50和54）实现电气隔离的交叉，而非通过钝化层中的通孔实现两个螺旋之间的电连接。 | **直接/隐含公开判断**：该特征涉及通过钝化层中的通孔连接两个螺旋。对比文件既未公开“钝化层”，也未公开通过通孔连接两个绕组的结构（其绕组是交织但绝缘的）。该特征无法从对比文件中得出或推断。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增<br>《未被公开》 | 无相应描述。 | **直接/隐含公开判断**：这是厚度梯度变化特征的另一种表述。如对特征H的判断，对比文件未公开任何关于最内匝厚度单调递增的内容。<br>**隐含公开判断**：无法从对比文件中推断出该特征。 |
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