**对比文件名称**:US2014240072A1_Description_20260219_0636
**目标专利名称**:190具有变化厚度的电感器CN105493208B
**本次调用的模型名称**:DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A**:包括:基板《直接公开》 | “包括低损耗衬底(例如介电衬底或半导体衬底)”(第0005段)<br>“晶圆200包括低损耗(例如,介电、宽带隙半导体等)材料作为衬底201,其可由玻璃材料制成。低损耗材料可包括介电材料或高绝缘半导体材料。低损耗材料的示例包括玻璃、石英、蓝宝石、绝缘体上硅衬底(SOI)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碳化硅(SiC)、塑料、Rogers层压板、氮化硅、氧氮化硅、陶瓷、聚合物和环氧树脂。”(第0037段) | 对比文件明确公开了装置包括低损耗衬底(substrate),该衬底可以是介电材料(如玻璃),其作用是为上方结构提供支撑基体,这与目标专利中“基板”的作用(支撑螺旋电感器)相同。因此,本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“包括基板”这一技术特征。 |
| **B**:以及布置在所述基板上的螺旋电感器,所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器《未公开》 | “形成电感器402...电感器402...可对应于图1的下部电感器101”(第0042段)<br>“形成电感器802...电感器802...可对应于图1的上部电感器102”(第0046段)<br>“在另一实施例中,可形成方形、中空、圆形或八角形螺旋电感器阵列。”(第0055段) | 对比文件公开了在衬底上形成电感器(如402, 802),这些电感器可以是螺旋电感器。然而,对比文件描述的电感器(如下部电感器101/上部电感器102)是单独的、具有基本均匀厚度的平面或螺旋线圈结构,用于形成垂直耦合变压器。目标专利的“梯度层堆叠电感器”特指一种单一螺旋电感器,其最内匝的厚度沿匝的方向连续变化(梯度增大),这是其减少涡流损耗的核心设计。对比文件完全没有描述或暗示任何单一电感器其匝的厚度是梯度变化的,也未描述“梯度层堆叠”这一结构特征。因此,该技术特征未被公开。 |
| **C**:其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度《未公开》 | 无相应内容。 | 目标专利中,最内匝的第一部分是梯度层堆叠电感器的一个特定区域(例如,图2中的点214区域),具有特定的第一厚度。对比文件虽然描述了电感器(如402)具有厚度,但并未将任一电感器(无论是平面还是螺旋)的“最内匝”划分为具有不同厚度的部分,更没有指出“最内匝的第一部分”及其对应的“第一厚度”。因此,该技术特征未被公开。 |
| **D**:所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度《未公开》 | 无相应内容。 | 同上。对比文件未描述螺旋电感器最内匝具有不同厚度的第二部分。因此,该技术特征未被公开。 |
| **E**:其中所述第二厚度大于所述第一厚度《未公开》 | 无相应内容。 | 由于对比文件未公开最内匝具有不同厚度的第一部分和第二部分,自然也就没有公开这两个厚度之间的大小关系。因此,该技术特征未被公开。 |
| **F**:所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度《未公开》 | 无相应内容。 | 目标专利中,最内匝的第三部分(例如,图2中点212区域)是厚度更大的部分。对比文件未描述螺旋电感器最内匝具有第三部分及其对应的第三厚度。因此,该技术特征未被公开。 |
| **G**:其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度《未公开》 | 无相应内容。 | 由于对比文件未公开第一、第二、第三厚度,因此它们之间的大小关系也未被公开。因此,该技术特征未被公开。 |
| **H**:并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大《未公开》 | 无相应内容。 | 这是目标专利梯度层堆叠电感器的核心特征,即单一螺旋电感器最内匝的厚度沿其延伸方向(从第一部分到第三部分)连续地、梯度式地增大。对比文件描述的多个电感器(如下部101和上部102)是彼此分离、垂直堆叠的,每个电感器自身的厚度是均匀的,它们之间厚度的差异是不同线圈之间的差异,而非单一线圈匝内厚度的连续变化。对比文件完全没有提及或暗示这种沿单一螺旋线圈匝的梯度厚度变化。因此,该技术特征未被公开。 |
| **I**:其特征在于:所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋,其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋,所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋,所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分,并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征限定了实现梯度厚度的具体层堆叠结构,涉及两个导电螺旋在螺旋电感器不同区域(最内匝的第一部分、第三部分,最外匝)的覆盖关系和组成关系。对比文件虽然描述了多个导电层(如M1, M3, M4, M5)和通孔层(V2, V4),但这些层用于形成彼此电隔离且通过空气间隙垂直耦合的独立电感器(如402和802),或者用于形成连接线。对比文件完全没有描述在一个单一的螺旋电感器内部,通过两个导电螺旋以所述特定的覆盖和区域包含关系来构成厚度变化的匝。因此,该技术特征未被公开。 |
| **J**:其特征在于,所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征限定了两个导电螺旋的长度关系,是特定堆叠结构(如阶梯堆叠)的体现。对比文件未描述在同一螺旋电感器中存在两个长度不同的导电螺旋。因此,该技术特征未被公开。 |
| **K**:其特征在于,所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层,其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋《未公开》 | “导电层136(例如,通孔层V2)...导电层138(例如,通孔层V4)”(第0035段)<br>“形成金属连接器202...连接器202...可用于连接电感器”(第0040段) | 对比文件公开了在层之间存在导电层(如通孔层136, 138)或连接器(202, 1002),但它们的作用是**电连接**不同金属层上的结构(如连接衬底上的连接器与电感器,或连接电感器与上方的连接器),而非作为构成单一螺旋电感器匝厚度的一部分。目标专利中的“导电层”是与第一、第二导电螺旋共同堆叠以构成梯度厚度匝的组成部分,且在特定区域(最内匝第二部分)有其特定的端点。对比文件没有公开这种结构。因此,该技术特征未被公开。 |
| **L**:其特征在于,所述导电层包括非连续螺旋《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未描述任何导电层具有“非连续螺旋”的形状。因此,该技术特征未被公开。 |
| **M**:其特征在于,所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合《未公开》 | “金属连接器134...可用于与下部电感器101连接...其他金属连接器140...可用于将上部电感器102连接到其他电路或器件”(第0035段)<br>“形成连接器1002...可用于连接电感器802与其他电路或器件”(第0048段) | 对比文件公开了独立的“连接器”(connector)或“金属连接器”,用于为电感器提供输入/输出。然而,这些连接器是独立于电感器线圈本身的结构(如M1, M5层),并非目标专利中所述作为构成螺旋电感器匝厚度一部分的“导电层”所包含的引线。目标专利的特征M是限定所述导电层本身可能包含引线功能,对比文件的结构完全不同。因此,该技术特征未被公开。 |
| **N**:其特征在于,进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层《未公开》 | “钝化层1101...形成在衬底201之上以电绝缘电感器802和连接器1002”(第0049段) | 对比文件公开了钝化层(1101),但其位置和作用是覆盖在最上层的电感器和连接器之上,用于整体绝缘和封装保护,并非如目标专利所述位于两个导电螺旋之间以提供绝缘。因此,该技术特征未被公开。 |
| **O**:其特征在于,所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋《未公开》 | “导电层136(例如,通孔层V2)...可用于连接下部电感器101...导电层138(例如,通孔层V4)...在...上部电感器102与...另一金属连接器140之间”(第0035段) | 对比文件公开了通过通孔层(V2, V4)连接不同金属层,例如连接连接器与电感器,或连接电感器与上层连接器。但目标专利的特征O特指“第二导电螺旋通过穿过钝化层的通孔连接至第一导电螺旋”,这是一个在单一螺旋电感器内部连接两个构成层的特定结构。对比文件中的通孔连接的是不同功能的结构(如电感器与外部连接器),且未提及通孔穿过的是位于两个导电螺旋之间的钝化层。因此,该技术特征未被公开。 |
| **P**:所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征是对最内匝厚度变化趋势的限定。如前所述,对比文件未公开螺旋电感器最内匝具有不同厚度的第一部分和第二部分,因此也谈不上公开了这两个部分之间厚度的单调递增关系。因此,该技术特征未被公开。 |
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