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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板《直接公开》	“The planar transformer is integrated onto a printed circuit board (PCB).”（[0004]段）；“an embodiment of a planar transformer 1 includes a printed circuit board (PCB) 100”（[0011]段）	对比文件明确公开了平面变压器集成在印刷电路板（PCB）上。PCB是本领域公知的用于支撑和互连电子元件的基板。因此，对比文件直接公开了“基板”这一技术特征。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，《未公开》	对比文件全文未提及“电感器”，更未提及“梯度层堆叠电感器”。对比文件描述的是“平面变压器”（planar transformer）（[0002], [0011]段），其绕组（如初级绕组P1-P3，次级绕组S1、S2）由多层PCB上的导电迹线形成（[0013]段）。	目标专利要求保护的是“螺旋电感器”，并且是“梯度层堆叠电感器”。对比文件公开的是“平面变压器”，其功能是实现电压变换，与电感器（用于储能、滤波等）在功能、结构和原理上均不同。虽然变压器包含电感成分，但本领域技术人员不会将对比文件的变压器毫无疑义地认定为“螺旋电感器”。此外，对比文件完全没有提及绕组厚度沿径向（或沿匝）呈“梯度”变化的概念，所有电路层上的绕组描述均未涉及厚度变化。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度《未公开》	对比文件未描述任何绕组或导体在垂直于PCB（基板）方向上的厚度。其描述聚焦于绕组的匝数、连接方式（串联/并联）以及在不同电路层（L1-L12）上的布局（[0013]-[0017]段）。	目标专利的核心发明点之一在于电感器导体在垂直方向上的厚度变化。对比文件完全没有提及导体（绕组）的“厚度”这一维度，更不用说指定“最内匝的第一部分”具有特定厚度。本领域技术人员无法从对比文件中推导出该技术特征。因此，该技术特征未被公开。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，《未公开》	同上，对比文件未描述任何部分的厚度。	理由同技术特征C。对比文件未公开任何关于绕组垂直方向厚度的信息，因此无法得出最内匝存在具有不同厚度的“第一部分”和“第二部分”。该技术特征未被公开。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，《未公开》	同上，对比文件未描述厚度，故无从比较大小。	理由同技术特征C、D。由于对比文件未公开任何厚度值，因此“第二厚度大于第一厚度”这一关系无法从对比文件中得出。该技术特征未被公开。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，《未公开》	同上，对比文件未描述任何部分的厚度。	理由同技术特征C。对比文件未公开厚度信息，因此“第三部分”及其“第三厚度”无法从对比文件中得出。该技术特征未被公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，《未公开》	同上，对比文件未描述厚度，故无从比较大小。	理由同技术特征E。由于对比文件未公开任何厚度值，因此厚度之间的比较关系无法从对比文件中得出。该技术特征未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。《未公开》	对比文件全文未提及任何关于导体厚度“梯度”变化的概念。	目标专利的“梯度层堆叠电感器”的核心在于厚度沿最内匝连续或非连续地梯度增大。对比文件仅描述了绕组在不同平面层（电路层）上的二维布局和电气连接，完全没有涉及导体在第三维（垂直方向）上的形貌或厚度变化设计。本领域技术人员无法从对比文件推理出此特征。因此，该技术特征未被公开。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。《未公开》	对比文件描述了多层电路层（L1-L12），每层上有独立的绕组图形（如P1, P2, P3, S1/S2）（[0013]-[0017]段）。这些层通过绝缘材料（PCB介质）隔开，并通过通孔（如H1, H2, H3-H5）实现层间电气连接（[0015], [0017]段）。没有描述一层导体“覆盖”另一层导体（即直接堆叠在同一垂直投影区域），而是描述为不同层上的独立图形通过垂直互连形成完整绕组。	目标专利的特征I描述了一种特定的垂直堆叠结构，其中两个导电螺旋在空间上重叠（覆盖），并且在最内匝的不同部分，这种覆盖关系发生变化（有的部分只有下层螺旋，有的部分两层都有）。对比文件的结构是标准的PCB多层布线结构：每个导电图形位于不同的、被介质隔开的平面上，它们通过垂直的通孔连接，并非“覆盖”关系。此外，对比文件没有区分“最内匝”的不同部分及其构成。因此，该具体结构特征未被对比文件公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。《未公开》	对比文件中提到了不同绕组具有不同长度，例如初级绕组P1-P3串联，次级绕组S1、S2是半匝（[0013], [0017]段）。辅助电源层L7上的螺旋绕组（[0018]段）可能与其他绕组长短不同。但这不是目标专利权利要求中定义的“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”之间的长度关系。	目标专利的特征J限定了两个特定螺旋之间的长度关系。对比文件中虽然存在不同长度的导电图形，但这些图形属于变压器中功能不同的绕组（初级、次级、辅助电源），并非目标专利权利要求所限定的、构成一个电感器的两个具有覆盖关系的“导电螺旋”。本领域技术人员无法将对比文件中的不同功能绕组毫无疑义地对应为目标专利中的“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”。因此，该特征未被公开。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件提到了“辅助电源层”（auxiliary power layer）L7，其上有螺旋绕组（[0018]段）。但该层是一个完整的、功能独立的层，用于提供辅助电源，并非夹在两个螺旋之间作为最内匝一部分的“导电层”。	目标专利的特征K描述了一个位于两个螺旋之间的附加导电层，并且该导电层参与了最内匝特定部分的构成。对比文件的辅助电源层L7虽然在物理位置上可能位于其他电路层之间，但其功能和描述均未体现其作为构成主电感器（或变压器主绕组）一部分的“导电层”，也未描述其端部与特定螺旋部分共同构成最内匝的某一部分。因此，该特征未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。《未公开》	对比文件未描述任何“非连续螺旋”。其辅助电源层L7的螺旋绕组被描述为“a spiral winding”（[0018]段），未说明其是否连续。其他绕组（如S1/S2）是连续的半匝或整匝。	对比文件没有公开“非连续螺旋”这一具体形状特征。本领域技术人员无法从对比文件推断出存在这样的结构。该特征未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。《未公开》	对比文件的各个电路层上的绕组图形包含引出端子，如非反相输出端子N、反相输出端子I、接地端子G等（[0016]段，图4）。但这些端子属于整个变压器绕组的输入/输出端，并非专门归属于某个“导电层”的引线。	目标专利的特征M限定了导电层本身包含引线。对比文件中，引线（端子）是整个绕组结构在特定层上的延伸或连接点，并非某个中间导电层的固有特征。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出“导电层包括输入/输出引线”的结论。该特征未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。《未公开》	对比文件描述了PCB包含多层电路层，层间由PCB介质（如FR4等绝缘材料）隔开。这种介质层在广义上可视为绝缘层，但对比文件并未将其称为“钝化层”（passivation layer），也未特别指出其位于两个特定的“螺旋”之间。	“钝化层”在半导体和微电子制造中有特定含义，通常用于保护和绝缘。对比文件中使用的“PCB介质”虽然起绝缘作用，但并非目标专利在半导体工艺背景下所述的“钝化层”。此外，该特征依赖于技术特征I中的两个螺旋结构，而该结构本身未被公开。因此，该特征未被公开。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件广泛使用了通孔（via）来连接不同电路层上的绕组，例如路由H1, H2, H3-H5（[0015], [0017]段）。	虽然对比文件公开了使用通孔进行层间电连接，但该特征（O）依赖于技术特征I（两个螺旋的覆盖结构）和技术特征N（之间的钝化层）的存在。由于这两个基础特征均未被对比文件公开，因此通孔连接这两个特定螺旋的这一具体技术特征也无法被认为已被公开。通孔连接是PCB和多层器件中的公知技术，但应用于未被公开的特定结构上，不能视为公开了该组合特征。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。《未公开》	对比文件未描述任何关于绕组垂直方向厚度的信息，更不用说厚度变化趋势。	理由同技术特征C、H。该特征是对厚度梯度变化的具体描述（单调递增）。由于对比文件完全没有涉及导体厚度及其变化，因此本特征无法从对比文件中得出。该技术特征未被公开。