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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板<br>《直接公开》	[0030] “The inductor 200 is disposed on base 210 ... Base 210 may be made from an insulating material or, more usually, it will be made from a semiconducting material.”	对比文件明确公开了电感器结构设置在基板（base 210）上，该基板可以由绝缘材料或半导体材料制成。这与目标专利中的“基板”特征相同，且作用均为支撑电感器结构。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>《未公开》	[0005] “... an inductor structure including: a base material; a plurality of bottom spiral conductors ... at least one top spiral conductor ... such that ttop1 is greater than tbot1, tbot2, ... tbotn; ...”<br>[0031] “The top conductor 100 will have a thickness ttop1 which is greater than the thickness tbot1 of middle conductor 102. The top conductor thickness ttop1 will also be thicker than the thicknesses tbot2 and tbot3, of the bottom spiral conductor(s) 104.”	对比文件公开了一种多层堆叠的螺旋电感器结构，其顶层螺旋导体的厚度大于下层螺旋导体的厚度。然而，目标专利明确限定了其螺旋电感器为“梯度层堆叠电感器”，根据说明书[0025]、[0036]段，其核心在于电感器在垂直于基板方向上的厚度从最内部分到最外部分单调递增，且特别强调了最内匝本身具有不同厚度（如图2及部分222所示），厚度沿最内匝成比例变化成斜坡（梯度）。对比文件仅公开了不同导体层之间的厚度差异（阶梯式），并未公开任一匝（特别是最内匝）自身的厚度沿其延伸方向连续变化的“梯度”结构。因此，对比文件未公开“梯度层堆叠电感器”这一特定类型的电感器。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未公开》	无对应内容。	目标专利中“最内匝的第一部分”是指螺旋电感器最内侧那一匝中的一个特定区段（如图1中的部分120或图2中的点214）。对比文件虽然描述了不同螺旋导体层（如顶层100、中层102、底层104）及其各自的厚度，但并未将关注点放在“最内匝”这一特定匝上，更没有将最内匝进一步划分为具有不同厚度的“第一部分”。对比文件公开的厚度差异是不同导体层之间的，而非同一匝内的。因此，该特征未被公开。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>《未公开》	无对应内容。	同上，对比文件未公开“最内匝”这一概念，更未将其划分为具有不同厚度的“第二部分”。该特征未被公开。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>《未公开》	无对应内容。	由于特征C和D所限定的“最内匝的第一部分”和“最内匝的第二部分”及其各自的“第一厚度”和“第二厚度”均未被对比文件公开，因此两者之间的大小关系“第二厚度大于第一厚度”自然也未被公开。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>《未公开》	无对应内容。	同理，对比文件未公开“最内匝的第三部分”及其“第三厚度”。该特征未被公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>《未公开》	无对应内容。	由于特征C、D、F均未被公开，因此“第三厚度”与“第一厚度”、“第二厚度”之间的大小关系也未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>《未公开》	无对应内容。	这是目标专利“梯度层堆叠电感器”的核心特征，即最内匝自身的厚度沿着该匝从一点到另一点连续地、梯度地增大。对比文件完全没有涉及或暗示任何导体层或螺旋匝的厚度在其自身延伸方向上发生连续变化。其厚度是分层的、阶梯式的，而非沿单匝的梯度变化。因此，该特征未被公开。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>《未公开》	[0024] “... the top spiral turns of conductor 100 would be placed on top of middle spiral turns of conductor 102 which would then be placed on top of the bottom spiral turns of conductor(s) 104.”<br>[0029] “Top spiral conductor 100 will be connected electrically in series with middle conductor 102 by via 206. Middle conductor 102 will be connected electrically in parallel with bottom conductor 104 by multiple vias 208.”	对比文件确实公开了多层导电螺旋（如顶层100、中层102、底层104）相互堆叠覆盖的结构。然而，特征I对螺旋结构的描述是基于“最内匝的不同部分包含不同导电螺旋组合”这一特定构型（例如，第一部分仅包含第二导电螺旋，第三部分同时包含第一和第二导电螺旋）。对比文件并未将电感器结构按照“最内匝”的“第一部分”、“第三部分”进行如此精细的划分和组合限定。对比文件关注的是整个导体层之间的连接关系（串联或并联），而非特定匝内不同区段的材料构成。因此，该特征未被公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>《未公开》	[0031] “The number of turns n1 of the top spiral turns 202 will be greater than or equal to the number of turns n2 of the spiral turns 218 of spiral conductor group 216.”	对比文件公开了顶层螺旋的匝数（n1）大于或等于下层螺旋的匝数（n2）。但“匝数”与“长度”是不同的概念。“长度”可能指螺旋导体迹线的物理延伸长度。对比文件并未比较或公开不同导电螺旋的“长度”关系。因此，该特征未被公开。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>《未公开》	[0024] 描述了导体100、102、104等多层结构，其中导体102可视作位于导体100和104之间的中间层。<br>图2显示了中间导体层102。	对比文件公开了存在中间导体层（如102）。但特征K同样将其与“最内匝的第二部分”这一特定区域相关联，并限定了该部分仅包含第二导电螺旋和导电层，而不包含第一导电螺旋。这与特征I类似，是基于目标专利特定分区模型的描述，对比文件并未提供这样的分区信息。因此，该特征未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>《未公开》	无对应内容。	对比文件中的所有导电螺旋（如100、102、104）均被描述为完整的螺旋形状。没有公开任何导电层是“非连续螺旋”。该特征未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>《未公开》	[0064] “The current path 906 is from electrode P1 across the thick metal spiral conductor layer M4... to electrode P2.”	对比文件提到了外部电极P1和P2，用于电流的输入和输出。但特征M限定的是“导电层包括输入引线、输出引线”，意指引线是导电层的一部分或集成在导电层中。对比文件中的电极P1、P2是作为独立的连接端点描述的，并未明确它们是所述导电层（如中间层102）的一部分。因此，该特征未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>《直接公开》	[0024] “Dielectric material is formed between the spiral turns of the conductors 100, 102, and 104, between the various conductors 100, 102, and 104 to separate the spiral conductors...”	对比文件明确公开了在各导体螺旋之间形成介电材料以隔离它们。在半导体制造领域，用于隔离和钝化作用的介电层即相当于“钝化层”。该特征在对比文件中的作用（电隔离）与在目标专利中的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>《直接公开》	[0029] “Top spiral conductor 100 will be connected electrically in series with middle conductor 102 by via 206. Middle conductor 102 will be connected electrically in parallel with bottom conductor 104 by multiple vias 208.”<br>图2明确示出了通孔206、208。	对比文件明确公开了通过通孔（via）电连接不同层的导电螺旋（如顶层100与中层102通过通孔206连接）。通孔必然延伸穿过隔离各层导体的介电材料（即钝化层）。该特征在对比文件中的作用（实现层间电连接）与在目标专利中的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>《未公开》	无对应内容。	该特征是特征H的进一步具体化，强调最内匝自身的厚度变化是单调递增的。如前所述，对比文件完全没有公开“最内匝”自身存在厚度变化，更未公开这种变化是“单调递增”的。因此，该特征未被公开。