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技术特征描述以及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板《直接公开》	[0030] “... the components are implemented within (or on) semiconductor substrate 242.”	对比文件[0030]段明确记载了组件被制作在“半导体基板”上。基板是电子器件（如电感器）的常规支撑结构，其作用是为器件提供物理支撑和电气隔离，这与目标专利中基板的作用相同。因此，技术特征A“基板”被对比文件直接公开。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，未被公开	[0033] “... the inductors ... are shown as through substrate via inductors ... Representatively, the inductors ... are arranged from a first set of traces on a top surface of the semiconductor substrate 242, and a second set of traces on a second surface of the semiconductor substrate 242 opposite the first surface. In this configuration, the sets of traces are on opposing first and second surfaces of the semiconductor substrate 242 and coupled together by the through substrate vias in a serpentine manner.”	对比文件公开的是一种“穿通基板通孔电感器”（through substrate via inductor）。其结构是：在基板两侧表面有第一组和第二组走线，通过基板内的通孔以“蛇形”方式连接，形成三维（3D）电感。这种结构是利用通孔在基板厚度方向（Z方向）上形成导电路径，其“匝”的概念体现在水平面的蛇形走线与垂直通孔的组合上，并非目标专利所定义的、在基板表面或上方平面内盘旋的“螺旋电感器”。目标专利的“梯度层堆叠电感器”特指在垂直于基板的方向（Z方向）上，通过多层导电层（螺旋）堆叠，且堆叠厚度从内匝到外匝呈梯度变化。对比文件的电感器结构原理（垂直通孔连接两侧走线）与目标专利的结构原理（平面螺旋多层堆叠）有本质区别，也未提及任何“层堆叠”或“梯度厚度”的概念。因此，技术特征B未被对比文件公开。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度未被公开	对比文件未公开相关内容。	技术特征C是建立在技术特征B（螺旋电感器、梯度层堆叠）基础上的具体限定。由于对比文件未公开“螺旋电感器”及其“最内匝”的概念，更没有关于最内匝某一部分在垂直方向具有特定厚度的描述，因此该特征未被公开。对比文件中的电感器走线和通孔的厚度是均匀的，并未描述其厚度在电感器不同位置（如不同“匝”）发生变化。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，未被公开	对比文件未公开相关内容。	同技术特征C，该特征依赖于“螺旋电感器”和“最内匝”的概念，并进一步限定同一匝内不同部分具有不同厚度。对比文件未公开任何关于电感器匝内厚度变化的内容。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征限定了同一匝内不同部分厚度的相对关系。由于对比文件未公开技术特征C和D（即不同部分的厚度），因此该厚度比较关系也无从谈起，未被公开。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征进一步定义了最内匝的第三个部分及其厚度。对比文件完全没有涉及“最内匝”及其被划分为多个具有不同厚度部分的概念，因此未被公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征限定了三个部分厚度的相对大小关系。由于对比文件未公开最内匝的三个部分及其各自的厚度（技术特征C、D、F），因此该比较关系未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征定义了厚度在螺旋电感器最内匝范围内呈梯度（连续或阶梯式）增大的核心构思。对比文件的电感器结构中，走线和通孔的厚度是恒定的，不存在从一点到另一点逐渐增厚的设计。因此，该核心梯度变化特征未被公开。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征进一步限定了梯度层堆叠电感器的具体层叠结构：两个导电螺旋的覆盖关系，以及它们在最内匝不同部分和最外匝的组成。对比文件中的电感器由基板两侧的“走线”和“通孔”构成，这些“走线”并非目标专利意义上的平面“导电螺旋”，且它们之间是通过通孔实现电连接，而非一层“覆盖”另一层的堆叠关系。对比文件完全没有描述这种一层螺旋覆盖另一层螺旋，且在不同匝区覆盖范围不同的结构。因此，该特征未被公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征限定了两个导电螺旋的长度关系。对比文件未公开“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”的概念，因此更谈不上比较它们的长度。虽然对比文件的电感器两侧走线可能有不同长度，但其结构本质和目标专利的层叠螺旋不同，且未被描述为具有特定长度关系的两个螺旋。因此，该特征未被公开。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征引入了位于两个导电螺旋之间的额外“导电层”，并限定了其在最内匝第二部分的结构。对比文件的电感器结构中没有描述任何位于两侧走线（如果类比为导电螺旋）之间的、独立的“导电层”。其结构是走线-通孔-走线的垂直连接，而非水平方向的层叠。因此，该特征未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征限定了导电层的形状为非连续螺旋。由于对比文件未公开技术特征K中的“导电层”，因此关于该层形状的进一步限定自然也未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征限定了导电层可能包含引线功能。由于对比文件未公开技术特征K中的“导电层”，因此该特征未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征限定了在两个导电螺旋之间存在钝化层。对比文件未公开“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”的层叠结构，因此也未提及它们之间的绝缘层（钝化层）。虽然半导体制造中常用钝化层，但在此特定结构关系中并未被公开。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征限定了通过钝化层中的通孔连接两个导电螺旋。由于对比文件未公开技术特征N（钝化层）以及两个层叠的导电螺旋结构，因此连接它们的通孔结构也未被公开。对比文件中的通孔是贯穿基板的，用于连接两侧表面的走线，其作用和位置与目标专利中连接层叠螺旋的通孔不同。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。未被公开	对比文件未公开相关内容。	该特征是对最内匝厚度变化趋势的总结性限定（单调递增）。由于对比文件未公开最内匝、其不同部分以及这些部分的厚度（技术特征C、D），因此“厚度单调递增”这一变化趋势也未被公开。