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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
A: 包括：基板《直接公开》	对比文件描述部分：“도 3a를 참조하면, ... 드레인 콘택 플러그...가 형성된 반도체 기판(310)이 제공된다.”<br>（参见图3a，...形成了漏极接触插塞...的半导体基板(310)被提供。）	对比文件公开了半导体器件制造中使用的“반도체 기판(半导体基板)”，例如310。基板是半导体器件制造的基础结构，其作用是为后续层和结构提供物理支撑，这与目标专利中基板（102， 202， 602）作为电感器载体的支撑作用相同。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。
B: 以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，《未公开》	对比文件全文未提及“인덕터(电感器)”、“스파이럴(螺旋)”或“그라데이션(梯度)”结构。其描述的是金属布线（금속 배선）的形成，如图3g的334。	目标专利的技术方案核心在于一种特殊的“梯度层堆叠”螺旋电感器，用于在磁场中存储能量，以降低涡流损耗和电阻。对比文件涉及的是用于电互连的金属布线（如栅电极或位线）的制造方法，旨在降低布线本身的体电阻，其结构、功能（导电而非储能）和设计目的均与螺旋电感器完全不同。本领域技术人员无法从对比文件中直接或通过合理推断得出“布置在基板上的梯度层堆叠螺旋电感器”这一技术特征。
C: 其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度《未公开》	对比文件未描述任何具有“匝（턴）”结构的元件，更未区分“最内匝”。其描述的是平面多层膜结构（如324， 328， 330， 332）的厚度。	技术特征C明确限定于“螺旋电感器的最内匝”的特定部分及其厚度。对比文件完全没有公开任何螺旋或电感器结构，因此不存在“匝”的概念。虽然对比文件公开了多层膜（如非晶金属硅化物层328）具有厚度，但该厚度属于平面互连结构的一部分，与螺旋电感器特定匝的特定部分的厚度在结构上下文和技术作用上均无关联。无法进行直接或隐含公开的判断。
D: ，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，《未公开》	同特征C，对比文件无“最内匝”及其“第二部分”的概念。	理由同特征C。该技术特征依赖于螺旋电感器匝的划分，而对比文件未公开此前提。
E: 其中所述第二厚度大于所述第一厚度，《未公开》	对比文件描述了不同材料层（如328， 330， 332）具有各自的厚度，但并未公开在同一螺旋导体的同一匝内，不同部分之间存在厚度的差异和比较关系。	目标专利中，特征E限定了同一“最内匝”内两个不同部分（第二部分和第一部分）的厚度关系。对比文件虽然公开了不同材料层（堆叠方向）的厚度，但这些层是上下覆盖关系，并非同一导体路径上不同区段的厚度变化。两者技术方案本质不同。本领域技术人员无法从对比文件推断出同一导体匝内存在厚度变化。
F: 所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，《未公开》	同特征C，对比文件无“最内匝”及其“第三部分”的概念。	理由同特征C。该技术特征依赖于螺旋电感器匝的划分，而对比文件未公开此前提。
G: 其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，《未公开》	同特征E，对比文件未公开同一导体匝内不同部分间的厚度比较关系。	理由同特征E。对比文件未公开螺旋电感器匝内厚度梯度变化的技术构思。
H: 并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。《未公开》	对比文件未公开任何元件（特别是螺旋导体）的厚度沿着其延伸方向呈梯度变化。其多层膜结构在垂直基板方向上是层叠的，但每一层自身的厚度在水平方向上是基本均匀的（参见图3d-3f各层均匀覆盖的描述）。	目标专利特征H限定了螺旋电感器最内匝的厚度沿其路径连续（梯度）增大的核心构造。对比文件公开的是由不同材料层（势垒金属、非晶硅化物、PVD钨、CVD钨）堆叠形成的、各层厚度基本均匀的复合金属膜。两者技术手段不同：目标专利是单一导体路径的截面厚度渐变，对比文件是多种材料的固定厚度叠层。本领域技术人员无法从对比文件中推导出“螺旋电感器最内匝厚度梯度增大”的特征。
I: 其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。《未公开》	对比文件未公开任何“导电螺旋”结构。其公开的“PVD 텅스텐막(330)”和“CVD 텅스텐막(332)”是连续的平面薄膜，用于形成金属布线，并非独立的螺旋形导体。	特征I详细描述了梯度层堆叠电感器的一种具体实现方式，涉及两个导电螺旋的覆盖关系及其在螺旋不同匝、不同部分的分布。对比文件完全不涉及螺旋形导体，其PVD钨层和CVD钨层是作为整体金属布线的一部分依次沉积的连续层，并非独立成形、具有特定覆盖和分布关系的螺旋导体。因此，该特征未被公开。
J: 其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。《未公开》	对比文件未公开任何“导电螺旋”，因此不存在螺旋长度及其比较。其PVD钨层330和CVD钨层332在沉积时通常是连续覆盖整个区域的薄膜，在蚀刻形成布线图案前，不具有可区分的独立“长度”概念。	该特征依赖于“导电螺旋”这一前提，而对比文件未公开此前提。因此，特征J未被公开。
K: 其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件公开了在PVD钨层330和CVD钨层332之间没有额外的“导电层”。其层状结构为：基板/势垒金属324/非晶金属硅化物328/PVD钨330/CVD钨332。非晶金属硅化物328并非目标专利所述“导电层”，其作用是为增大钨晶粒尺寸以降低电阻，而非作为螺旋导体的一部分参与构成梯度厚度。	目标专利中的“导电层”（如图1的108）是参与构成梯度厚度螺旋导体的一个导电部分。对比文件中的“非晶金属硅化物层（328）”虽然位于两层之间，但其材料（WSix）、形成目的（控制晶粒生长）和技术作用（改善附着力、降低后续钨层电阻）与目标专利中作为导体一部分的“导电层”完全不同。且该特征的描述同样基于“螺旋”、“匝”等未公开的前提。因此，特征K未被公开。
L: 其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。《未公开》	对比文件未公开任何“非连续螺旋”结构。其所有层（324， 328， 330， 332）在图案化前都是连续薄膜。	该特征是对特征K中“导电层”具体形态的进一步限定。由于特征K所依赖的“导电层”及整个螺旋电感器上下文均未被对比文件公开，因此该进一步限定的特征L也未被公开。
M: 其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。《未公开》	对比文件未公开任何具有“输入引线”或“输出引线”功能的“导电层”。其金属布线334形成后，可能作为电路互连线，但并未被描述为特定“引线”。	该特征是对“导电层”功能的限定。由于“导电层”及其所属的螺旋电感器结构未被公开，且对比文件未提及此类“引线”功能与所述层结构的关联，故特征M未被公开。
N: 其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。《未公开》	对比文件在PVD钨层330和CVD钨层332之间没有设置“钝化层”。相反，其目的是通过插入PVD钨层330来增强非晶硅化物层328与CVD钨层332之间的附着力，使它们良好结合。	目标专利的钝化层（如图1的112， 114）是绝缘层，用于隔离不同的导电螺旋。对比文件中PVD钨层330是导电层，用于改善金属层间的附着力并提供晶种，作用完全相反。因此，特征N未被公开。
O: 其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件未公开“第二导电螺旋”、“第一导电螺旋”及它们之间的“钝化层”，因此也不可能公开连接它们的“通孔”。对比文件中的通孔（비아）用于连接接触插塞（322）等，与目标专利中连接不同层螺旋导体的通孔作用不同。	该特征依赖于特征N（钝化层）以及两个导电螺旋的存在，这些前提均未被对比文件公开。因此，特征O未被公开。
P: 其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。《未公开》	同特征H，对比文件未公开任何导体（特别是螺旋导体）的厚度沿其路径单调变化。其多层膜的厚度在水平面内是均匀的。	该特征是对最内匝厚度变化趋势的进一步限定，是目标专利“梯度层堆叠”核心思想的体现。对比文件未公开任何类似的构思或结构，因此特征P未被公开。