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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
A: 包括：基板 <br>《隐含公开》	对比文件涉及平面线圈设计，例如：“Such coils can be readily implemented with thin-film fabrication techniques.” (说明书第10栏第19-20行)；“...planar pickup coils...” (说明书第18栏第29行)。	目标专利中的“基板”用于支撑和承载螺旋电感器。对比文件明确公开了其线圈设计适用于薄膜制造技术（thin-film fabrication），而薄膜技术必然需要在一个基底（即基板）上沉积或形成导电图案。本领域技术人员在阅读对比文件后，能够毫无疑义地理解，为实现所描述的平面线圈（planar coil），必须将其布置在某种基板（如半导体基板、绝缘基板等）上。因此，技术特征A被对比文件隐含公开。
B: 以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器 <br>《未公开》	对比文件公开了螺旋线圈结构：“...or the coil can be wound in the form of a spiral with the pitch varying with radius to achieve the apodized configuration.” (说明书第9栏第28-30行)；图10、13展示了螺旋线圈。	目标专利的“梯度层堆叠电感器”特指电感器的导体在垂直于基板的方向上具有梯度变化的厚度（见说明书[0013], [0025]-[0027]段）。对比文件公开的螺旋线圈是通过改变匝间间距（pitch）或匝的半径来实现“变迹（apodized）”配置，其目的是优化空间分辨率滤波函数（说明书摘要，第9栏）。对比文件通篇未提及线圈导体在垂直方向（厚度方向）上存在任何变化，更没有“层堆叠”的概念。两者解决的技术问题（空间分辨率 vs. 降低涡流损耗）、采用的技术手段（水平方向间距变化 vs. 垂直方向厚度梯度堆叠）均不相同。因此，技术特征B未被对比文件公开。
C: 其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度 <br>《未公开》	对比文件未提及线圈导体的“厚度（thickness）”或其变化。	目标专利的核心在于电感器导体厚度在垂直方向上的变化。对比文件仅讨论了线圈匝的半径、间距和形状（水平方向），对于导体本身的物理厚度及其在垂直基板方向上的尺寸未作任何描述或暗示。因此，技术特征C未被公开。
D: ，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度 <br>《未公开》	对比文件未提及线圈导体的“厚度（thickness）”或其变化。	同技术特征C，对比文件未涉及导体厚度。因此，技术特征D未被公开。
E: 其中所述第二厚度大于所述第一厚度 <br>《未公开》	对比文件未提及线圈导体的“厚度（thickness）”或其变化，更无厚度之间的比较。	对比文件未公开任何关于导体厚度的信息，因此厚度的比较关系无从谈起。技术特征E未被公开。
F: 所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度 <br>《未公开》	对比文件未提及线圈导体的“厚度（thickness）”或其变化。	同技术特征C，对比文件未涉及导体厚度。因此，技术特征F未被公开。
G: 其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度 <br>《未公开》	对比文件未提及线圈导体的“厚度（thickness）”或其变化，更无多个厚度之间的比较关系。	对比文件未公开任何关于导体厚度的信息，因此多个厚度之间的比较关系无从谈起。技术特征G未被公开。
H: 并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。 <br>《未公开》	对比文件未提及线圈导体的“厚度（thickness）”或其梯度变化。	目标专利的“梯度增大”是指垂直于基板方向的导体厚度梯度（见说明书[0013], [0026]段）。对比文件描述的“梯度”或“变化”仅限于匝的半径或匝间间距在水平面内的变化（例如，“with the pitch varying with radius”），以实现滤波函数的优化，与导体厚度无关。因此，技术特征H未被公开。
I: 其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。 <br>《未公开》	对比文件未描述任何由多个导电螺旋层堆叠覆盖形成的电感器结构。图13的“double spiral coil”是两个螺旋段通过绝缘层分隔，并非一个螺旋覆盖另一个。	目标专利的特征I限定了具体的多层（第一、第二导电螺旋）堆叠覆盖结构，以及不同匝的部分由不同螺旋层构成。对比文件中的线圈均是单层导体结构。图13的双螺旋线圈（double spiral coil）是两个独立的螺旋段（一个向内绕，一个向外绕），通过绝缘层分隔或位于基板两侧，并非一个螺旋在垂直方向上覆盖另一个螺旋，也不存在“最内匝的一部分仅包含下层螺旋而不包含上层螺旋”这种堆叠关系。因此，技术特征I未被公开。
J: 其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。 <br>《未公开》	对比文件未描述任何由多个导电螺旋层堆叠形成的结构，因此不存在对不同螺旋层“长度”进行比较的基础。	该特征是基于特征I的多层堆叠结构的进一步限定。由于对比文件未公开特征I所限定的多层堆叠螺旋电感器，因此也不可能公开该结构中不同螺旋层之间的长度关系。技术特征J未被公开。
K: 其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。 <br>《未公开》	对比文件未描述任何在螺旋之间插入“导电层”的结构。	该特征引入了额外的“导电层”，构成了更复杂的多层堆叠结构。对比文件通篇未提及在螺旋线圈中设置这样的中间导电层。因此，技术特征K未被公开。
L: 其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。 <br>《未公开》	对比文件未描述任何“导电层”，更未提及导电层是否为非连续螺旋。	该特征是对特征K中“导电层”具体形态的限定。由于对比文件未公开“导电层”这一元素，因此其具体形态（是否为非连续螺旋）自然也未被公开。技术特征L未被公开。
M: 其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。 <br>《未公开》	对比文件提到了引线：“...with parallel radial feed lines...” (说明书第9栏第27-28行)；“...a return lead 15 extending radially outward...” (说明书第16栏第18-19行)。	目标专利的特征M限定的是“导电层”包含引线。对比文件虽然提到了径向馈线（feed lines）和返回引线（return lead），但这些是线圈整体结构的一部分，用于连接线圈的端部，并非特指是某个“导电层”包含这些引线。更重要的是，对比文件未公开“导电层”这一结构元素。因此，技术特征M未被公开。
N: 其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。 <br>《未公开》	对比文件未提及任何“钝化层（passivation layer）”。图13的双螺旋线圈提到两个螺旋段之间可以有绝缘层，但这是为了电气隔离两个导体路径，并非目标专利中用于层间绝缘和提供通孔平台的“钝化层”。	目标专利的“钝化层”是形成在导电螺旋之间，用于绝缘并可通过通孔实现电连接的具体结构层（见说明书[0030]段）。对比文件未公开这一特定结构层。因此，技术特征N未被公开。
O: 其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。 <br>《未公开》	对比文件未提及任何“通孔（via）”。	该特征涉及通过钝化层中的通孔实现不同螺旋层之间的电连接。由于对比文件既未公开“钝化层”，也未公开“通孔”，因此技术特征O未被公开。
P: 其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。 <br>《未公开》	对比文件未提及线圈导体的“厚度（thickness）”或其单调变化。	该特征重申了最内匝部分厚度在垂直方向上的单调递增关系。如前述，对比文件完全未涉及导体厚度及其变化规律。因此，技术特征P未被公开。