**对比文件名称：** US2006130317A1_Description_20260304_2016
**目标专利名称：** 190具有变化厚度的电感器CN105493208B
**本次调用的模型名称：** 专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>《直接公开》 | [0021]段：“The central core 110 can be, for example, a solid rod, a hollow cylinder, or other similar structure.”<br>[0031]段：“To form individual magnetic disks, the boule 100 and the boule 200 can be cut up into disks that will have ring structures... The tree ring section platens cut from the boules undergo an initial planarization, or surface polishing, to provide a very flat surface.” | 对比文件明确公开了“central core”（中央核心）和最终切割形成的“disks”（盘片），其本质是用于构建和支撑多层薄膜结构的基底或基板。在目标专利中，基板（102，202）是用于支撑螺旋电感器（104，204）的物理载体。虽然两者具体应用不同（硬盘盘片基底 vs. 电感器基板），但作为支撑结构这一基本物理实体和功能是相同的。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出“基板”这一技术特征。因此，技术特征A被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，**<br>《未公开》 | [0019]-[0023]段描述了通过交替沉积材料104和106形成多层薄膜结构（boule 100），该结构可以是同心环（103）或螺旋结构（204）。 | 对比文件公开的是用于硬盘数据存储的、由交替材料层构成的同心环或螺旋状多层薄膜结构（boule 100, 200）。该结构的作用是作为后续形成磁道的基底，其目的是实现高密度数据存储。而目标专利的“螺旋电感器”是用于在磁场中存储能量的电子元件，其“梯度层堆叠”特征旨在通过厚度变化优化电性能（如降低涡流损耗）。两者虽然都具有“螺旋”或“层堆叠”的几何形态，但所属技术领域（数据存储 vs. 无源电子元件）、功能目的（提供物理磁道基底 vs. 提供电感值并降低电阻）以及所要解决的技术问题（提高数据存储密度 vs. 降低电感器功耗）均存在本质区别。本领域技术人员阅读对比文件后，不会将其中的环状或螺旋状薄膜结构视为或等同于“螺旋电感器”，更不会将其识别为“梯度层堆叠电感器”。因此，技术特征B**未被公开**。 |
| **技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度**<br>《未公开》 | [0031]段：“The final data track width and spacing is controlled by the thin layer thickness for the deposited films. Layer thickness is controlled by deposition rate and rotation rates of the boule relative to the sources.” | 对比文件提到了通过控制沉积参数来控制薄膜层的厚度，并且最终形成的环状结构（tracks 302）具有厚度。然而，对比文件中的“环”（tracks）是用于定义磁道的物理隔离结构，其“厚度”对应于薄膜沉积的层厚。而目标专利中的“最内匝的第一部分厚度”是特指“螺旋电感器”这一电子元件中特定匝的特定部分的垂直尺寸，其作用是影响电感器的涡流损耗和电阻。由于对比文件未公开“螺旋电感器”（特征B），因此也就不存在其“最内匝的第一部分”这一概念。即使将对比文件的环状结构牵强地类比为“匝”，其讨论的也是整个环的层厚，而非特指“最内匝”的“第一部分”的厚度。因此，技术特征C**未被公开**。 |
| **技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，**<br>《未公开》 | 同上，对比文件未公开“螺旋电感器”及其“最内匝”。 | 由于核心元件“螺旋电感器”（特征B）未被公开，因此其组成部分“最内匝的第二部分”及其“第二厚度”也无从谈起。对比文件没有描述环状结构上存在具有不同厚度的“第一部分”和“第二部分”。因此，技术特征D**未被公开**。 |
| **技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，**<br>《未公开》 | [0039]段：“To provide format structures on the disk 300, the widths of the rings can be varied in a controlled manner.”<br>（译文：为了在磁盘300上提供格式结构，可以以受控的方式改变环的宽度。） | 对比文件提到了可以改变“环的宽度”（widths of the rings），但这里的“宽度”更可能指的是环的径向宽度（即环的“线宽”），而不是垂直于基板方向的“厚度”。即使宽泛地解释“宽度”可能包括垂直厚度，该描述也是为了在磁盘上形成“格式结构”（format structures），这与目标专利中通过改变最内匝不同部分的厚度来优化电感器电性能（降低涡流损耗）的目的和作用完全不同。由于特征C和D未被公开，它们之间的大小关系（E）也未被公开。因此，技术特征E**未被公开**。 |
| **技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，**<br>《未公开》 | 对比文件未公开“螺旋电感器”及其“最内匝的第三部分”。 | 理由同特征C、D。对比文件未公开具有特定“第一部分”、“第二部分”、“第三部分”划分的“最内匝”结构。因此，技术特征F**未被公开**。 |
| **技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，**<br>《未公开》 | 对比文件未公开“第一厚度”、“第二厚度”、“第三厚度”及其比较关系。 | 由于特征C、D、F均未被公开，这些厚度之间的比较关系（G）自然也未被公开。对比文件没有描述环状结构上存在三个具有不同厚度且厚度递增的特定部分。因此，技术特征G**未被公开**。 |
| **技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。**<br>《未公开》 | [0026]段描述了形成螺旋结构（spiral structure 204）的替代方法，其中薄膜连续沉积形成螺旋。<br>[0031]段提到通过控制沉积速率和旋转速率可以控制层厚。 | 对比文件公开了可以形成螺旋状的连续薄膜层，并且层厚可以控制。但是，这描述的是整个沉积结构的宏观形态和制造控制参数，而非特指一个“螺旋电感器”在其“最内匝”范围内，厚度从一个特定部分（第一部分）到另一个特定部分（第三部分）呈现“梯度”变化。目标专利的“梯度”变化（如图2所示）是为了在电感器的最内匝实现连续的厚度过渡，以优化性能。对比文件并未公开或暗示在其环状或螺旋结构的单个“环”或“匝”内，存在这种沿特定路径（最内匝）的、目的明确的厚度梯度设计。因此，技术特征H**未被公开**。 |
| **技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。**<br>《未公开》 | 对比文件未公开任何“导电螺旋”结构。其公开的是由材料104和106（如SiO2, Si3N4, Si, Ta等）交替沉积形成的多层薄膜环或螺旋，这些材料并非必然为导电材料（例如SiO2是绝缘体），且其结构是用于定义磁道沟槽的牺牲层或隔离层，而非作为导电通路形成电感器。 | 目标专利的特征I详细定义了螺旋电感器的具体层叠导电结构，包括两个导电螺旋的覆盖关系以及它们在电感器最内、最外匝不同部分的包含关系。对比文件完全没有公开这样的结构。其交替沉积的不同材料层，即使某些层是导电的（如Ta），它们也是作为独立的同心环或螺旋带存在，目的是在后续蚀刻中被选择性去除以形成沟槽，而非设计成相互覆盖、电连接以构成一个整体螺旋电感器的导电体。两者结构、材料和功能目的均无对应关系。因此，技术特征I**未被公开**。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。**<br>《未公开》 | 对比文件未公开“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”，因此也不存在它们长度的比较。 | 由于特征I未被公开，其中限定的“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”不存在于对比文件中，故它们之间的长度关系（J）也未被公开。因此，技术特征J**未被公开**。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。**<br>《未公开》 | 对比文件未公开“螺旋电感器”、“导电螺旋”、“导电层”以及它们在“最内匝第二部分”的特定包含关系。 | 特征K进一步限定了在两层导电螺旋之间插入一个导电层的复杂堆叠结构。对比文件中的多层薄膜（102）是交替的两种材料（104, 106），它们的作用是形成蚀刻掩模或隔离，而非作为电感器的导电层进行堆叠。没有证据表明这些层中的某一层对应于“在第二与第一导电螺旋之间的导电层”，且具有K所描述的结构关系。因此，技术特征K**未被公开**。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。**<br>《未公开》 | 对比文件未公开作为“螺旋电感器”组成部分的“导电层”。 | 由于特征K中的“导电层”未被公开，其具体形态是否为“非连续螺旋”更无从谈起。对比文件中的薄膜层（无论是材料104还是106）在沉积时可能是连续的环形或螺旋形，但这与目标专利中特指的电感器内部“导电层”的“非连续螺旋”形态（可能指不完整的螺旋形状，如图1的108）无关。因此，技术特征L**未被公开**。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。**<br>《未公开》 | 对比文件未公开任何与电感器相关的“输入引线”或“输出引线”。 | 目标专利的特征M限定了导电层可能包含用于电连接的引线。对比文件描述的是硬盘盘片的制造，其最终结构是用于存储数据的磁道，不存在也不需要连接至外部电路的“输入/输出引线”。因此，技术特征M**未被公开**。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。**<br>《未公开》 | 对比文件未公开“导电螺旋”，因此也不存在它们之间的“钝化层”。 | 目标专利的钝化层（112，114）用于绝缘和隔离不同的导电螺旋。对比文件中的交替材料层（104，106）可能具有绝缘性质（如SiO2），但它们的作用是作为可选择性蚀刻的层以定义磁道图案，而非特意设置在两个导电螺旋之间起绝缘作用的“钝化层”。因此，技术特征N**未被公开**。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。**<br>《未公开》 | 对比文件未公开“导电螺旋”、“钝化层”以及用于电连接它们的“通孔”。 | 特征O描述了通过通孔实现多层导电螺旋之间的电连接，这是构建三维螺旋电感器的关键互连结构。对比文件中完全不存在这样的结构。其多层薄膜之间是物理堆叠，目的不是形成电互连的通路。因此，技术特征O**未被公开**。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。**<br>《未公开》 | 对比文件未公开“螺旋电感器”的“最内匝”，也未公开该匝上具有明确区分的“第一部分”和“第二部分”，更未公开这两部分之间厚度“单调递增”的关系。 | 即使考虑对比文件提及的环状结构，其描述的是整个环（track）具有一个统一的厚度（由沉积层厚决定），或通过改变沉积参数可以改变不同环的宽度/厚度（[0039]段），但并未描述单个环（类比为“匝”）在其自身的不同部分（如从一部分到另一部分）厚度发生变化并“单调递增”。目标专利的“单调递增”是为了在电感器最内匝实现厚度渐变以优化性能。对比文件没有给出这样的教导或启示。因此，技术特征P**未被公开**。 |
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