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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A《直接公开》	[0054] Below, a toroidal inductor formed on a semiconductor chip (in particular on the active element formation surface side) is explained as an example of an electronic substrate. <br> [0055] As the electronic substrate, the opposite side of the active element formation surface of a semiconductor chip, or a silicon substrate, glass substrate, quartz substrate, crystallized quartz substrate, or other substrate on which no semiconductor elements are formed, but which is at least a substrate having an insulating surface, may be used.	对比文件明确公开了在半导体芯片（电子基板）上形成电感器。基板（substrate）是构成电子器件的基础支撑结构。在对比文件中，半导体芯片1本身即为基板（如[0054]段），并且明确列举了硅基板、玻璃基板、石英基板等多种基板类型（[0055]段）。基板在对比文件中用于承载电子电路和形成的电感器（如环形电感器40），其作用与目标专利中用于支撑螺旋电感器的基板相同。因此，技术特征“基板”被对比文件直接公开。
技术特征B《未公开》	[0079] On the semiconductor chip (electronic substrate) 1 of the first embodiment, a ring-shaped core 42 is formed by the stress-relieving layer 30, and a toroidal inductor 40 is formed from the helical conductive member of first conductive elements 12 and second conductive elements 22 placed on both surfaces of the stress-relieving layer 30. <br> [0101] In this way, the first conductive elements 12 and the second conductive elements 22 are connected in succession, so that the helical conductive member are formed on the periphery of the core 42, and a toroidal inductor 40 is formed.	对比文件公开了布置在基板（半导体芯片1）上的电感器，但其为“环形电感器（toroidal inductor）”40，其结构核心是围绕环形磁芯（core 42）的螺旋导电构件（helical conductive member）。目标专利要求保护的是“梯度层堆叠电感器”，其核心特征在于电感器在垂直于基板方向上的厚度从最内匝到最外匝呈现梯度（单调）增大，以优化涡流损耗。对比文件全文未提及电感器的“厚度”存在变化，更未提及“梯度层堆叠”这一结构特征。其电感器的形成目的是利用磁芯提高Q值，解决磁通与硅基板干扰的问题，技术构思与目标专利通过改变导电体垂直厚度来降低电阻完全不同。因此，对比文件未公开“布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器”这一技术特征。
技术特征C《未公开》	无相应内容。	目标专利中“最内匝的第一部分具有第一厚度”是梯度层堆叠结构的具体体现，意味着在最内匝的不同位置，其垂直方向的厚度不同。对比文件公开的环形电感器40由第一、第二导电元件通过通孔连接构成螺旋绕组，但并未描述这些导电元件或其构成的“匝”在垂直于基板方向上的厚度存在差异，更没有指出“最内匝”的某一部分具有特定的厚度。因此，该技术特征未被对比文件公开。
技术特征D《未公开》	无相应内容。	同上，对比文件未描述螺旋电感器（环形电感器）的匝具有在垂直方向上的厚度差异，尤其未限定最内匝的不同部分具有不同的厚度。因此，“最内匝的第二部分具有第二厚度”未被公开。
技术特征E《未公开》	无相应内容。	该特征限定了最内匝两个部分厚度的相对大小关系。由于对比文件未公开最内匝存在具有不同厚度的部分（特征C、D），因此该厚度关系自然也未被公开。
技术特征F《未公开》	无相应内容。	该特征进一步限定了最内匝存在第三部分及其厚度。对比文件未公开任何关于电感器匝的厚度分区信息。因此，该特征未被公开。
技术特征G《未公开》	无相应内容。	该特征限定了第三厚度与第一、第二厚度的相对大小关系。由于特征F（第三部分及第三厚度）未被公开，此关系也无从谈起。
技术特征H《未公开》	无相应内容。	该特征是权利要求的核心，明确了螺旋电感器的厚度在最内匝中根据从第一厚度到第三厚度的“梯度”而增大。这定义了“梯度层堆叠”的具体形态。对比文件公开的电感器结构（环形、带磁芯）完全不同，且从未提及电感器导体的厚度变化，更未提及沿匝的“梯度”变化。因此，该技术特征未被对比文件公开。
技术特征I《未公开》	[0079] ... a toroidal inductor 40 is formed from the helical conductive member of first conductive elements 12 and second conductive elements 22 placed on both surfaces of the stress-relieving layer 30. <br> [0096] The second conductive elements 22 is formed on the surface of the stress-relieving layer 30. <br> [0097] The inner-side penetrating holes 33 and the outer-side penetrating holes 34 are also filled with the second conductive elements 22. The second conductive elements 22 is connected to the first conductive elements 12.	对比文件公开了电感器包含第一导电元件12和第二导电元件22，它们共同构成螺旋导电构件。在结构上，第二导电元件22形成于覆盖第一导电元件12的应力缓解层30之上，并通过穿透孔33、34与第一导电元件12连接。从层叠顺序看，是第二导电元件22覆盖在第一导电元件12（中间隔着绝缘层）之上。这与目标专利特征I中“所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋”的上下覆盖关系可能相反。更重要的是，特征I详细限定了最内匝不同部分由哪个导电螺旋构成，例如“第一部分包括第二导电螺旋的第一端部且不覆盖第一导电螺旋”。对比文件完全没有描述其环形电感器的“匝”如何划分，也没有描述特定部分（如最内匝的某部分）仅由某一导电元件构成而排除另一导电元件。对比文件的导电元件是通过通孔串联以实现螺旋绕制，其每一“匝”由分属上下层的两段导体通过侧边通孔连接构成，与目标专利中通过垂直堆叠不同长度的螺旋来形成厚度阶梯/梯度的结构有本质区别。因此，该技术特征未被公开。
技术特征J《未公开》	无相应内容。	该特征限定了两个导电螺旋的长度关系。对比文件虽然图示了第一导电元件12和第二导电元件22的图案不同，但文字描述未明确比较两者的长度，也未记载“第二导电螺旋的第一长度大于第一导电螺旋的第二长度”这一具体关系。因此，该特征未被公开。
技术特征K《未公开》	[0089] As shown in FIG. 2B, the stress-relieving layer 30 is formed so as to cover the first conductive elements 12.	该特征限定在两层导电螺旋之间还有一个“导电层”。对比文件在第一导电元件12和第二导电元件22之间确实存在一个层，即“应力缓解层（stress-relieving layer）”30。然而，该层在对比文件中的作用是缓解应力、作为环形电感器的磁芯（core 42），其材料是光敏聚酰亚胺、BCB等树脂（[0071]段），是绝缘介质层，而非“导电层”。目标专利的“导电层”是用于与导电螺旋共同堆叠以增加局部厚度的导电体，两者材料、功能和结构位置均不相同。因此，该技术特征未被公开。
技术特征L《未公开》	无相应内容。	该特征是对导电层形态的进一步限定。由于特征K中的“导电层”未被对比文件公开，因此其“包括非连续螺旋”的形态自然也未被公开。
技术特征M《未公开》	[0087] One of the first conductive elements 12 is then connected to a connection terminal 11 via a connecting wiring 12a. <br> [0099] One second conductive elements element 22 is then connected to a connecting terminal 21 via a connecting wiring 22a.	该特征限定导电层包括输入/输出引线。对比文件公开了连接端子（connection terminal）11、21以及连接布线（connecting wiring）12a、22a，用于将电感器连接到电子电路。然而，这些端子和布线是连接到第一或第二导电元件上的独立结构，并非目标专利特征K中定义的“导电层”的一部分。由于特征K的“导电层”未被公开，此从属特征也未被公开。
技术特征N《未公开》	[0059] As shown in FIG. 1B, a passivation film 8 protecting an electronic circuit is formed on the surface of the semiconductor chip 1 on which the electronic circuit is formed.	对比文件公开了“钝化膜（passivation film）8”，用于保护基板上的电子电路。目标专利的“钝化层”形成在第二导电螺旋与第一导电螺旋之间，是电感器内部多层结构的一部分。对比文件的钝化膜8位于基板与第一导电元件12之间（参见图2B、5A），是电子电路的封装层，其位置和作用与目标专利中位于两个导电螺旋之间的钝化层不同。因此，该技术特征未被公开。
技术特征O《隐含公开》	[0090] Inner-side penetrating holes (vias) 33 and outer-side penetrating holes 34 are formed in this stress-relieving layer 30. <br> [0097] The inner-side penetrating holes 33 and the outer-side penetrating holes 34 are also filled with the second conductive elements 22. The second conductive elements 22 is connected to the first conductive elements 12.	该特征限定通过穿过钝化层的通孔实现导电螺旋的电连接。对比文件公开了在应力缓解层30中形成内穿透孔33和外穿透孔34（[0090]段），并且第二导电元件22填充这些穿透孔并与第一导电元件12连接（[0097]段）。虽然对比文件中的层称为“应力缓解层”而非“钝化层”，但其在结构上位于第一导电元件和第二导电元件之间，并具有绝缘属性。其中形成的“穿透孔（penetrating holes）”在半导体制造领域通常即等同于“通孔（via）”，用于实现上下层导电元件的垂直互连。本领域技术人员阅读对比文件后，能够毫无疑义地理解，通过在该绝缘层中制作通孔并填充导电材料，可以实现下层第一导电元件与上层第二导电元件的电连接。这与目标专利中“通孔电连接”的技术手段、所解决的电连接问题以及实现的效果是相同的。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。