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技术特征描述及公开性判断	对比文件原文引用	公开性论述
A：包括：基板<br>《直接公开》	[0026] 段：“A first dielectric layer 74 is formed over a semiconductor substrate 72.”；[0025] 段提及“first wafer 42”和“second wafer 44”。	对比文件多次提及“semiconductor substrate”（半导体衬底）以及“first wafer”（第一晶圆）和“second wafer”（第二晶圆），这些均属于基板范畴。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件中的器件包括基板（衬底或晶圆）。因此，技术特征A被对比文件直接公开。
B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>未直接公开或隐含公开	[0014] 段：“A primary spiral winding is spaced apart from a secondary primary winding by a gap in a substantially aligned stacked configuration forming a balun.”；[0015] 段描述“primary twin spiral winding 12”和“secondary twin spiral winding 14”。	对比文件公开了一种3D MMIC巴伦（balun），其包含初级和次级螺旋绕组（spiral windings），这些绕组布置在基板（晶圆）上并呈堆叠结构。然而，对比文件中的“balun”是用于信号转换（如单端转差分）的平衡转换器，其结构和目的（实现宽频带、高线性度）与目标专利中单纯的“梯度层堆叠电感器”（用于存储能量、降低涡流损耗）不同。对比文件未提及该螺旋结构是“梯度层堆叠电感器”，也未描述其厚度沿径向呈梯度变化。因此，技术特征B未被公开。
C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>未直接公开或隐含公开	对比文件全文未提及绕组“最内匝”（innermost turn）的概念，也未描述绕组在垂直方向上的厚度（thickness）存在变化。	目标专利的核心在于电感器导体厚度在垂直方向上的变化，特别是最内匝具有不同厚度部分。对比文件仅描述了初级和次级绕组在平行平面内堆叠，并关注它们之间的间隙（gap）距离，但从未讨论绕组导体自身的垂直厚度，更没有区分最内匝的不同部分及其厚度。本领域技术人员无法从对比文件推断出此特征。因此，技术特征C未被公开。
D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>未直接公开或隐含公开	同上，对比文件未描述绕组导体自身的垂直厚度，更无最内匝不同部分具有不同厚度的记载。	技术特征D与技术特征C紧密相关，共同定义了最内匝至少有两个部分具有不同的垂直厚度。由于对比文件完全没有涉及绕组导体厚度变化，该特征无法被得出。因此，技术特征D未被公开。
E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>未直接公开或隐含公开	对比文件未记载任何关于绕组不同部分垂直厚度的大小比较关系。	此特征限定了最内匝两个部分厚度的相对大小。由于对比文件未公开技术特征C和D，该厚度比较关系更是无从谈起。因此，技术特征E未被公开。
F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>未直接公开或隐含公开	对比文件未描述绕组导体自身的垂直厚度，也无最内匝“第三部分”的概念。	此特征进一步细化了最内匝的厚度分区。对比文件未提供任何关于绕组厚度分区的基础信息。因此，技术特征F未被公开。
G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>未直接公开或隐含公开	对比文件未记载任何关于绕组不同部分垂直厚度的大小比较关系。	此特征限定了最内匝三个部分厚度的递进关系。由于对比文件未公开技术特征C、D、F，该厚度比较关系无法被推断。因此，技术特征G未被公开。
H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>未直接公开或隐含公开	对比文件全文未提及绕组厚度“梯度”（gradient）变化的概念。	此特征概括了目标专利“梯度层堆叠电感器”的核心——厚度沿最内匝呈梯度连续或阶梯式增大。对比文件关注的参数是绕组间的“间隙”（gap），而非绕组自身的“厚度”（thickness），且间隙是基本恒定的（selectable distance），并非沿绕组变化的梯度。因此，技术特征H未被公开。
I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>未直接公开或隐含公开	[0015] 段描述初级绕组12和次级绕组14是堆叠（stacked）且对齐（aligned）的，它们之间被间隙15隔开。图1、4、5显示它们是两个分离的、平行的螺旋结构，并非一个覆盖另一个。	目标专利的“覆盖”关系指一个导电螺旋直接形成在另一个之上（可能通过介质层隔离），构成一个复合厚度的电感器。对比文件中的初级和次级绕组是两个独立、平行的螺旋，分别位于不同平面（或不同晶圆），中间有间隙隔开，形成的是变压器/巴伦的耦合结构，而非一个螺旋覆盖另一个以增加局部厚度。此外，对比文件未区分最内匝的不同部分与不同螺旋的对应关系。因此，技术特征I未被公开。
J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>未直接公开或隐含公开	对比文件未比较或描述初级绕组和次级绕组中单个螺旋的长度差异。图2和图3显示初级和次级绕组中的螺旋形状相似，但未给出长度数据或比较。	此特征限定了两个导电螺旋的长度关系，是构成阶梯状厚度变化的一种具体方式。对比文件未提及绕组自身长度的差异，其设计关注点在于绕组的对齐和间隙，而非通过长度差实现厚度变化。因此，技术特征J未被公开。
K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>未直接公开或隐含公开	对比文件未提及在初级和次级螺旋绕组之间还存在额外的“导电层”。图5中的第二电介质层76是绝缘介质，并非导电层。	此特征涉及一个三明治式的多层导电结构（第二导电螺旋-导电层-第一导电螺旋），以形成特定的厚度分布。对比文件中的结构是“初级绕组-间隙/介质-次级绕组”，间隙中是空气或低k介质，目的是减少寄生电容，而非作为导电层来增加厚度。因此，技术特征K未被公开。
L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>未直接公开或隐含公开	对比文件未公开技术特征K中的“导电层”，因此更不可能公开该导电层是否为“非连续螺旋”。	此特征进一步限定了导电层的形态。由于对比文件未公开存在这样的导电层，该特征无法被推断。因此，技术特征L未被公开。
M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>未直接公开或隐含公开	对比文件未公开技术特征K中的“导电层”。对比文件中输入输出引线（如20，26，28）是直接连接到初级或次级绕组的，并非设置在一个中间的导电层上。	此特征涉及导电层的附加功能。由于对比文件未公开该导电层，且其引线连接方式不同，该特征无法被得出。因此，技术特征M未被公开。
N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>未直接公开或隐含公开	图5中在次级绕组80和初级绕组90之间是第二电介质层76。在半导体制造领域，这种层间介质（ILD）可以起到钝化作用。然而，此介质层的作用是电气隔离和形成可控间隙，以优化巴伦性能（如[0019]-[0021]段所述），与目标专利中为构建阶梯厚度而设置的钝化层作用不同。	尽管对比文件在堆叠的绕组之间存在介质层（可视为钝化层），但该层的作用和设置目的与目标专利不同。目标专利的钝化层是用于在多层导电结构间进行隔离，以构建特定的厚度分布；而对比文件的介质层是用于形成巴伦初级和次级绕组之间的耦合间隙，以控制寄生电容和带宽。两者作用不同，且对比文件未将其与构建变化厚度的电感器相关联。因此，技术特征N未被公开。
O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>未直接公开或隐含公开	对比文件未描述初级绕组和次级绕组之间通过通孔进行电连接。它们是两个独立的绕组，通过电磁场耦合。图5中的结构显示它们是绝缘隔离的。	此特征要求两个导电螺旋通过通孔电性连接，这在目标专利中可能是为了构成一个连续的电感器路径。对比文件中的初级和次级绕组是巴伦的两个独立端口，它们之间是绝缘的，没有电连接。因此，技术特征O未被公开。
P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>未直接公开或隐含公开	对比文件未描述绕组自身厚度沿最内匝的变化，无论是单调递增还是其他方式。	此特征是对最内匝厚度变化趋势的总结。由于对比文件完全未涉及绕组导体厚度的变化，该特征无法被推断。因此，技术特征P未被公开。