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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板《直接公开》	对比文件图9示出了螺旋图案的导体，结合全文背景可知，集成电路（IC）或半导体器件通常制造在基板（如硅基板）上。例如，说明书第[0058]段提及导体可制造在IC上。	本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件所描述的集成电路（包括其上的电感器等组件）必然包括支撑这些组件的基板（例如硅基板、GaAs基板等）。这是半导体制造领域的公知常识。因此，技术特征A被对比文件直接公开。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，《未公开》	对比文件图9及第[0058]段：“FIG. 9 shows an exemplary design of coupled inductor 310... coil 320 is implemented with a first conductor 920... coil 330 is implemented with a second conductor 930... the two conductors 920 and 930 are arranged in a spiral pattern... Conductors 920 and 930 may be fabricated on the same layer (as shown in FIG. 9) or on different layers, e.g., to obtain stacked inductors.”	对比文件确实公开了布置在基板上的螺旋电感器（耦合电感器310，其线圈呈螺旋图案）。然而，目标专利明确限定该螺旋电感器为“梯度层堆叠电感器”。根据目标专利说明书（如第[0013], [0025]段及图2），梯度层堆叠电感器的核心特征在于其厚度（在垂直于基板的方向上）沿最内匝连续梯度变化。对比文件虽然提及导体可制作在不同层以获得“堆叠电感器(stacked inductors)”，但并未描述或暗示该电感器在垂直于基板方向上的厚度沿其匝（特别是最内匝）呈梯度变化。对比文件的电感器用于实现磁耦合、输入匹配和巴伦功能，其结构与目标专利旨在通过厚度梯度变化来减小涡流损耗的“梯度层堆叠电感器”在结构和工作原理上均不相同。因此，技术特征B未被公开。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度《未公开》	对比文件未描述电感器导体在垂直于基板方向上的厚度，也未对其最内匝的不同部分进行厚度区分。	目标专利技术特征C限定了电感器最内匝的特定部分具有特定的第一厚度。对比文件全文未提及电感器导体在垂直方向上的厚度，更未对其最内匝进行分区并赋予不同厚度。本领域技术人员无法从对比文件内容中推理出此特征。因此，技术特征C未被公开。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，《未公开》	对比文件未描述电感器导体在垂直于基板方向上的厚度，也未对其最内匝的不同部分进行厚度区分。	同技术特征C，对比文件未公开任何关于最内匝第二部分厚度的信息。因此，技术特征D未被公开。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，《未公开》	对比文件未描述电感器不同部分厚度的相对大小关系。	由于对比文件未公开技术特征C和D（即第一厚度和第二厚度），自然也无法公开这两个厚度之间“第二厚度大于第一厚度”的关系。因此，技术特征E未被公开。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，《未公开》	对比文件未描述电感器导体在垂直于基板方向上的厚度，也未对其最内匝的不同部分进行厚度区分。	同技术特征C、D，对比文件未公开任何关于最内匝第三部分厚度的信息。因此，技术特征F未被公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，《未公开》	对比文件未描述电感器不同部分厚度的相对大小关系。	由于对比文件未公开技术特征C、D、F（即第一、第二、第三厚度），自然也无法公开这三个厚度之间“第三厚度大于第一厚度和第二厚度”的关系。因此，技术特征G未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。《未公开》	对比文件未描述电感器厚度沿其匝（特别是最内匝）的梯度变化。	目标专利技术特征H限定了厚度沿最内匝的梯度性增大，这是“梯度层堆叠电感器”的核心结构特征。对比文件完全没有提及导体厚度存在任何梯度性变化。因此，技术特征H未被公开。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。《未公开》	对比文件图9示出了两个螺旋导体920和930。第[0058]段提及它们可以制作在同一层或不同层（以获得堆叠电感器），但未明确描述二者之间的覆盖关系（即谁覆盖谁），也未描述它们在不同匝（最内匝、最外匝）的具体构成。	对比文件公开了耦合电感器包含两个螺旋导体（线圈）。然而，它并未具体描述这两个导体之间是否存在“覆盖”关系，以及这种覆盖关系是如何在电感器的最内匝和最外匝的具体部分中体现的。目标专利技术特征I详细限定了第一、第二导电螺旋在电感器不同部分的覆盖和包含关系，这是实现其特定阶梯或梯度厚度结构的关键。对比文件没有提供足够的信息以使本领域技术人员能够推理出这种具体的层叠和空间构成关系。因此，技术特征I未被公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。《未公开》	对比文件未比较或描述两个螺旋导体的长度。图9所示的两个螺旋导体看起来具有相同的圈数和大致相同的图案。	对比文件没有提及两个线圈（导体）的长度，也未给出任何信息表明其中一个线圈的长度大于另一个。本领域技术人员无法从对比文件中推理出此特征。因此，技术特征J未被公开。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件未提及在第一导电螺旋和第二导电螺旋之间存在额外的导电层。	目标专利技术特征K引入了位于两个导电螺旋之间的额外导电层，并限定了其在最内匝第二部分中的构成。对比文件的耦合电感器仅描述了两个线圈（导体），没有提及或暗示存在这样的中间导电层。因此，技术特征K未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。《未公开》	对比文件未提及如技术特征K所定义的“导电层”，因此也不可能公开该导电层的形状是否为非连续螺旋。	由于作为前提的技术特征K未被公开，因此技术特征L也未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。《未公开》	对比文件未提及如技术特征K所定义的“导电层”，因此也不可能公开该导电层是否包含引线。	由于作为前提的技术特征K未被公开，因此技术特征M也未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。《未公开》	对比文件未提及在所述两个螺旋导体之间存在钝化层。	对比文件描述的是用于射频电路的耦合电感器，未提及在两层螺旋导体之间设置钝化层。目标专利的钝化层是其多层堆叠结构的一部分。此特征未被公开。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件未提及如技术特征N所定义的钝化层，也未提及通过通孔连接两个螺旋导体。图9所示的两个线圈是通过磁耦合，而非直接的电连接（通孔）。	对比文件的耦合电感器中，两个线圈是磁耦合的，说明书和附图中均未显示或描述它们之间通过通孔进行电连接。因此，技术特征O未被公开。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。《未公开》	对比文件未描述电感器厚度沿其匝（特别是最内匝）的变化，无论是单调递增还是其他方式。	该特征是对最内匝厚度变化趋势的进一步限定。如前述，对比文件根本没有公开最内匝存在不同的厚度（第一部分的第一厚度、第二部分的第二厚度），因此更不可能公开这两个厚度之间“单调递增”的关系。因此，技术特征P未被公开。