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技术特征描述以及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板。 <br> 《直接公开》	[0040] ...The dielectric layer 502 supports a first metalization layer that is used to fabricate the second winding 204. The dielectric layer 504 supports the bridges 402 ... The dielectric layer 506 supports the first winding 202. <br> （译文：...介质层502支撑用于制造第二绕组204的第一金属化层。介质层504支撑桥接器402...介质层506支撑第一绕组202。）	对比文件明确公开了多个介质层（dielectric layers）作为支撑结构，用于支撑和承载金属化绕组。在集成电路领域，此类介质层（如硅基板上的绝缘层或封装基板）通常被视为“基板”，其作用是提供物理支撑和电气绝缘。这与目标专利中“基板”的作用（支撑螺旋电感器）相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出该技术特征，技术特征A被直接公开。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器。 <br> 《未被公开》	[0038] ...The second winding 204 may be fabricated utilizing the metalization layer of the integrated circuit... <br> （译文：...第二绕组204可利用集成电路的金属化层制造...）	对比文件公开了作为变压器一部分的螺旋绕组（例如第二绕组204），其布置在介质层（基板）上。然而，目标专利的“螺旋电感器”是独立的电感元件，其核心特征在于“梯度层堆叠”，即厚度从内匝到外匝呈梯度变化。对比文件中的绕组是用于实现信号转换（单端/差分）的变压器的一部分，其目的、结构（如对称抽头）和关注点（如耦合系数、对称性）均与目标专利的“梯度层堆叠电感器”不同。对比文件完全没有提及绕组的“厚度”变化，更未公开“梯度层堆叠”这一特定结构。因此，技术特征B既未被直接公开，也无法从对比文件隐含得出。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度。 <br> 《未被公开》	无相关描述。	对比文件全文未描述任何绕组在垂直于基板方向上的“厚度”，也未区分或讨论绕组“最内匝”的特定部分。其关注点在于绕组的平面几何形状（如矩形、八边形）、层间连接和对称性，而非厚度维度上的变化。因此，技术特征C未被公开。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度。 <br> 《未被公开》	无相关描述。	同技术特征C，对比文件未描述绕组任何部分的厚度，因此“最内匝的第二部分具有第二厚度”这一特征未被公开。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度。 <br> 《未被公开》	无相关描述。	由于对比文件未公开任何关于绕组部分厚度的信息，因此更不可能公开不同厚度之间的比较关系（第二厚度大于第一厚度）。该特征未被公开。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度。 <br> 《未被公开》	无相关描述。	同技术特征C、D，对比文件未描述绕组任何部分的厚度，因此“最内匝的第三部分具有第三厚度”未被公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度。 <br> 《未被公开》	无相关描述。	由于对比文件未公开任何厚度信息，因此多个厚度之间的比较关系（第三厚度大于第一和第二厚度）也未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。 <br> 《未被公开》	无相关描述。	目标专利此特征限定了厚度沿最内匝呈“梯度”变化。对比文件完全没有涉及绕组厚度的变化，更未提及“梯度”变化方式。因此，该特征未被公开。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。 <br> 《未被公开》	[0042] ...the second winding 204 includes a shunt winding 700... The shunt winding 700 is coupled in parallel with the second winding 204 to reduce the resistivity... <br> （译文：...第二绕组204包括一个并联绕组700...该并联绕组700与第二绕组204并联连接以降低电阻...）	对比文件确实公开了多层绕组结构，例如第二绕组204及其并联绕组700。这些绕组位于不同层，并通过通孔并联，其目的是降低绕组的串联电阻，提高品质因数Q。然而：1. 对比文件的绕组是“并联”（shunt/parallel）关系，而目标专利是“覆盖”关系，且第一螺旋覆盖第二螺旋，结构关系不同。2. 对比文件未描述任何关于“最内匝的第一部分/第三部分”或“最外匝的一部分”由哪个具体螺旋的哪一端部或部分构成。3. 对比文件未公开“第一部分仅包括第二螺旋端部而不包括第一螺旋”或“第三部分同时包括两个螺旋的端部”这样具体且限定的组成关系。因此，技术特征I这一系列具体结构限定未被对比文件公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。 <br> 《未被公开》	无相关描述。	对比文件未对不同螺旋绕组的“长度”进行比较或描述。其附图中显示的绕组可能具有不同的尺寸，但文本部分未将其作为技术特征进行描述或限定。因此，该特征未被公开。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。 <br> 《未被公开》	[0040] The dielectric layer 504 supports the bridges 402 and the coupling to the reference potential 216. <br> （译文：介质层504支撑桥接器402和到参考电位216的连接。）	对比文件公开了位于绕组层之间的“介质层”（dielectric layer），其作用是支撑连接桥（bridges）和提供电气绝缘。这与目标专利中位于两个导电螺旋之间的“导电层”有本质区别。目标专利的“导电层”是电感器导电通路的一部分，而对比文件的“介质层”是绝缘体。此外，对比文件未公开“最内匝第二部分”由“第二螺旋一部分和导电层第一端部构成”这样的具体结构。因此，技术特征K未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。 <br> 《未被公开》	无相关描述。	如上所述，对比文件未公开“导电层”。其桥接器（bridges）是用于连接绕组不同部分的金属线段，并非“非连续螺旋”。因此，该特征未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。 <br> 《未被公开》	[0038] ... a first node 210, a second node 212, and a tap 214... <br> （译文：...第一节点210、第二节点212和抽头214...）	对比文件公开了绕组具有“节点”（node）和“抽头”（tap），用于信号的输入和输出。然而，这些节点和抽头是绕组本身的组成部分，而非一个独立的“导电层”的组成部分。目标专利的特征是将输入/输出引线集成在“导电层”上。两者结构不同。因此，技术特征M未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。 <br> 《未被公开》	[0040] ... dielectric layer 502... dielectric layer 504... <br> （译文：...介质层502...介质层504...）	对比文件公开了位于不同金属层之间的“介质层”（dielectric layer），其起到绝缘作用。在半导体工艺中，“介质层”与“钝化层”（passivation layer）功能有重叠（绝缘、保护），但通常钝化层是最顶层的保护层。更重要的是，对比文件的介质层是作为层间绝缘的通用结构，并非专门“形成在第二与第一导电螺旋之间”以用于目标专利所述阶梯/梯度堆叠的特定钝化层。该特征的作用和具体位置未被公开。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。 <br> 《未被公开》	[0042] ...shunt winding 700 is coupled in parallel with the second winding 204... <br> （译文：...并联绕组700与第二绕组204并联连接...） <br> （结合附图，通常需要通过通孔实现层间连接）	对比文件公开了通过通孔（via）将不同层的绕组（如第二绕组204与并联绕组700）连接起来。这属于“电连接”。然而，该连接是为了形成并联以降低电阻，而非目标专利中通过钝化层内的通孔实现特定螺旋之间的连接。同时，对比文件未明确限定连接所穿过的层是“钝化层”。因此，技术特征O的具体连接结构和目的未被公开。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。 <br> 《未被公开》	无相关描述。	这是对厚度变化趋势的进一步限定。如前述多个特征所述，对比文件完全没有公开任何关于绕组厚度，特别是最内匝厚度变化的信息。因此，“厚度单调递增”这一特征未被公开。